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凌力爾特高效率PoE++ PD控制器提供高達90W功率

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發表於 2012-8-28 11:32:24 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
凌力爾特(Linear Technology Corporation)日前推出LT4275 LTPoE++™、PoE +和相容於PoE的受電裝置(PD)介面控制器,主要用於要求達90W電源之應用。PoE +限制了PD最大功率至25.5W,這對於提供新型的高功率需求應用,如微微蜂巢式基地台 (picocell)、基地台,指示標誌和戶外攝影機是不足的。凌力爾特的LTPoE++標準透過將功率規畫擴展為包含四種不同的功率位準(38.7W、52.7W、70W和90W)而建構了完整的高功率LTPoE+ +系統,滿足市場需求。LTPoE+ +標準採用的分類法能輕易使LTPoE++供電裝置(PSE)控制器和LTPoE+ PD控制器彼此進行可靠的通訊,同時保持與IEEE標準設備間的互操作性。LT4275A (LTPoE++)、 LT4275B (PoE+)和LT4275C (PoE) 可僅透過一個IC便能有效的供電至PD負載。
  V+ T! f: [  x* T( H0 M+ ?& ~. e+ |/ ?. P6 |( p3 Z
LT4275不同於整合功率MOSFET的傳統PD控制器,其控制外部MOSFET以大幅降低整體PD熱損,並達到最大功率效率,這對於更高功率位準相當重要。此創新方式可讓使用者按照其應用的特定散熱及效率需求決定MOSFET,必要時可使用低導通阻抗的 30mOhm MOSFET。LT4275可將PSE辨識為符合IEEE 802.3af 13W功率級的Type 1硬體、符合IEEE 802.3at 於25.5W功率級的Type 2 硬體,或符合38.7W至90W的功率位準的LTPoE++硬體,並相應供電。為達到有效的功率分配,PD使用者可配置代表PD電源使用的分類。100V abs最大額定輸入電壓代表LT4275的強固性,以及可在常見的乙太網路線突波情況下保護PD。可程式的輔助電源接腳具備署名損壞,提供支援至9V。LT4275還包括電源良好輸出、晶片上署名電阻、欠壓鎖住及完整的熱保護。% z9 H0 n7 \+ ?  W  b

# ~" Q+ w1 V) F0 u2 ~( F2 sLT4275具備工業和汽車等級版本,可分別支援-40°C至85°C以及-40°C至125°C的操作接面溫度範圍,該元件採用小型、符合RoHS標準的10接腳MSOP或 3mm x 3mm DFN封裝。以千顆量購計之單價為1.45美元起。LT4275提供對於凌力爾特現有PD產品的升級路徑,包括了LTC4265 PoE+ PD 控制器及對於任何凌力爾特最新PSE控制器的無縫連接,包括單埠LTC4274、4埠LTC4266以及12埠LTC4270/71晶片組。如需更多資訊,請參閱www.linear.com/LTPoE++
, l; g& _: ^. C% Z' q2 {2 x# u3 Y; Z- z3 ?# R
LT4275特性摘要
  |  f# b7 I1 U2 a' v•        IEEE 802.3af/at 以及 LTPoE++受電裝置 (PD)控制器
+ K8 p* V6 m6 P•        LTPoE++ 支援達90W的功率位準
) b" \' _( _: v" Y) Q9 r! {$ J: ^•        LT4275A 支援以下所有標準:
) R3 q! ]: U. D( N7 \( x& _9 l) fo        LTPoE++ 38.7W, 52.7W, 70W & 90W
* O5 f  \( f% H) _o        符合IEEE 802.3at (25.5W)規範
+ H5 E+ _& F4 n# J/ m3 Xo        符合IEEE 802.3af (13W)規範 $ b# e+ c2 [4 O: Q" \

. z2 v  `* J. f' j( _•        LT4275B 符合 IEEE 802.3at/af 規範9 G  K9 w: t7 L
•        LT4275C 符合 IEEE 802.3af 規範& X; P& e8 q. Q4 X+ @6 w, n
•        100V 絕對最大輸入電壓
' F" N( `+ u( K7 ^•        內建署名電阻  Q9 z2 M  A7 D4 e( k" P
•        外部Hot Swap™ N通道MOSFET以達到最低功耗和最高系統效率1 D2 p$ f& T1 n
•        可設定輔助功率支援至9V6 M% I/ }" v3 C" |: a
•        採用10接腳 MSOP 以及 3mm x 3mm DFN 封裝
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