Crucial Ballistix DDR3使用Micron Technology的DRAM晶片設計

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英代爾開發者2007年秋季論壇
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; J0 _7 Y1 o. g, w美國商業資訊2007年9月18日愛達荷州博伊西消息——美光科技有限公司（紐約證券交易所：MU）的子公司Lexar Media, Inc.今日推出第一款Crucial Ballistix(R) DDR（雙倍數據速率）3記憶體模組，為狂熱的PC玩家和電腦發燒友提供更優異存儲性能。作為DDR2的後續，DDR3的設計提供了更高的速度，減少了功率消耗，並增加了密度。DDR3讓使用者在螢幕上體驗到更接近生活的畫面，允許同時運行多個應用程式，系統整體表現更加優異。關於全部Crucial DDR3產品的資訊，請登錄 www.crucial.com/ddr3 或 www.crucial.com/uk/ddr3 。

Digital Media的副總裁Mark Adams說，“從最初的400MHz DDR記憶體到現在的Crucial Ballistix記憶體系列，我們走過了很長一段路。隨著1600MHz DDR3記憶體的發佈，我們把Ballistix記憶體的速度提高到原來的四倍。”
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% _# J* b$ V2 c  ?) PCrucial Ballistix DDR3模組全新設計的無夾具散熱片，使得模組更加簡潔。此外新的Ballistix模組散熱片上帶有Micron公司標誌，提醒大家注意Ballistix DDR3產品系列獨家使用了美光元件。
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Crucial Ballistix DDR3記憶體模組使用了美光廣受歡迎的DDR3元件，運行速度可達1600MHz。本周三藩市舉行的英代爾開發者論壇上，美光發佈了運行速率為2GHz的Ballistix DDR3模組超頻版（#702展位）。美光的DDR3晶片基於其行業領先的78納米處理技術生產。Crucial Ballistix 1600MHz高性能記憶體模組現在有1GB和2GB兩種大小。
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* e( {# f& a" V% f關於Lexar公司
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Lexar公司（Lexar Media）以Lexar和Crucial為品牌，生產、銷售NAND快閃記憶體和DRAM記憶體產品，是該領域領先企業。Lexar公司還銷售柯達品牌的快閃記憶體產 品。如需瞭解Lexar公司的詳細情況，請訪問： www.lexar.com 。如需瞭解Crucial產品的詳細資訊，敬請訪問：  www.crucial.com ， www.crucial.com/uk 或  www.crucial.com/eu 。Lexar Media, Inc.是美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）旗下企業，Lexar Media是美光歐洲有限公司（Micron Europe Limited）、美光半導體亞洲私人有限公司（Micron Semiconductor Asia Pte. Ltd.）和美光日本有限公司（Micron Japan, Ltd.）的業務部門。

關於美光科技有限公司
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美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）是高級半導體解決方案的全球領先供應商之一。通過全球化的運營，美光公司製造並向市場推出DRAM、NAND快閃記憶體、CMOS圖像感測器、其他半 導體元件以及記憶體模組，用於前沿計算、消費品、網路和移動便攜產品。美光公司普通股代碼為MU，在紐約證券交易所交易（NYSE）。如需瞭解美光科技有限公司的詳細情況，請訪問： www.micron.com 。

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美國商業資訊2008年1月31日愛達荷州BOISE消息：
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Micron Technology, Inc.（紐約證券交易所股票代碼：MU）今天宣佈，它是第一家提供8千兆（Gb）單級單元（SLC）高速NAND產品樣品的公司，與傳統的NAND產品相比，高速NAND使資料在很少的時間內即可傳輸完畢。

9 V' m: A2 f$ M) dMicron記憶體部高級行銷總監Bill Lauer說：「隨著當今越來越多的熱門消費電子和計算設備持續轉向矽儲存，我們必須改進資料在NAND快閃記憶體內的存取和傳輸方式。」 「隨著新功能被設計進高速NAND中，消費者將能看到性能優勢，從而讓他們體驗到在電腦、數位相機、MP3播放器和手機之間更快的數位內容傳輸方式。」

& i( c7 U% k& Z7 S: TSLC高速NAND讀取資料的速度可達每秒200百萬位元組（MB/s），資料寫入速度最高可達100 MB /s，這是通過採用新的ONFI 2.0標準和具有更高時鐘速度的四平面體系結構實現的。相比之下，傳統的SLC NAND讀取速度最高為40 MB /s，寫入速度低於20 MB /s。
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$ ?+ k1 N2 o. ]0 k  {6 D8 OMicron的8 Gb SLC高速NAND器件設計在50納米工藝節點上，將要為大型OEM和控制器製造商提供樣品，大規模生產預計從2008年下半年開始。該公司還預計明年將推出符合ONFI 2.0標準的未來NAND產品。

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新高速 NAND 技術針對計算、視頻、攝像以及其他電子消費產品而開發

美國商業資訊 2008 年 1 月 31日愛達荷州博伊西及加州聖克拉拉消息
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今天，英代爾公司與 Micron 科技有限公司（紐約證券交易所：MU）共同揭開了高速 NAND 快閃記憶體技術的面紗，該技術能夠極大地提高在利用矽片進行存儲的設備中訪問和傳輸資訊的能力。這項新技術是由英代爾與 Micron 共同攜手開發，由兩家公司的 NAND 快閃記憶體合資企業 IM Flash Technologies (IMFT) 進行製造生產，它比傳統的 NAND 快 5 倍，能夠在很短的時間內為計算、視頻、攝像以及其他消費電子產品實現快速的資訊傳輸。

這項新高速 NAND 技術通過利用新的 ONFI 2.0規格以及一個具有更高速的四平面架構實現高達 200 MB/s 的資料讀取速度、100 MB/s 的資料寫入速度。而相比而言，傳統的單極單元 NAND 技術的資料讀取速度最快不超過 40 MB/s，資料寫入速度不超過 20 MB/s。
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Micron 公司 NAND 開發副總裁 Frankie Roohparvar 表示，「Micron 期待通過利用高速 NAND 技術實現快速的資料讀寫速度。我們正在同一些重要的專業技術開發商和合作夥伴展開合作，共同構建和優化可利用其更強性能優勢的相應系統技術。Micron 致力於 NAND 創新，以及將設計的新功能融入這項技術，為今天最受人們歡迎的消費電子和計算設備創建一個強大的資料存儲解決方案。」
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英代爾 NAND 產品事業群的行銷總監 Pete Hazen 表示，「整個計算市場正在迎接基於 NAND 的解決方案的到來，通過使用緩存和固態硬碟提高系統性能。除了在性能上是傳統 NAND 的5倍外，這項由英代爾與Micron 共同開發、基於 ONFi 2.0產業標準的高速 NAND 技術將會實現利用包括 PCIe 和諸如USB3.0等即將到來的標準在內的高性能系統介面的新的嵌入和可移動解決方案。」

例如，今天最受人們歡迎的設備中高速 NAND 技術的具體性能優勢包括：

-- 在混合硬碟中使用時，與傳統的硬碟相比，高速 NAND 可使系統能夠在任何位置以2 倍或 4 倍的速度讀取和寫入資料。
-- 隨著數位攝像機和視訊點播服務的普及，高速 NAND 能夠以比傳統的 NAND 快 5 倍的速度傳輸高清晰電影。
. D' ?1 o9 J5 X4 _5 f) e. O' T-- 使用即將到來的 USB 3.0 介面，預計高速 NAND 可有效地以新規格中更高的資料傳輸速度進行傳輸，而傳統的 NAND 將會是系統性能的瓶頸。USB 3.0 的目標是當前 USB 2.0 解決方案帶寬的10倍，或達到大約 4.8 GB/s 的速度。
; e( v' T& N7 A9 x& l-- 隨著 NAND 繼續植入 PC 平臺，非易失性記憶體主控制器介面 (NVMHCI) 可利用諸如英代爾(R) Turbo Memory 等解決方案中的高速 NAND 技術，從而實現更佳的系統性能。NVMHCI 用於提供一個標準的軟體編譯介面，讓作業系統驅動程式能夠在如硬碟緩存和固態硬碟的應用中訪問 NAND 快閃記憶體存儲，。