2012 奇景盃 初賽 問題詢問

as200112

各位先進，您好：

不好意思，想請問一下，在 奇景盃 2012 初賽 試題中，有著 PMOS 電容，

在練習時，學長提醒要在這顆 PMOS 電容外，加上 Deep N well，

MC       VDDA VTL VDDA VDDA  PH L=10U W=10U M=10

1 |; P# v5 I2 R3 o# I" t" I上述中，PMOS 電容 下極板為 VDDA，那為什麼還要加上 Deep N well ?

是為了讓 PMOS 電容 的上下極板與 VDDA 的電位分開嗎 ?

! r3 _* k6 z- Q+ p; _8 t麻煩大家了

KKboy

; [2 E5 o! g5 u9 L
as200112同學 您好，
5 e$ |1 E, b! L8 P. c: r& d' o6 s# m  Y好巧不巧我去年有比過此比賽，
; ?, x. Y6 ?$ T& X1 _我想你沒看清楚電路及DesignRule裡面的定義。
此電路名稱為PVCVS，由於有三個區塊(MUX、MC、BIASB)，
(一)MUX(Power=VDDA、Gnd=VSSD)
. G  u8 u& `: e( L(二)BIASB(Power=VDDA、Gnd=VSSA)
, M; ^$ T& X7 F3 o' [' @DNW是為了隔絕這兩個區塊GND部分，
' M1 x' v8 L' W+ V) J7 l如果沒畫DNW，我想LVS應該不會過才對。
而當初我是用MC把MUX與BIASB隔開，
& x) ^0 |, c1 x# _. l但只有BIASB有畫DNW，題目Psub電位為VSSD......
3 w9 }6 a$ \* j8 R) m
. ~. ~0 e! t0 X# R1 H( x如果有錯請見諒
希望對你有幫助，祝你今年能得名。