请问在mim电容下放器件需要注意哪些呢？thanks

viag

我准备用smic .13或tsmc.18 1p6m rf工艺，
需要在mim电容下面放器件来节省面积，
9 Y: d, l( T$ A4 v! `9 z有这么做过的大大讲下需要注意哪方面呢？
! j4 B# {5 `* u* [1 H" A0 x/ K( D谢谢

lynker

几层金属的工艺呢？如果金属层够多的话（5M，6M），建议在电容和底层器件之间加层GND的金属进行隔离，然后下面放器件这样屏蔽比较好。但是注意器件和屏蔽层的寄生电容。
如果没那么多金属层，不能屏蔽的话，电容下面放电阻，问题应该不大。
! P$ _8 m8 [, d# e5 h2 z1 i! L电容下面要是直接放置管子的话，可能要具体问题具体分析了。看楼下的大大们的建议了，我也只知道这些。

corsair

其實以MIM cap來說
正常是用到最上面兩層（ex.1p5m 用m4, m5)
所以基本上寄生電容已經很小了
: w4 N0 c- n# h) S當然如果能做shielding更好

viag

哦。现在改用1P8M了，我准备在5M,6M加两层金属地屏蔽，
7 N4 M) }# j  ^/ D, `0 l我下面准备放置管子，及电阻，
4 q. p* _# C8 n1 Z9 J( A用软件提取参数仿真时不知道可不可以提取出方面参数的影响？