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[問題求助] 關於mos source/drain contact 的數量

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1#
發表於 2011-11-4 10:32:08 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
關於analog cmos layout source/drain contact 的數量有必要全部打滿嗎?
+ {  E3 T4 v) f) P! x有時會遇到無線可跳的情形,所以直接把 mos source/drain contact 挖掉用來走線.
# i: s1 H1 [$ ^# f例如 ABBA 對稱的mos 直接把中間BB的contact/metal 挖掉,然後挖掉的空間拿來直接連兩邊AA的drain 端.
) v1 v7 ?" c( S; {6 u# j. \也就是不跳Metal2 ,直接跨過BB的mos 用metal1 連接.( q2 E# V, J& E# G" k% _
有人會這樣做嗎? 還是全部都用metal跳線? 而不會挖掉mos source/drain contact ?
; V! o0 X# [0 t, d另外如果挖掉某部份的contact 除了造成 mos 電流走向不平均外還會有其他影響嗎?
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2#
發表於 2011-11-4 14:21:08 | 只看該作者
原則上是 能有多少 就多少! q: z5 b: w3 E% }
有時候有些考慮 用幾層 metal  也是考慮因素
" }; l! D6 H# I9 L/ JABBA 是要對稱的 ,cont 也在對稱的項目之中
3#
發表於 2011-11-18 03:11:44 | 只看該作者
1,contect 孔多可以减小接触电阻,每个孔的电阻为2-3Ω。孔越多电阻越小& `4 B. @8 U, U9 s8 o
2,严格的MOS匹配,连线都要一致,不匹配的连线有可能引起1%的失配  ^$ s; J  t4 p- K/ v  N
3,模拟版图导线跨栅是大忌,寄生效应是我们不可预测的。
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