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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
5 p& m: J1 r# W$ ~) ]- e5 c
' D$ h' o7 ?0 H4 u3 k0 m+ ^& BOD2作用:) Y" e  `2 U( J6 |$ J
1. 增加阻值
) e# i- V7 F& c2. 防止電流過大而導致元件燒毀  t& S/ X# V4 I* v0 v
3. 通常用於高壓製程上5 V- q# O! I0 V# N7 g, G6 R
  j# Q) |; Q2 R. u
SAB作用:4 z2 J6 Q4 w6 f9 I  r+ {
1. 可以用來計算電阻值" P& L, F, W/ q; V
2. 降低阻值
, Q1 y7 T2 O  `+ C3. 防止LDD的尖端放電+ F) \5 B3 D, l  a) e2 K* N

" Z& r! c+ B) f+ P& o
+ F8 T$ W$ [5 d1 I以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 9 G' `3 N! l) p

! I. [& H! w* q( j3 |3 A1 e( l個人的認知與看法!有錯請指點一下!: i7 D( i$ l& L0 N3 S; ^# w3 `

' w1 P" ]- P6 \  J有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
4 m  I1 \& Z% p+ n" Q# Q, y/ u% J: ]/ L) @5 J( s4 N% ?; t
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
4 ]% K5 V( Y0 X6 `3 q9 E能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
8 \. |8 y' f- ^- v7 r+ o這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
0 R$ j% L% u3 ~- s% X( A2 LSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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