業界首款 100V 電流模式降壓控制器

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美國國家半導體推出LM5116 同步降壓控制器晶片設有已註冊專利的模擬電流模式控制功能，以提高降壓比
  
二零零七年三月二日 -- 台灣訊 -- 電源管理技術的全球領導者美國國家半導體公司 (National Semiconductor Corporation) (美國紐約證券交易所上市代號：NSM) 宣佈推出業界首款 6V 至 100V 的電流模式降壓控制器。這款適用於電訊設備、汽車電子系統以及工業控制系統的 LM5116 控制器晶片具有多項獨特優點，例如效能卓越、設計靈活以及易於使用，因此最適用於直流/直流電源供應系統。這款晶片是美國國家半導體一系列同步降壓控制器的最新型號產品，其特點是輸入電壓範圍更為廣闊，而且負載電流可以靈活控制。

LM5116 晶片最適用於高電壓或輸入供電電壓範圍較廣的降壓穩壓系統。其中採用的電流模式控制技術是一種模擬電流模式 (ECM) 的控制技術，由美國國家半導體獨自開發，並已取得專利，其優點是可以減少雜訊對脈衝寬度調變 (PWM) 電路的干擾，且以極小佔空比作業的高輸入電壓系統能夠穩定控制其佔空比。此外，這款晶片具有過熱停機、可設定軟啟動、頻率同步、每一周期電流限幅以及可調節線路欠壓鎖定 (UVLO) 等功能。

模擬電流模式技術簡介

模擬電流模式控制技術模模擬降壓開關電流訊號，然後將之輸入脈衝寬度調變電路，以減低雜訊對電路的干擾。此外，這種技術還可穩定控制佔空比，以免受其波動影響，這兩方面來說，優於傳統的峰值電流模式控制。只要利用波幅受控制的電流為電容器充電，便可產生模擬電流訊號，電容器進行充電時所產生的電容器電壓波形與降壓開關電流成正比。由於無需直接測量降壓開關電流便可產生脈衝寬度調變 (PWM) 電路所需的電流訊號，因此開關雜訊的干擾可以減至最少，同時又能充分發揮電流模式控制的優點。

LM5116 降壓控制器的技術特色

LM5116 晶片的輸入電壓範圍極為廣闊，最高甚至可達 100V，而且可以設定輸出電壓 (在 1.215V 至 80V 的範圍內)。由於 PWM 控制電路對雜訊的敏感度較低，因此可以確保佔空比必須極小的高輸入電壓系統能夠穩定作業。若以 500kHz 的頻率作業，LM5116 晶片可以利用其模擬電流斜波，將輸入/輸出電壓降壓比提高至 20:1 以上。用戶可以自行設定作業頻率 (最高可達 1MHz)，而且可將開關頻率調校至與外置時鐘訊號同步。靜態電流極低的睡眠模式可以暫時使控制器失效。睡眠模式耗用 10mA 的電流，只佔總輸入電流量極小的比例，因此對於以電池供電的系統來說，這樣低的靜態電流可以大幅減少關機時的耗電量。此外，LM5116 晶片還設有用戶可自由選用的二極體模擬模式，以便系統可以在低負載的作業情況下採用非連續電感電流的作業模式，以提高效率。只要同步 MOSFET 能使其二極體模擬功能逐漸失效，系統便可控制整個啟動過程，確保供電時負載已預先偏壓。這款晶片還設有可設定軟啟動、輸入欠壓鎖定以及電壓追蹤等功能，讓工程師可以加強控制整個啟動過程。

LM5116 晶片採用效能更高的 TSSOP-20 封裝，其中的無掩蔽晶粒更加貼了可提高其散熱能力的焊墊。

價格及供貨情況

LM5116 晶片已有量產供貨，採購以 1,000 顆為單位，單顆價為 3.25 美元。如欲進一步查詢有關 LM5116 晶片的資料或訂購樣品及測試電路板，可瀏覽 http://www.national.com/pf/LM/LM5116.html 網頁。