BJT 架構的 Bandgap，最低電流消耗可壓到多少？

shaq

Dear all,

我想作一個 BJT 架構的 Bandgap，不知道哪種架構可將電流消耗壓到 1uA @ VDD=3.0V 以下？
) w6 _6 Y, _+ g$ \5 u
Vref 不一定要小於 1.25.  VDD最低工作電壓在 2V

PSRR 暫不要求。

8 ?4 j, {# ^& Q有人可指點一二嗎？

, U% I4 D# N2 w8 L# n[ 本帖最後由 shaq 於 2009-4-9 05:38 PM 編輯 ]

donlion

subthreshold还行，bjt够戗。。。。。。。。。。。。。。。。

yalon

用一般的架構都可以ㄚ....
op type or current-mirro type. 1u ok ㄚ~~小弟有試過ㄛ.
: f+ W3 t2 S, E- G
只是 silicon 上 跟 hspice simulation 會有比一般 20ua, 電路有較大的誤差.

* _( Z, [# m; A3 c建議你花多一點時間在 post-sim 跟  device size match , optimization 上.
1 P0 p8 x* e, [) l& N因為低電流, 相對"抗噪性" 便會變差.
' R9 d" q2 T$ e2 _
5 ]# H$ g, E! t例如: hspice 告訴你 vbg 1mv/ppm.
9 }6 S8 n* P, e- |" t' p但wafer 會給你 30mv/ppm. ------ 別意外ㄛ.

共勉.  
$ {% s2 `8 u& y8 N0 w解釋如有不當  願請賜教   感恩ㄛ

Mr_Adams

1u 的話，bjt會不會 beta roll off了。。。

finster

我是沒有設計過那麼低的
; s1 R; c3 F, B- b3 e) N不過,我同事倒是有試過,基本上如yalon會員所述,採用那一種架構其實都可以作到低於1uA的規格
8 y2 T3 c, i1 Q' A; H" O只不過,面積會比平常的大很多,所採用的size也都會是long channel的形式
4 M; q+ `( H3 O6 e! q尤其是電阻部份,會比平常的大至2~6倍左右不等
# k& ?: M/ ?. n3 \9 y0 U0 ]因為想壓低電流消耗,必需把各個分支電流給降到最小,故而電阻的阻值也就必需相對增大不少,故而面積部份會相對變大很多
這是相對所必需付出的代價
4 O0 r; C1 x9 ]$ W* x- \另外,若採用op架構形式的bandgap reference circuit,其op的頻率響應速度也會因為要壓低電流消耗而必需降到很慢,這是相對的限制,故而在設計時需留意此一缺點(條件限制)

122013137

bjt會不會 beta roll off了，，，，，，，，，，，，，

hi.china59

Please visit the following website, for more detailed information
/ o6 w& P& `* ]: g& Q7 s0 Jhttp://www.eetop.cn/bbs/thread-189570-1-1.html

semico_ljj

2uA可以实现！

semico_ljj

1uA   bjt的beda会不太准

yuyingdugu

2uA可以实现！
semico_ljj 發表於 2009-10-4 10:47 AM

+ v0 k: Q$ \1 l! q* m6 I

; e1 d8 D0 N! L* F% D9 }7 `    2uA，电阻要做到很大，不知道工业上能否使用？

semico_ljj

不知道为什么要这么小，电阻很难做的啊面积太大了！5uA～8uA还是比较常见靠谱的！