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5Chipcoin
小弟最近在做RC振盪器,頻率1M
; w# L+ B5 p+ s% M由於對溫漂有所要求,大概±200~300ppm/℃,因此問題比較棘手" N2 _, v4 v) R) H
電路基本原理就是用Iref =Vref/R+電容+滯回比較器,f=K/RC# a! _ u* q! Y, N
由於沒有低溫漂電阻因此甚為焦慮) J. {7 B% G7 _8 P
同事的建議是用正溫度係數的Vref+正溫度係數的R產生Iref,但是有種被晃點的感覺
- ?. x; b& _' g) O一是電路複雜,二是trim起來的時候也比較麻煩( t0 ]1 }) R, X0 Z
溫度係數較小的電阻有
$ S" _& c5 x# _% D% Nrhrpo -0.847e-3
" I8 ]$ t- x0 i8 |4 L0 Hrpdif 1.44e-3
+ f- [3 u5 H- Xrndif 1.6e-3
% H- v7 r0 m+ [: n% U! e現在設想使用正溫係數的rndif串聯負溫係數的rhrpo以獲得更低的溫度係數
6 R8 o, N( d; T, T只要fast rndif + slow rhrpo和slow rndif + fast rhrpo4 j& v/ e9 j( z9 y* T
兩種情況的溫度係數滿足設計要求即可, m+ e2 `3 \; u+ V+ j) u( V4 r
不過其中有個疑問電阻的溫度係數會不會漂呢2 d4 ~! f) b6 |, A: h
以上是我的設想
* ?& ]! e' O4 I- {# R" |不知道這種方法是否可行
; C! s8 j' i2 b; }8 ?或許各位大大還有更好的建議0 l m6 q) y0 A8 h4 x7 k& V
小弟想在此認真聆聽* P& r' | e$ _; X# L- z
謝謝 |
最佳答案
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你的問題. 下面給您參考.
1> 除了溫漂. VDD 也有 spec ㄛ. 所以你的 VDD 最好是由 LDO regulator 來提供.
2> 溫漂. 那就是 Vbgr + Ictat 囉. 附上一篇 paper. 希望你有時間看.
3> 重點是你的 process variation trimming range. 從 2.5% ~ 40%. 夠你忙的囉.
先看看!!!
再討論.
共勉.!!
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