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[問題求助] nmos ldo

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1#
發表於 2010-1-6 15:42:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式

4 T! J, t: ~4 f; T3 G4 \1 h! L# A3 Q请问 s3 s4是如何实现的?具体的工作过程是什么样的 比如说C1是如何完成充电,C2是如何连在gate上的
+ Z. m3 P0 R* Q6 E# P1 ]* ?谢谢!

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2#
 樓主| 發表於 2010-1-8 09:44:26 | 只看該作者
顶起来 为什么没有人回答我的问题呢
3#
發表於 2010-1-11 17:18:13 | 只看該作者
這是switch電路吧....因為你什麼都沒說...在說從電路上只能把mos當開關...一般人不容易看的出是做什麼的...5 w, l; J$ l! C& [$ v
那個c1 c2是clock booster(沒拼錯字的話)...那要把你看的paper跟圖的出處在看清處一點...你那個電路至少有2個電路組成..不包括時脈增幅器....
4#
發表於 2010-1-12 09:32:39 | 只看該作者
楼主要做多少倍的charge pump啊?
5#
發表於 2010-3-24 19:07:13 | 只看該作者
s3 s4 是接成diode,  利用順向通反向不通的原理等效成switch" V, P, R1 A, t6 z  p
請參考dickson charge pump~
& y5 X  F, `/ X) ]目前右圖的接法等效於左圖, 簡單推一下就知道怎麼動了!!
6#
發表於 2010-8-2 12:50:02 | 只看該作者
采用switch结构的LDO的好处在哪里、
7#
發表於 2010-8-6 16:48:35 | 只看該作者
猜測是為了增加output 電壓的level ( }( S; Z) h$ i+ Z4 j3 T
Vout會被卡在 Vgate-Vth
- X2 O, z( E, T" A/ Z" x2 X而Vgate 的極限通常會是被內部Vdd限住(5V, 3.3V...etc)
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