我想請問高壓Cell的一些問題

a223152209

我最近在看我們公司的Techology File 時(因為我沒畫過高壓元件) 發覺高壓的rule和正常的元件有所差別  高壓的比正常的還大  我的問題是
2 H+ {- [2 o0 @9 B+ l/ f. z  ?) B請問高壓有一邊比較大一邊比較小  請問哪邊是輸出端哪邊是輸入端  還是都沒差呢  
另一個問題是  為什麼Techology File 裡面有寫到{  on  off  on  off  } {LB}}  LB我定義為NPLUS   我知道這表示{  左  上  右  下  }  我試過  如果把左改成off  那在layout 圖中  就不會顯示左邊的NPLUS  請問顯不顯示對我們再畫layout十有什麼差別呢
7 _! a, Q) E7 ]' e1 z8 x" ~7 c請各位前輩或者知道的人幫我解答  非常感激

jianping

THE  LAYOUT DEVICE OF HV , 有Asymmetric及symmetric兩種,如果symmetric的DEVICE就沒有 S及D端差別.

wiwi111

在layout 圖中  就不會顯示左邊的NPLUS  請問顯不顯示對我們再畫layout十有什麼差別呢??

) A, U/ c) z* {- p6 Q9 ^6 W% C, w差別是如果你是off 狀態,則你要用到這pattern時會無法顯示,當然你要tape out 的gds file
/ T* T( b8 X& u) T2 e; m- C便不會正確,到時designer debug後是layout 的錯,那你可能就得準備換公司了,這是layout
- [' H- L1 {# H# W8 I  x人員最不可犯的錯誤...................

skeepy

補充:要劃HV DEVICE建議把DESIGN RULE熟讀,特別是CROSS SECTION
要能看懂,這樣在劃CELL時比較不會弄錯,有CELL LIBRARY的話更好.

skyboy

原帖由 skeepy 於 2007-7-10 05:05 PM 發表
+ B3 c# M+ a- ^補充:要劃HV DEVICE建議把DESIGN RULE熟讀,特別是CROSS SECTION
7 A9 x- G! S$ b  e* O要能看懂,這樣在劃CELL時比較不會弄錯,有CELL LIBRARY的話更好.

6 a# G& Q2 l9 r9 K- |( ~小弟也補充一點慘痛經驗...
如果公司是第一次做, 有任何不確定的地方一定要問 designer, 如果 designer 也不很確定,
4 v- e; }% N  e3 j那一定要問 foundry....甚至是 layout 好了請 foundry 的人看一下....
$ _* Y: a9 ~  r% b# B: `8 s
等到 T/O 了才要東補西補都是很痛苦的事情....

spyang1119

同意~design rule K熟,就算tf & command file & foundry device有誤,layout都絕對不會錯

jauylmz

>>請問高壓有一邊比較大一邊比較小  請問哪邊是輸出端哪邊是輸入端  還是都沒差呢  
" }: n  q# a" v, a3 S& kAns : 通常Asymmetric 的MOS 大邊是 Drain 小邊是 Source ，那你的輪入端應該是指Drain吧
" X: P$ s8 f/ f0 Z( [) T
9 ]( h4 i! `, o0 k2 p! h/ p>>另一個問題是  為什麼Techology File 裡面有寫到{  on  off  on  off  } {LB}}  LB我定義為NPLUS   我知道
    這表示{  左  上  右  下  }
Ans: 看你這樣寫很像是Laker TF 的 Format ,如果是，那它並不是你所說的 {左上右下} 的關係喔。
        這點要注意。Laker Manual 上寫到那是 Repeat Pattern !!  請看附圖
- x5 ?0 {8 Z) m        { on  off   on  off  } 是對應到下面的 區域  後面就重複了，所以叫做 Repeat Pattern
        { OD Poly OD Poly }   
        {  1    2     3    4   }       在有 on 的 區域就會產生出你的 LB =>  Npuls layer
0 K% T1 g5 z2 d( L$ X
" [) `# S# |  t0 p) r4 _) k* @>>我試過  如果把左改成off  那在layout 圖中  就不會顯示左邊的NPLUS  請問顯不顯示對我們再
% \6 |6 C% X- @- a: a+ G1 a    畫layout十有什麼差別呢
3 r2 x5 a1 k- T8 y7 {: V! DAns: 你如果選擇 off 的話，那在Create 這個Device時，他就不會產生Layer 在相對應的區域了。

m851055

原帖由 jauylmz 於 2007-7-17 09:16 AM 發表
>>請問高壓有一邊比較大一邊比較小  請問哪邊是輸出端哪邊是輸入端  還是都沒差呢  
- ^1 X4 \) R* U* R) M- x; WAns : 通常Asymmetric 的MOS 大邊是 Drain 小邊是 Source ，那你的輪入端應該是指Drain吧

>>另一個問題是  為什麼Techol ...

$ s2 t, m5 H7 M. b0 D: V
此圖設計是耐壓到16左右的設計，一般都用symmetric設計，很少使用asymmetric設計，除非空間不足。
' i; v+ T: w( P3 r% c在25V左右之耐壓一般又是另一種設計方法，有deep Nwell layer，相關layer約為16-18層。