本文對同步直流-直流轉換器的功耗機制進行了詳細的分析,以確定需要改進的關鍵MOSFET參數,進而確保可不斷提升系統效率和功率密度。分析顯示,在開發功率MOSFET技術的過程中,常用的QG和QGD品質因數(FOM)(即RDS(on)×QG和RDS(on)×QGD等)已無法滿足需要;如果持續使用,可能並不是個最優技術的選擇。根據分析顯示,人們已經定義了一套用於新的低壓功率MOSFET技術開發的FOM。由此産生的30V技術以超結理念爲基礎,是直流-直流轉換器的理想選擇;與橫向溝槽和分裂栅極溝槽MOSFET等競爭技術相比,該技術可同時提供低特定 RDS(on)、QG、QGD、QOSS和高栅極回跳抗度。 & O, }4 q) f. R p8 U想了解更多訊息嗎?快上網註冊即可下載更多MOSFET的應用文章 . w& h0 @& _6 e' f; hhttp://www.cn.nxp.com/campaigns/ ... nch/form-whitepaper