新日本無線推出低雜訊放大器GaAs MMIC

小朱仔

新日本無線(New Japan Radio)公司針對採用CMOS RF IC的800MHzCDMA手機，研發出一款具有旁通電路的低雜訊放大器砷化鎵微波單晶積體電路(GaAs MMIC) NJG1127HB6。

NJG1127HB6由低雜訊放大器、旁通電路、控制用邏輯電路等構成，可實現高增益模式時IIP3=+8dBm min. @ f=880MHz的低失真特性，以便於訊號接收電路設計。此外，該放大器內建保護元件，實現了人體靜電模型法(HBM)1000V以上的高靜電放電(ESD)耐壓性能。

由於強電場輸入時不需要使用放大器對RF訊號進行增幅，NJG1127HB6在內建不通過低雜訊放大器的旁通電路同時，也使內建低雜訊放大器處於待機狀態，實現典型值15μA的低消耗電流(低增益模式)。電場輸入處於通常狀態時，通過內建低雜訊放大器對RF訊號進行增幅(高增益模式)。對於高、低增益模式的切換時，利用微處理器即可通過控制邏輯電路以1位元控制訊號進行切換。

4 Q$ _) V5 x- Z! E5 q新日本無線公司現可提供NJG1127HB6樣品，今年1月正式投產。