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[問題求助] Al process 和Cu process的比较请教

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1#
發表於 2010-4-23 15:08:17 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
在Al 工艺中一般都没有max metal density 的要求,而且max metal width的要求也比较宽松;( s8 m0 }: N( L
而在Cu工艺中一般都会有max metal density 的要求(比如80%),而且max metal width 也会比较严格一些.
7 e9 _8 T$ Y8 l" Z这个在工艺上是怎么考虑的???
% ~5 Q, X& I3 i8 ?* I7 W
- X; l. s* M% b* q( C以上,谢谢.请求高手指点...
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2#
 樓主| 發表於 2010-4-27 14:59:13 | 只看該作者
没人懂吗?呵呵.自己做沙发啦!!!
3#
發表於 2010-4-28 19:47:14 | 只看該作者
Cu製程的CMP,  對Metal density的要求比Al高# f- P! ^4 ^: _0 y% L
因為怕會有dishing的問題.
4#
發表於 2010-4-29 21:45:49 | 只看該作者
我没有用过CU工艺,我有些不理解关于max metal density
, y5 g5 j2 i. I* a0 r. I1 J- U: h2 i
我们平时只关注AL的min metal density。。。。我理解对于越高的metal density平坦度越高啊。。。请教怎么考虑的。。。。什么是dishing。。。
5#
發表於 2010-4-29 22:04:21 | 只看該作者
如果超过mux density的话会出现怎么样的问题。dishing是什么情况
6#
發表於 2010-5-18 14:42:45 | 只看該作者
max metal density 怕根本無法蝕刻下去$ t) r2 ^$ ~6 n/ k
單位濃度不夠
7#
發表於 2010-5-18 20:24:55 | 只看該作者
因為蝕刻液灑在Wafer是固定的,所以min/max density就需要定義,避免尺寸變形。
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