prisim 波形

lucky

% j4 R. G5 M% p2 N, ~9 b3 ]& h0 ?圖一

% x% {, N, m$ a# M  R; ^0 t' T圖二

圖三
5 q% c. Z+ o7 _' B
4 z' ]( `4 h( A5 n各位大大：我 的bandgap prisim 之後波形本該如圖一
9 y# F- Y% [5 t
- h# W$ p0 d) Q; U  M            但我模擬出來的卻是圖二 其圖三的箭頭波形如
             圖二所示比較像圖一，反而vbp輸出卻是反相
               這是什麼原因?該怎麼解決?
                                         請大大為我解答，感恩

billlin

Q9要Q10的M倍(example:M=9)
才能在R1電阻產生PTAT的電流,
PTAT電流流到R2電阻產生正溫度電壓,
" F: k& k' A9 q) r' r與Q2的負溫度電壓做抵消動做,
6 G8 t8 q6 c* \M4/M0/M3不知道是甚麼做用,
也不像start-up電路.

lucky

回復 2# billlin

' o! n- F5 U% ~7 D
& j( P; F% v% mbilllin 大大：
8 x2 [- s; u: a7 p
m4 m3 m0 是start  up 電路，
# E7 N! G+ t5 E) N
另外我prisim 結果如圖

這樣的曲線對嗎?

lucky

回復 2# billlin
/ I; W$ K, x3 F1 }2 v1 Q
. h) `5 c, H$ U3 ?
! T4 r! P7 w* v+ {# ~    billlin 大大：我這電路只有Q9&Q10呈倍數SIZE關係嗎?

finster

1.你的BJT請都採用同一種面積大小的BJT,如PNP5,或者PNP10,請不要在Bandgap電路中採用不同面積的BJT,這個樣子特性會不朝同一方向
2.Q0和Q10有其倍率關係,若照你提供的電路來看,Q0是Q10的N倍關係,通常是取8,這個關係是因為Layout的緣故
3 {; ]5 L: z& z* B& L+ ~. h3.在作模擬時,建議把電阻model也帶入作模擬,這個樣子會比較準
4.在看Bandgap模擬的結果時,會比較建議在單一工作電壓下,掃溫度,然後觀察溫度變化和Vbg的電壓變化,目前你所提供的圖是電壓變化,會比較失去Bandgap電路要的特性,建議你該附一張橫軸是溫度,縱軸是Vbg的圖,這個樣子會比較容易看出你模擬出來的結果是否符合Bandgap電路特性
$ A  D8 M3 O' g2 h* g5.你的size建議不要用minimum size,這個樣子在不同corner和溫度變化時很容易跑掉
6.你的start-up電路會有起不來的可能,建議修改(你目前的問題應該不是start-up所引起的),另外,在觀看Start-up特性是以Power ramp的形式,然後觀察你電路中net109和net104的電壓變化
7.建議你可參考Razavi所著的"Design of Analog CMOS Integrated Circuits"一書中第11章,裡面有詳加描述Bandgap電路的特性

lucky

回復 5# finster

  s0 x" n+ @; N) I2 H大大：  感謝您的解答，
! A) J6 e) n# G: L' E5 i1 g1 h6 p7 C
          我的 bjt 已改pnp10  且我所模擬出來的波形是如下
9 s& f/ \+ N, b; }         
  x- A2 [4 ^# H, l
                如何看出它就是bandgap 所需的特性?

billlin

正確的溫度與bandgap電壓的關係是一個碗狀的圖
' O' A/ p7 N: r你可以掃溫度與BJT電壓的圖,然後對圖做微分,會得到負的溫度係數
      掃溫度與R1兩端電壓差的圖,然後對圖做微分,會得到正的溫度係數
要抵消一皆溫度係數的話,
(負的溫度係數)+K倍X(正的溫度係數)=0
K倍是圖中R2/R1的ratio
5 p3 j3 n% d1 [應該是這樣就可得到剩2皆溫度係數的碗狀圖.