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[問題求助] 请问在mim电容下放器件需要注意哪些呢?

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1#
發表於 2010-5-21 15:14:34 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
我准备用smic.18 1p6m rf工艺,需要在mim电容下面放器件来节省面积,有这么做过的大大讲下需要注意哪方面呢?谢谢
8 W9 t! s+ i" C比如电容匹配性影响,寄生电容影响等,如何精确计算评估这些寄生影响,及后仿如何提取出这些参数影响呢。
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2#
發表於 2010-6-2 11:39:19 | 只看該作者
MIM底下最常放的東西是邏輯
# d) {9 M# ]" a. a, H- b但是也要RD同意
9 e5 @9 L' e& X5 x2 p. _0 W" F3 D至於寄生電容收抽POSTSIM就知道啦1 u2 f2 |' p3 _, g. g9 m- L
如果是很重要的電容要做match! Q* r% `0 M+ H, j8 F) u
那當然不能放啦
0 D( }3 g# t+ d; a要放也要RD同意
3#
 樓主| 發表於 2010-6-11 10:46:50 | 只看該作者
谢谢,仔细看了design rule,规定下面不能放任何有源和无源器件。
4#
發表於 2010-7-10 14:02:30 | 只看該作者
谢谢,仔细看了design rule,规定下面不能放任何有源和无源器件。- f$ h& _3 q8 B' @2 F2 s* l1 h
scy8080 發表於 2010-6-11 10:46 AM
* Q3 S2 j4 c6 }2 G, u  T" q

  {" ?/ J7 a: L% s2 n' p- JFoundry的rule是为了保证MIM电容的可靠性和精度,实际上,我们在下面做过期间,不过我们的MIM电容和下面的MOS电容都是加在电源和地之间,起decoupling作用,是在HHNEC 0.13um工艺上实现的。
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