bandgap referece中的ＢＪＴ

tiantsmart

bandgap referece中的ＢＪＴ的电流即ＩＰＴＡＴ的电流一般取多少啊？与什么因素有关？或者受什么约束？
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% v) H+ c. Z* S  S[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 05:49 PM 編輯 ]

tiantsmart

谢谢给了高亮，有请大大们给个解答，我还是个新手，最近在做bandgap reference,请指教！

iamif520

這很重要耶~以後要做完整的電路也要有Vref這塊~
+ ^! C2 E: m! y# c5 q5 ]2 b懇請高手賜教

tiantsmart

怎么没人解答呢？是不是我的问题太简单了，都不屑回答呢？

semico_ljj

以前倒是没有考虑过这种问题

finster

這個很難有肯定的答案
因為不同的應用與產品,所訂的規格與要求就不同
若以SOC或者給PLL,ADC等類比電路,基本上我都是訂10uA,會訂這個值最主要是因為剛好整數,而且容易藉由這個current來產生出其他所需的voltage or current
8 J( @0 u8 Q+ Z  o# ^% D  k另外,我以前有設計給LDO電路所需的bias voltage and current,它的current就非常小,在正常操作下就要小於1uA
2 M  g) O( A+ L: o所以,不同的產品屬性所需的current就會不一樣,很難有肯定的答案

semico_ljj

"小於1uA"设计有个问题，电阻就会很大，这时会引入更大的噪声！
实际电路这么小的电流没有设计过，不知有没有什么要特殊考虑的地方？
3 z4 u! A( [8 {- H1 X; d% \2 W谢谢！

shaq

原帖由 semico_ljj 於 2008-12-5 02:33 PM 發表
"小於1uA"设计有个问题，电阻就会很大，这时会引入更大的噪声！
实际电路这么小的电流没有设&#357 ...

* n0 V7 u) K. }5 i電流基本上可以流很遠啊，電壓比較怕 IR drop
# y4 l+ V3 i7 o1 k
想請問您「�阻就�很大」是指？？

lightgo

噪声应该是一个因素吧

guang3000

见过反向的和公司的，在50uA左右，个人觉得op的mismatch问题更难弄

Sgw

同意樓上說的，OP的mismatch和offset真的很難搞，不知道有沒有大大能有效降低這些效應…

guang3000

见过反向的和公司的，在50uA左右

我指的是两路的电路总和，单路25uA左右

122013137

粗略的说,Vref=f(vbe)=f(F[ic])

122013137

粗略的说,Vref=f(vbe)=f(F[ic])

nesty.tseng

OP的input offset可以用stack bipolar的架構讓offset減少一半
( G) r+ E, x/ T" j7 z) e公式推導可以看razavi的書

frankiejiang

原帖由 nesty.tseng 於 2009-1-9 02:53 PM 發表
0 b0 \4 B; u1 j/ |OP的input offset可以用stack bipolar的架構讓offset減少一半
公式推導可以看razavi的書

: @1 ~& ?* ^0 L3 `请问大大这个在第几章第几节？
3 V4 `( q, a2 w( e2 D谢谢！

allentel

Chapter 11 Bandgap reference
& T2 u7 y4 l% o% D- H, v1 j
11.3

馬蓋

請問在bandgap 下的 bipolar PNP 的 beta 要大於多少阿 ? 如果只有20  會影響到準確度嗎 ?

sjhor

若是寄生的 bipolar 建議去問製程廠所提供的，
' y/ r% V/ i$ [" Y! Q因為它們會知道使用在哪一個範圍會是一個較佳的值。
1 `3 u9 q+ f4 S1 V5 p. y+ v他的變異和限制都會比較了解。

mycmf

製程廠給的BJT通常不準, 必須找方法作Calibration