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[問題求助] 工艺角仿真的问题

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1#
發表於 2008-11-25 20:57:29 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
正做一个运放,在tt下已经调出性能了,不过做工艺角仿真的时候发现性能相差挺大的,不满足要求。请问大家都是怎么来解决工艺角带来的漂移这些问题的呢?谢谢哦!
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2#
發表於 2008-11-25 22:18:41 | 只看該作者

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參與人數 1Chipcoin -3 收起 理由
chip123 -3 敷衍回覆!何不交流點心得?

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3#
發表於 2008-11-26 08:49:11 | 只看該作者
增大tt下的设计余量。余量尽量留的大,这样其他工艺角的情况会好些。
4#
發表於 2008-11-26 10:28:25 | 只看該作者
余量怎么设计的大一些呢?这方面没有经验,听听大家的!
5#
 樓主| 發表於 2008-11-29 19:48:03 | 只看該作者
就是在tt下,设计电路时让管子饱和的好一点,vds-(vgs-vth)>150mv,这样当工艺偏的时候就能保证性能较好的统一。
6#
發表於 2008-11-29 21:32:15 | 只看該作者
還有 !! 記得要留意 Vgs-Vt (Vdsat) 的 margin 要夠ㄛ.
4 S) R0 t6 e5 P8 Q/ p" y3 XDevice 如操作在 Vgs = Vt 的附近. 很容易在 "工藝角" 導致 Vgs < Vt ; 而影響電路8 v( v7 b6 ?4 _9 m& z4 E; ^
穩定度ㄛ.
2 ]" I. c0 i2 B: H/ D! Z8 ^  l) O8 u0 L  c. K
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