pn junction的esd如何畫比較好？

gyamwoo

我在課本中和同學有提到在訊號線上用兩個逆偏的diode可以當作esd的簡單的裝置。而且在layout中
也可以解 anttena rule的錯誤。其電路圖如下：

# o0 A$ G9 T# y& Z! \! C而我畫的layout圖如下：


1 ~! b4 l) n2 B6 I我現在有個疑問。因為這個不是lvs會被認成二極體的，所以rcx抽出的postsim應該不會有這些diode。
  U# s1 ^: O: q) A! t' y我是想要知道在台積電的0.18um cmos製程中。這樣的pn接面其特性是如何？
1.pn接面導通的電位多大？跟pn接面的面積有沒有關係
2.導通電流多大？跟pn接面的面積有沒有關係
8 a1 U% z% H; Z2 s3.逆偏崩潰電壓多大？跟pn接面的面積有沒有關係
  ^4 I4 `" z7 d' a9 ^
( ?8 j5 A2 b" K拜託有人能給我一點指引，謝謝。

gyamwoo

補上
電路圖的連結：

0 R& {( z' t3 K. Elayout 圖的連結：
; p2 n, S% B3 b; a- X" o

CHIP321

3 w0 E, c! e- z; t
5 F& x. t+ T+ M5 B% R  [通常我们IO的ESD会选用fab提供的结构，尤其是数字部分，diode做ESD在效率上没有GGNMOS或者SCR结构高，
通常会用在两个需要做简单隔离的 地或者电源 之间才会采用这样的结构，
6 R$ \$ s5 y* ?击穿电压与面积无关，只与PN注入浓度相关，但是小尺寸，导通内阻大，能量耗散面积小，结构比较脆弱。
具体VBR值手册会给出的，电流就很难说了，要参考HBM 模型来仿。
两个管子size有同PAD面积一样的差不多应该可以zap到2k，cont的接触尽量均匀一致，可以参考ESD Circuits and devices - Steven H.Voldman

iamif520

怎麼都看不到圖片呢?
) R3 C7 C5 m* i, u* f2 ?( t* z是沒回應嗎XD

ritafung

diode 是需要power clamp來配合的.而power clamp可以是GGNMOS, SCR, RCGTNMOS等.
! S! y2 l! r$ q* Ddiode 的好處是面積少,對fine pitch的pad來說是非常好用的. 但是我們要注意diode 跟clamp的距離不能太遠!
" O" Q' I( x* P/ cdiode 的通電能力是跟周界有關係的.而diode 的area是跟電容有關係的.所以,如果要針對high speed 的digital pin,diode 確實是很好的方案!

但你要千萬記得diode是不能單獨使用的,它的reverse breakdown 是非常差的!