關於HSpice模擬問題

syot

請問一下:
) \1 P% G4 C1 s7 G目前我使用TSMC 0.35mm MIXED MODE (2P4M,3.3V/5V) POLYCIDE 製程
  \' u1 f, A; ~9 k+ `1 N我做了一個雙電源的OP
原本電源是給予+ - 1.5 V的電壓
8 q' |  P- C1 n$ {7 A不過我在輸出級加了一個push-pull source follower的output buffer來降低輸出阻抗
7 b, z. N  S& J但這樣使得輸出擺幅降低了不少!!
2 O# J( Q- U' p/ V! g3 _4 t因此,我打算把電源增加到+ - 2.5 V來使輸出擺幅加大
不過在模擬的時候是要模擬.lib 'xxx.l' TT
4 o  w: ?8 m" M' o- l# I0 G4 @' O還是TT_5V這個!!
兩種模擬出來的結果差滿多的@@
這邊我不是很清楚

感謝!!

Malong

你敘述的TT和TT_5V是二個不同的Device，
& T, ~, I* ~8 t. b0 z. A7 ?一個是3.3V的元件，另一個是5V的
" r1 w* X- t& k+ x8 ~3 @+ U請考量你的所需，選擇適合你要的Device
0 M1 W3 p/ [. I! G另外，也請參考技術手冊的資料，相信對你會有幫助的。

syot

TT和TT_5V是二個不同的Device
6 u) L3 F. j( `9 a+ v7 H
( l: a* w" ]. m9 C再請問一下:
9 G- V4 v7 B- P! o" H我知道TT跟TT_5V是不同的device model
那它們在佈局上的結構有不同嗎??
我想問的是如果我power用+ - 2.5V
. w* X# n0 A" V8 X% Q% v3 U但model用TT(3.3V)來模擬
& D% x: s  h, M  {" C& Q8 @那結果是正確的嗎??
* j. @1 e6 Z: B, `換句話說
3 Z4 t7 }8 `: v3 u; q; P+ |我device用TT(3.3V)
而OP的power用+ - 2.5V
這樣電路運作上會有問題嗎??
/ v. h4 i, s: K4 P/ Z
8 K4 ~; o6 l7 X$ m/ n9 M感謝回答!!

小美

TT_5V 的話 你所使用的MODEL也會不一樣喔

例如原本使用3.3V會是PCH 改成5V的話會變成PCH5等等
' B! f, E" p+ E7 P' i, i! E6 }; N, h- @
另外你電壓加高 原本的VOV也都會變動了 不一樣的結果是很正常的
! S4 q; r" |  K) Q! V  A
你要增加輸出擺幅的話應該考慮輸出級的VOV值是否太大

( o5 }. Y8 |- G0 U: `或是採用rail to rail的形式去設計你的OP
1 Q) z$ t8 {" Q  ^
不然你增加最高電壓造成功率消耗增加是很不划算的

以上是小弟的一些潛見  有誤的話煩請高少指教解說囉

Malong

3.3V和5V MOS在佈局上一定有不同
* b# H( F1 p0 C% ]6 t9 ?2 ~但小弟許久沒接觸TSMC 0.35um的製程了
我也不知道他二者的差異在哪。
6 X1 _! `. z; }+ m
關於你說用3.3V的device來做power 為+- 2.5V的OP
9 @0 p( _5 v) t* o. w# ~這方面我覺得有所不妥，但要看你電路的架構為何，output Swing的需求
4 k8 i" v% Z/ m  W( e3 F  N: i# J因為用電路的方式偷耐壓也是有的，而且3.3V的元件加5V也不見得會損壞。