電源設計知識小測驗：初級側MOSFET的最大電壓和電流強度同時出現在

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反正這裡沒太多好康相報？來作些知識測驗？

是在反激式轉換器中

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快捷半導體UniFET™ II MOSFET推動消費性產品功率轉換器最佳化
為平板顯示器和照明設備、電腦電源和智慧型環保電源產品帶來高效率和高可靠性


開關電源的設計人員需要能夠承受逆向復原電流尖峰、同時可減低開關損耗的高電壓MOSFET元件，因此，快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor) 以精深的MOSFET技術知識，開發出最佳化功率MOSFET產品UniFET™ II MOSFET以應需求。新產品具有更佳的寄生二極體和更低的開關損耗，並可在二極體復原dv/dt模式下承受雙倍電流應力。

快捷半導體的UniFET II MOSFET之逆向復原性能較其它解決方案提升50%。如果逆向復原速度較慢，則無法處理高逆向復原電流尖峰，導致更高的開關損耗，以及功率MOSFET過熱。而快捷半導體的解決方案則能夠承受較現有解決方案高兩倍以上的電流應力。

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UniFET II MOSFET元件以快捷半導體的進階平面技術為基礎，能夠提供更佳的品質因數(FOM) (FOM: RDS(ON) * Qg)、更低的輸入和輸出電容，以及業界最出色的逆向復原性能，同時具有高效率。而且，這些MOSFET元件在小型封裝中容納了大量的功率，但不會產生過多的熱量，所以能夠提升用於液晶體電視和電漿電視的SMPS，以及用於照明系統、電腦電源、伺服器和電訊電源的SMPS應用的整體效率。

UniFET II MOSFET系列的首批產品包括FDPF5N50NZ和FDPF8N50NZ N通道 MOSFET。FDPF5N50NZ是500V，4.5A，1.5Ω元件，在VGS = 10V，ID = 2.25A下具有1.38Ω (典型值)的RDS(ON)；以及低閘極電荷(典型值9nC)。FDPF8N50NZ則是 500V，8A，0.85Ω元件，在VGS = 10V, ID = 4A下具有0.77Ω (典型值)的RDS(ON)；以及低閘極電荷(典型值14nC)。

這些MOSFET為業界少數具有2kV HBM 穩健ESD性能的元件，有助保護應用設備免受不良的靜電事件所影響。

快捷半導體作為功率電子技術的領導廠商，將繼續提供功能、製程和封裝技術方面的獨特組合，以應對電子設計的各種挑戰。這些MOSFET都是快捷半導體全面的MOSFET產品系列的一部份，它們可為設計人員提供從-500V至1000V的特大崩潰電壓範圍、先進封裝和業界領先的FOM因數，能為任何需要功率轉換的應用提供高效率的功率管理。

價格(訂購1,000個):
FDPF5N50NZ的單價為0.69美元
FDPF8N50NZ的單價為0.86美元

供貨：現已提供樣品
交貨期：收到訂單後10週

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全球領先的高性能電源和可攜式產品供應商快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor)宣佈，其Ultra FRFET™系列MOSFET在由《電子工程專輯》雜誌舉辦的二○一一年中國電子成就獎中，獲選為「年度電源產品獎」得獎產品。

快捷半導體資深副總裁金台勛博士表示：「這個獎項是由《電子工程專輯》的讀者投票評選的，因而代表我們開發這項技術所付出的努力時間得到了中國工程師的認可，令人感到自豪。Ultra FRFET系列元件能夠幫助用戶保持領先的創新水平和領導地位，開發出推動世界經濟發展，同時能夠改善人們日常生活的產品。」

快捷半導體在二月二十四日於深圳舉辦的二○一一年中國電子成就獎頒獎典禮上接受獎項。

獲獎的Ultra FRFET系列元件專為液晶體電視電源應用而設計。拜技術進步之賜，快捷半導體的半橋解決方案Ultra FRFET系列 可提供35ns~65ns的同級最佳反向恢復時間(trr)和業界最小的反向恢復電流(1.8 ~ 3.1A)，從而達成最佳化設計。目前的液晶電視設計使用MOSFET和半橋電路中的兩個快速恢復二極體(fast recovery diodes, FRD)及兩個阻隔二極體來提供非零電壓切換，其中FRD的主要作用為降低反向恢復電流，而阻隔二極體則可以防止MOSFET的內建二極體導通，並消除二極體的大反向恢復電流。

金博士表示：「Ultra FRFET系列MOSFET是具有突破性的解决方案，與目前使用的傳統方法相比，該方案能為中國的設計工程師提供了顯著的優勢，能夠減少元件數量、簡化設計，同時提高可靠性，從而大幅降低成本。Ultra FRFET系列MOSFET贏得中國電子成就獎年度電源產品獎，進一步證實快捷半導體實踐承諾，提供幫助客戶取得成功的卓越技術。」

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英飛凌推動高效率電源轉換設計：中電壓 MOSFET 讓 CanPAK™ 產品系列更臻完備

【2011 年 3 月 8 日台北訊】英飛凌科技股份有限公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 於美國 APEC 2011展覽會上推出 OptiMOS™ 中電壓 MOSFET 已推出 CanPAK™1) 封裝之產品，適用於各種工業用途，例如DC／DC轉換器、太陽能微型逆變器、太陽能能源系統中的最大功率點追蹤器 (MPPT)、低電壓驅動裝置及伺服器的同步整流。新推出的60V-150V MOSFET 採CanPAK™ 封裝，可讓電源系統工程師最佳化其設計，以獲得理想的功率密度、效率及優異的散熱表現，同時只需要極小的佔板空間。上述最佳化有助於節省成本並延長運作壽命，應用範圍涵蓋伺服器到再生能源系統。

相較於標準的分離式封裝，CanPAK™ 金屬「罐」結構可達到雙面散熱以及幾乎無封裝寄生電感，因此可帶來最高的效率及系統微型化。此封裝的頂端熱阻極低（1.5 K/W vs. 於傳統 DPAK 為 55K/W），因此可在太陽能設備功率轉換系統中的靜態空氣對流，或經常用於資料中心伺服器的風扇輔助氣流環境中發揮高效率的散熱功能。

OptiMOS™ MOSFET 效能進一步證實了 CanPAKTM 的優點，擁有業界最低，全電壓範圍的RDS(on) 及   Qg。低閘電荷 (Qg) 可在快速切換的應用中帶來最低的切換損耗，例如電信應用的隔離型DC／DC轉換器，以及太陽能能源系統中的太陽能微型逆變器與 MPP 追蹤器。英飛凌的 CanPAKTM 產品擁有業界最佳的 RDS(on)，在馬達控制等高電流應用中，展現了最低的功率損耗。這些產品也非常適用於其他工業用途，例如交換式電源供應器 (SMPS) 的同步整流。

目前已提供產品工程樣本，並將於 2011 年 4 月進行生產。OptiMOSTM 60V-150V 採用 CanPAKTM 封裝，可提供 2.8 至 28mOhm 的 RDS(on) 等級。如為少量採購（數量 10k），單位定價為 0.40 美元起。

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Microchip擴充MOSFET驅動器系列產品
提供自2A至4.5A峰值電流輸出的低端驅動元件 擁有關閉模式的輸入控制接腳並搭配常用封裝選項

全球領先的微控制器、類比元件暨快閃技術供應商Microchip Technology宣佈，擴充MOSFET驅動器系列產品。Microchip基於MCP14E3/4/5 4.5A MOSFET低端(low-side)驅動器的成功基礎，推出新款低端MCP14E6/7/8 2A和MCP14E9/10/11 3A驅動器。新款低成本元件系列的額定峰值輸出電流為2A至4.5A，工作電壓範圍寬達4.5V至18V。全新元件具備致能輸入控制接腳(enable input pin)，提供關閉模式以節省功耗。採用8接腳SOIC和8接腳6mm × 5mm DFN封裝。該元件是伺服器、個人電腦和筆記型電腦等消費性電子所採用電源的理想選擇。

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工程人員致力於在成本限制下實現更低功耗、更多功能和更小封裝的設計；而Microchip擴充的MOSFET驅動器系列可以滿足這些需求—全新MCP14E6/7/8內建兩組元件額定峰值輸出電流為2A；而全新MCP14E9/10/11兩組元件的峰值輸出電流為3A。這些驅動器的工作電壓寬達4.5V至18V，允許大範圍的輸入電壓。此外，這些小型封裝的驅動器所佔用的電路板空間很有限，因此可透過縮減電路板尺寸、進一步降低成本。

Microchip類比與介面產品部門行銷副總裁Bryan J. Liddiard表示：「經擴充的Microchip MOSFET驅動器系列協助客戶更靈活地選擇符合其應用需求的產品。」

除此之外，Microchip類比和介面產品部門的資深行銷經理Ray DiSilvestro更補充說：「Microchip透過推出這些新產品，充實其全系列高端和低端驅動器的產品陣容，除了具備0.5A至12A的峰值輸出電流，也同時考慮客戶的需要、以低成本提供所需的封裝。」

封裝和供貨時程

MCP14E3/4/5、MCP14E6/7/8和MCP14E9/10/11 MOSFET驅動器採用8接腳SOIC封裝；除此之外也提供8接腳的6mm × 5mm DFN封裝。

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Diodes新型DFN3020封裝MOSFET節省70%空間


台灣— 5月12日— Diodes公司近日推出了旗下有助於節省空間的DFN3020封裝分立式產品系列中的首批MOSFET。這3款雙重MOSFET組合包含了20V和30V N通道及30V互補性元件。這些雙重DFN3020 MOSFET的電學性能與較大型的SOT23封裝零件一樣，而且一顆新元件就可以取代2顆SOT23封裝的MOSFET，因而能節省70%的電路板空間。

DFN3020 MOSFET的佔位面積只有6平方毫米，較使用SOT23或TSOP-6封裝的面積少了40%，離板高度為0.8毫米，適用於像平板電腦或小筆電 (Netbook) 等空間有限、體積小巧的消費性電子產品中的負載開關或升壓轉換電路。這款互補型DFN3020 MOSFET還可用作半橋 (half bridge) 來驅動工業應用中的馬達負載。

這些MOSFET的結點到環境熱阻 (ROJA) 為83ºC/W，功率耗散可連續保持在2.4W，操作溫度也可低於SOT23封裝的MOSFET，有助於提高可靠性。  

ZXMN2AMC (雙重20V N通道)、ZXMN3AMC (雙重30V N通道) 和ZXMC3AMC (互補性30V) DFN3020封裝的MOSFET現在已上市。

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快捷半導體60V PowerTrench® MOSFET元件滿足設計人員對更低傳導損耗和開關損耗之需求  能夠縮小電源尺寸，提高功率密度，同時提升設計效率


DC-DC電源、馬達控制、熱插拔和負載開關應用，以及伺服器的次級同步整流應用的設計人員，均需要使用具有更低傳導損耗和開關損耗的MOSFET元件，以期提高設計的效率。

為了滿足這一需求，全球領先的高性能電源和可攜式產品供應商快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor®)開發出N通道PowerTrench® MOSFET元件FDMS86500L，該元件之設計可大大減低傳導損耗和開關節點振鈴雜訊(switch node ringing)，同時提升DC-DC轉換器的整體效率。

FDMS86500L是採用業界標準5mm x 6mm Power 56封裝的元件，它結合先進的封裝技術和矽技術，可大幅降低導通阻抗RDS(ON) (2.5mΩ @ VGS = 10V, ID=25A)，帶來更低的傳導損耗。

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此外，FDMS86500L使用遮罩閘極功率MOSFET技術，提供極低的開關損耗 (Qgd 14.6 nC Typ.)，結合該元件的低傳導損耗特點，能夠為設計人員帶來更高的功率密度以應需求。

FDMS86500L MOSFET元件具有更出色的品質因子(RDS(ON) * QG)，提供高效率和低功耗，以期滿足效率標準和法規的要求。

FDMS86500L元件的其他特性包括採用下一代增強型自體二極體 (body diode)技術以提供軟恢復功能；MSL1穩固封裝設計；通過100% UIL測試，同時符合RoHS環保標準。

FDMS86500L是快捷半導體新型60V MOSFET產品系列旗下的首款元件，這些新型 60V MOSFET元件的推出，進一步強化公司中等電壓MOSFET產品系列。快捷半導體公司可提供最廣泛的MOSFET產品系列，讓設計人員能夠選擇多種技術，找到滿足應用需求的合適MOSFET。快捷半導體充分認識到空間有限之應用對更高電流、尺寸更小之DC-DC電源的需求，且瞭解客戶及其所服務的市場，因而能夠提供擁有獨特的功能、製程和創新封裝之客製化組合，為差異化電子產品設計提供解決方案。

價格(訂購1,000個): FDMS86500L 的單價為0.90美元
供貨：現已提供樣品
交貨期：收到訂單後8至10週

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2011/5/18-國內類比IC業界唯一以IDM方式經營的友順科技公司，有鑑於高效能的功率半導體使用的發展迅速，除繼續著力於原有各類的IC研發外，自2006年亦積極投入Power MOSFET的研發及生產。

近年來，市場上對電源相關的半導體元件的高效率化，以及減少零件用量的期待也愈來愈高。Power MOSFET在電源供應裝置中是不可或缺的元件，為符合電子產品追求節能和降低系統功率損耗的需求趨勢，各廠商均不斷研發具備更高的能源轉換效率的產品，以滿足系統高效能、輕量化、小型化及高可靠度的要求，Power MOSFET主要發展趨勢也朝向低導通電阻、高速切換、高效能、高功率及低成本考量。

友順科技目前己擁有規格齊全及各類封裝型態的產品系列，在高壓MOSFET方面，從200V～900V/1A~22A及更高功率產品系列，採用UTC自行開發的DMOS製程，主要適用於電源供應器及機電產品巿場，如電腦、家電產品、事務機、工業用設備、汽車和各式照明設備等一系列交直流電源、交換式電源供應器、充電器、電動車、HID灯、節能灯、LED照明、UPS, 逆變器等，封裝別則包括大功率散熱型的TO-247/TO3P/TO-220F/TO-220等插件式封裝及TO-263/TO-252等SMD封裝等。

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在中低壓產品方面，又分Planar及Trench製程，友順科技己擁有種類眾多的低電壓、低電流系列Trench MOSFET產品，適用於主要採用25V和30V的MOSFET的電腦主機板，以及應用做為DC/DC轉換、充電、負載開關和信號開關功能的消費電子巿場，如LCD TV和遊戲機等；至於中壓產品有60V～200V產品系列，則主要採用Planar製程產品，Trench製程產品亦在發展中，可應用在消費性產品等電子電源、通訊電源系統等，封裝則以SOT-23、SOP-8等小型SMD封裝為主；除全系列Power MOSFET之產品外，UTC也發展類比整合型IC，將PWM Control IC與Power MOSFET整合的Power Management IC，提供高低壓及AC，DC電源管理的Total Solution。

秉持快速因應客戶及巿場的需求的理念，友順公司始終跟隨著終端產品的應用趨勢，持續不斷開發及推出適用不同應用領域的MOSFET產品；近日也再宣佈發行多款具成本效益且低RDS(ON)的產品，包括: UT12NN10是一顆採小型SOP-8封裝的N型雙通道，應用於LED TV及顯示器內部限流保護用產品、UFZ44是N-Channel/60V/50A，功率接近50W，採用TO-220封裝，應用於SMPS、及2-15A/900V的高壓MOSFET…等；另外，近期又再推出齊全的400V產品系列，電流從1A到22A，提供照明及電源巿場客戶更多新的選擇，在在都展現UTC在發展全系列MOSFET產品組合的成果及繼續深耕擴展MOSFET產品的決心。

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台灣— 5月26日— Diodes公司推出採用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET系列。該封裝產品僅佔用0.6 平方毫米的印刷電路板面積，較同類型SOT723封裝零件節省一半以上空間，其節點到環境熱阻 (junction to ambient thermal resistance; Rthja) 為256ºC/W，在持續運作情況下功耗為1.3W，而同類產品的功耗則多出一倍。

因此，該MOSFET能夠以更低溫度運作，並可節省空間，加上離板高度僅為0.4毫米，非常適合用於超薄型可攜式消費電子產品，包括平板電腦及智慧型手機。Diodes 率先提供額定電壓為20V、30V及60V的N通道和P通道設備，這些設備可用於多種可靠性高的負載開關 (load switching)、訊號開關 (signal switching) 及升壓轉換 (boost conversion) 應用中。

例如，一款額定電壓為20V的DMN2300UFB4 N通道MOSFET的導通電阻僅為150mΩ，比競爭對手的解決方案低50%以上，有助於大幅減少傳導損耗和功耗。而20V的DMN2300UFB4 P通道MOSFET也能提供相近的同級領先性能。這兩款MOSFET皆具備較高的靜電放電額定值 (ESD Rating)，分別為2kV和3kV。

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快捷半導體推出Generation II XS™ DrMOS元件採用6mm x 6mm封裝提供高達94%的峰值效率
廣泛的產品系列可讓設計人員根據效率、特性和PWM控制器來選擇合適的元件


高效率、高電流處理能力和小外形尺寸，都是電源設計人員為電壓調節器解決方案選擇元件時的最重要考慮因素。為滿足這一要求，全球領先的高性能電源和可攜式產品供應商快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發出一系列Generation II XS DrMOS [整合式驅動器 + MOSFET]元件，這些元件能夠提供高效率和高功率密度，可讓設計人員滿足不同應用的特定設計需求。

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Generation II XS DrMOS元件採用小型6mm x 6mm高性能clip PQFN封裝，具有較高的系統效率，在12Vin、1Vout和25A條件下，重負載效率達91.5% 以上，峰值效率則超過94%。Generation II XS DrMOS元件可在2MHz開關頻率下運作，同時具有最高50A的電流處理能力。

快捷半導體利用其在MOSFET、閘極驅動器IC和封裝技術方面的技術專長，對Generation II XS DrMOS元件作出最佳化處理，提供更高的效率，並且開發新的功能。這些技術提昇使得Generation II XS DrMOS系列元件成為刀鋒型伺服器、高性能遊戲主機板、高性能筆記型電腦、顯示卡，以及高電流DC-DC負載點(point-of-load)轉換器等應用的理想選擇。

Generation II XS DrMOS系列元件提供5V和.3V三態電壓準位以匹配Intel® 4.0 DrMOS規範，同時與市場上的多種PWM控制器相容。這些元件能夠顯著減少在控制FET和同步FET中使用PowerTrench® MOSFET遮罩閘極技術而產生的振鈴雜訊。同步FET還整合了一個蕭特基二極體，免除外部緩衝器電路，提高整體性能和功率密度，同時減少占位空間和成本。Generation II XS DrMOS元件還可以為客戶加入一項過熱警報功能，可在故障期間防止出現過熱狀况。

Generation II XS DrMOS產品系列能夠滿足不同客戶和應用需求。

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恩智浦半導體NextPower MOSFET以業界最低RDS (on) 全面提升效率
恩智浦NextPower系列新增15款25V和30V高性能N-Channel邏輯電平MOSFET


【台北訊，2011年5月30日】 – 恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.；NASDAQ：NXPI)宣佈其採用LFPAK封裝的NextPower系列25V和30V MOSFET將增添15款新產品並已開始供貨。這些恩智浦功率MOSFET家族的最新成員在六個關鍵參數方面達到最佳平衡點，並具備業界最低的RDS (on) (25V和30V均為sub-1 mΩ型），是高性能、高可靠性開關應用的理想首選。傳統方法主要著眼於降低RDS (on) 和Qg，而恩智浦NextPower則採用超級接面技術使得低RDS (on)、低Qoss、低Qg(tot) 與Qgd之間的平衡達到最佳化，進而達成強大的開關性能，減少漏極輸出與源極引腳之間的損耗，同時提供傑出的SOA性能。此外，恩智浦LFPAK為最堅固的Power-SO8封裝，尺寸精巧，面積僅5mm x 6mm，可在惡劣環境下提供出色的功率開關功能。

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技術聚焦:

·  恩智浦NextPower系列25V和30V MOSFET在六個參數方面展現其優異性能：
低RDS (on) : 具備業界最低RDS(on)的Power-SO8封裝產品 ，在SYNC FET或功率OR-ing應用下具有低I2R損耗、傑出性能等特點
低Qoss，有利於減少漏極與源極引腳間的損耗，當輸出引腳上出現電壓變化時，亦可降低輸出電容 (Coss) 中的損耗能量
低Miller電荷 (Qgd)，有利於減少開關損耗和高頻開關次數
SOA具備絕佳性能可承受超載和故障條件
低柵極電荷 (Qg) 可以減少柵極驅動電路中的損耗
出色的額定接點溫度Tj(max)，堅固的Power-SO8 LFPAK封裝為條件惡劣且需要高度可靠性的環境提供保障

·  主要應用領域包括同步降壓穩壓器、DC-DC轉換、穩壓器模組和功率OR-ing

相關引述:

恩智浦半導體功率MOSFET行銷經理Charles Limonard表示：「在25V和30V條件下達成業界最低的RDS (on)，這僅僅是其傑出性能的其中之一。最新NextPower元件的重大突破在於我們可控制MOSFET在各個方面的表現，超越導通電阻和柵極電荷，為開關應用帶來高性能、高可靠性和最大功效。」

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提高同步整流應用的系統效率和功率密度 相較於先前的解決方案，品質因子提升多達 66%

高效AC-DC轉換器等應用的設計人員需要提升系統效率，同時還要將元件數目減到最少，因而構建具備快速開關速度、更高效率和功率密度的現代功率系統便是一非常重要的因素。

為了幫助設計人員因應此一挑戰，全球領先的高性能電源和可攜式產品供應商快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor) 為PowerTrench® MOSFET系列中的100V和150V 元件增添工業類型的封裝選擇，其中包括TO-220、D2PAK、TO247、I2PAK、TO220 Full Pack和D2PAK-7L。

上述元件屬於中等電壓範圍功率MOSFET產品系列的成員，是優化的功率開關產品，它們結合了低閘極電荷(QG)、低反向恢復電荷(Qrr)和軟反向恢復寄生二極體，可在AC-DC電源中提供同步整流功能的快速轉換。

MOSFET產品系列的一部分，這些元件能夠滿足現今電子產品的電氣和散熱性能要求，在提高能源效率方面扮演著重要的角色。

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這些元件採用具有電荷平衡功能的遮罩閘極結構，使用這項技術，其品質因子(QG x RDS(ON))較先前之解決方案降低達66%，為包含同步整流、微型太陽能逆變器和離線型UPS系統之應用，以及電訊電源分配PDU/BFU單元等產品之設計人員提供高效率的解決方案。

新產品採用低反向恢復電荷和軟反向恢復寄生二極體，可以減少系統中的電壓尖波或振盪，省去緩衝器電路，或替代額定電壓較高的MOSFET元件，有助於提升效率，並且降低設計的材料清單成本。

第一批採用工業類型封裝的元件有FDP083N15A_F102、FDB082N15A和 FDP036N10A N通道PowerTrench MOSFET元件，如同PowerTrench MOSFET系列中的所有元件一樣，這些產品具有快速開關特性和低閘極電荷，同時採用高性能技術以提供極低的RDS(ON)。此外，該系列元件採用符合RoHS標準的無鹵素和無鉛封裝，能夠滿足環保法規的要求。

新增的PowerTrench MOSFET元件擴充了快捷半導體中等電壓範圍MOSFET產品的陣容，是全面廣泛的PowerTrench

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快捷半導體功率級非對稱雙MOSFET元件滿足電源設計人員對高功率密度和簡易設計之要求
新模組產品具有市面上所有5mm×6mm雙MOSFET解決方案的最大輸出電流


電源工程師一直面對縮小應用空間和提高功率密度的兩個主要挑戰，而在筆記型電腦、負載點(point-of-load)、伺服器、遊戲和電訊應用中，上述兩點尤其重要。為了協助設計人員面對這些挑戰，全球領先的高性能電源和可攜式產品供應商快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發出FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET模組。

FDMS36xxS系列元件在PQFN封裝中結合控制和同步MOSFET，以及一個單晶片內含蕭特基寄生二極體。這些元件的開關節點已於內部連接，能夠輕易進行同步降壓轉換器的佈局和佈線。控制MOSFET(Q1)和同步MOSFET(SyncFET™)(Q2) 專門為高達30A的輸出電流而設計，可提供最佳的效率。FDMS36xxS系列將上述元件整合在一個模組中，可為代兩個或更多的5mm x 6mm PQFN、S08和DPAK封裝，可有效節省線路板空間。