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[問題求助] 請教antenna的問題

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1#
發表於 2008-5-9 15:01:28 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
這是目前在做whole chip整合發生的問題,當我antenna跑完,使用( b3 M# k; L+ a1 M
antenna diode去補後,antenna過了,但是lvs卻發生問題,某些線會/ w0 S2 Y% i2 Z- ^1 T: d% J" K
因為diode而有error,是類似斷線的錯誤,有些不會,當我不使用diode
& G( P/ Z5 C9 f8 C( U而用換層的方式,卻又正常了,這到底是什麼原因.我確信diode沒有
) b& Z, c  e! v  c跨在2條線間,使它們短路,也沒有放在用做區隔電壓的dummy layer9 Y- P1 P5 f, q7 [
下.% f( x; B/ ?! s' O
還有一個換層的問題,一般從製程來說是朝上換,是沒有疑問的,就我6 c; m& G; L5 ]7 m3 s, E: R" i, Z9 {
的理解,就朝上換一層就行,但是有人說要換top metal才行,昨天辯很
! x4 Y% O/ R0 H8 \" S: C' g久,當然2種都會過,不理解的是,用top metal有什麼根據會比較好.
  x5 ?8 t: H( t& ~' }$ ~
: `* a- W: P! P& l* I[ 本帖最後由 sw5722 於 2008-5-9 03:07 PM 編輯 ]
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2#
發表於 2008-5-13 23:01:39 | 只看該作者

ANTENNA

TOP METAL 比較上層所以乾淨
% y% L; U' S  ]+ S- A; u. m請RD改SPI檔請他加DIODE
3#
 樓主| 發表於 2008-5-15 09:58:46 | 只看該作者
TOP METAL是可以使帶有電荷的大面積metal,較慢與gate連接,
* Y/ B7 h9 o2 j9 m1 ]/ r& M4 ]但是top metal的rule遠大於一般metal,個人覺得使用上一層就能; ~3 l8 I" N/ l- {
達到效果,也就是暫時中斷那些電去燒毀poly gate.
# r3 l" }4 [, k# J! a% j" I一般來說我公司designer都不會在spi檔上加diode,因為出現的
" u+ k' z; |. u8 m& |5 P% nerror report是一樣的,但是在某些線上,會有其他的error.所以才會
& \4 [" x8 C) ]9 {4 ?; ~2 X2 B用換層取代,只是不知道那些異常error發生原因.
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