東芝公司將在2007日本高新科技聯展上展出新款"SpursEngine”處理器樣品

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——處理器採用Cell/B.E.（TM）技術，將被用於視頻處理——

: H( Z4 [! t5 v7 @美國商業資訊2007年9月20日東京消息——東芝公司（Toshiba Corporation）今天宣佈開發一款高性能的流處理器“SpursEngine（TM）”，該處理器集成了源自Cell Broadband Engine（TM）（Cell/B.E.（TM））的協處理單元（SPE）核心。SpursEngine專用於為消費電子設備引入Cell/B.E.技術的強大性能，並將數位消費產品中視頻處理的真實感及圖像品質提升到新的水準。

! H9 T- T" t7 O4 ?' d$ VSpursEngine的樣品將於10月2日在日本幕張國際展覽中心舉辦的2007日本高新科技聯展上展出。集成了SpursEngine的筆記本個人電腦將用於在全球首次公開展示3D圖像處理和操作領域的處理器性能：髮型及化妝的即時變換，可即時地識別並處理位置、角度以及面部表情的變化，同時將它們構建成電腦圖形。東芝公司還計畫展出集成了SpursEngine的概念筆記本個人電腦。

SpursEngine是一款與主機CPU協同工作的輔助運算器，融合了Cell/B.E.的高性能多核心技術以及東芝公司先進的圖像處理技術，並按照新一代數位消費產品的需求以日趨尖端的水準對視頻原始資料進行流處理——圖像識別以及處理。

" J! g2 W$ j2 [5 K該新款輔助運算器集成了四個Cell/B.E.的高性能RISC核心協處理單元，這一數目是完整配置的一半。同時該輔助運算器還集成了對MPEG-2和H.264視頻進行編解碼的專用硬體。SpursEngine將協處理單元的高級即時處理軟體同硬體視頻編解碼器相結合，在處理靈活性以及低能耗之間的實現了最佳的平衡。SpursEngine樣品的工作時鐘頻率為1.5GHz，能耗在10至20瓦之間。

* w( V% k* A4 E4 ~8 }8 mSpursEngine還採用XDR（TM）動態隨機存取記憶體作為工作記憶體，支援大容量媒體資料的高速率傳輸。日本高新科技聯展之後，SpursEngine商業生產的設計說明書一完成，東芝公司將針對不同數位消費產品中的應用，以及用戶和東芝公司自身的使用向市場推出SpursEngine。
9 L" p" L) J* Q8 w; O" ?, C/ D
; A9 p# D4 m8 w# |$ ]. g( u關於Cell Broadband Engine
/ U8 _6 a+ L" W具有革命意義的Cell/B.E.由IBM、索尼集團以及東芝公司聯合開發，是一項突破性的設計，其特點是一款基於IBM Power Architecture技術的中央處理核心以及八個協處理單元（SPE）。Cell/B.E.為數位產品帶來了前所未有的寬頻處理功能。

關於協處理單元
協處理單元是具有原始指令集體系的處理器核心，可進行高性能的浮點運算，實現對多種媒體應用的最優化處理。
+ J( v' _+ G" M' M) y2 s
- C- K: H0 x' Q. ^樣品簡介
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; F- [% R- i# z0 z# {; b處理器                 四個協處理單元
  a% ~7 d2 S) }( Z1 M----------------------------------------------------------------------
2 r5 H2 ~0 p, X+ k協處理單元             全面相容Cell/B.E.（SIMD RISC處理器架構，8/16/32比特整
                       數，單/雙精度浮點數）的SPU指令集體系，256KB本地記憶體，嵌
5 A* B- |+ ^' Q& |6 U2 m                       入式DMA控制器功能/記憶體管理單元功能
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記憶體介面               工作記憶體（XDR（TM）動態隨機存取記憶體），32比特資料寬度
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7 y) Q( G3 d+ h) @% d; W, {" ?硬體視頻編解碼器       （1）全面相容HD的MPEG-2編碼器和解碼器
% Z1 {9 t9 S  b' k" ~/ w2 Y5 L% {  a2 [                       （2）全面相容HD的H.264編碼器和解碼器
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PCI Express介面×4，×2，×1連接支援
8 E6 ]4 `5 F" e* f9 q, }$ I% u; U8 A                       相容PCI Express（TM）基礎
- E$ r8 [! ?! N. V/ ~0 @9 z$ _3 g                       規格1.1修正版
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6 k# b1 C% X' U  F, |* i& j% Y1 S1.      XDR（TM）是Rambus Inc.在美國以及其他國家的商標。
2.      SpursEngine及其標識是東芝公司的商標。
3.      Cell Broadband Engine以及Cell/B.E.是索尼電腦娛樂公司（Sony Computer Entertainment Inc.）的商標。

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東京--（美國商業資訊）--東芝公司（Toshiba Corporation）（TOKYO：6502）今天宣布將推出全球資料寫入速度最快的新系列SD記憶卡。
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2 `7 e  x; ]4 c# _東芝EXCERIA記憶卡系列中的最新產品EXCERIA PRO™1和EXCERIA™1旨在為高階數位相機用戶帶來超凡體驗，它們將於10月份首先在日本市場推出，然後在全球各主要市場上市。

符合UHS-II標準的EXCERIA卡分為兩個系列，其中EXCERIA PRO系列將為攝影師提供240MB/秒2的全球最快3資料寫入速度，而EXCERIA系列的寫入速度則為120MB/秒。它們將讓數位相機用戶能夠以高速連續拍攝靜態影像。

) {1 M7 ]" M$ }這些記憶卡在EXCERIA系列中率先整合新開發的符合UHS-II4標準的控制器。UHS-II是SD記憶卡標準版本4.10中所定義的超高速串列匯流排界面。另外，這些卡的資料傳輸速度要明顯快於先前符合UHS-I標準的卡5。

儘管數位相機在影像品質和功能性方面已經取得了長足進步，但是使用者長期以來一直希望資料傳輸速度和寫入時間方面能有所改進，以便能夠快速連拍照片。隨著高性能數位單眼相機和無反光鏡可交換鏡頭相機得以普及並步入主流，這項需求日漸強勁。高解析度影像記錄（包括4K2K視訊）的進一步發展也將推動市場對高速傳輸資料豐富的影像的需求。

' k1 |# h2 U7 Q展望未來，作為NAND快閃記憶體業務領域的全球領導者，東芝將透過提升其符合UHS-II標準的SD記憶卡系列繼續滿足市場需求。

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東芝推出支援PCI Express 3.0 (8Gbps)的新匯流排開關積體電路 透過降低開關終端電容實現10GHz的高頻寬

(20121226 18:26:46)東芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO: 6502)今天宣布，該公司將推出支援PCI Express 3.0 (8Gbps)的雙通道單刀雙擲(SPDT)開關。新產品TC7PCI3412MT和TC7PCI3415MT可降低開關終端電容，可在-3dB時實現10GHz的高頻寬特性，進而以低信號衰減實現高速傳輸。
+ Z; A) C* U/ L5 p5 ?! p' A1 ?. X
! z) _" Z& H8 P: `新的SPDT開關針對PCI Express插槽、連接器以及桌上型電腦和筆記型電腦主機板上的開關等所有裝置進行了組態最佳化。另外，它們還可用於USB3.0、DisplayPort1.2和SATA3.0等高速差分線。
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新產品現已推出樣品，並計畫於明年1月底開始量產。

應用
  {$ Q6 v2 R3 z5 z
8 b* O2 k. e6 g主機板（桌上型電腦）、筆記型電腦、伺服器
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) y8 A; Q* z  M3 R主要特性

  [0 B! L3 d6 A" G9 ?( ]1. 工作電壓：VCC=3.0V - 3.6V
1 y- ?5 Z+ T' x6 Y2. 寬泛的-3dB頻寬：10GHz（標準值）@VCC=3.3V
3. 低插入損耗：IL=-1dB @VCC=3.3V，f=4GHz
4. 低開關終端導通電容：CI/O=1.5pF（標準值）@VCC=3.3V
5. 標準封裝TQFN42 (9.0x3.5x0.55mm)

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用於半導體測試儀和測量設備的高壓和高電流產品

(20121214 14:30:34)東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO: 6502)宣布其超小USOP封裝光控繼電器產品系列再添新品，即高壓、高電流的TLP3306。這款新型光控繼電器不僅適用於廣泛的高壓半導體測試儀，尤其是專門要求高壓特性的SoC測試儀，而且是適用於其他一些包括電池和電源控制等應用的上佳候選。

- e$ Y) z- y' @# }) r9 ^9 ?8 d應用範圍
1. 半導體測試儀
: g; x/ U9 e/ D/ E) _: C. Q2. 測量設備

主要特點
! A( J) p5 M8 w$ A* X1. 超小USOP4封裝(3.25 x 2.20 x 1.65 mm)
2. 可由75V電壓，400mA電流驅動

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(20081218 17:28:06)東芝公司（東京證券交易所：6502）今天宣佈與NEC公司共同開發採用45奈米工藝技術的40奈米CMOS平台技術。新平台用於生產系統晶片以滿足功率關鍵型的行動應用，它消耗的功率不到65奈米大型積體電路的一半。該公司還宣佈，預計將於2008年第四季部署該技術用於樣品生產，2009年第二季進行量產。這種新平台是今天在加州舊金山舉行的國際電子元件會議（IEDM）上推出的。
4 ]# K) k7 }+ w* o8 V% h% _
+ m5 g. |, l4 F0 V! K: b' {1 R* g0 a先進的行動應用需要更小的晶片尺寸和更低的功耗。雖然工藝升級是滿足需求的一個解決方案，但是，縮短溝道長度往往造成漏電流。減少功耗和晶片尺寸均需要控制溝道雜質濃度和細化佈局設計。

& G( q3 y# _4 q. \3 n: `0 k透過使用閃光燈退火（flash lamp anneal），最佳化離子注入過程中的雜質，並應用含鉿絕緣體和DFM（製造性設計）技術，東芝公司已開發出並應用新的平台技術實現新的啟動序列。雙重閃光燈退火工藝提高了PMOS和NMOS性能。在注入過程中給鍺摻雜氮離子能儘量減少溝道區的雜質濃度，有助於提高電晶體的性能。含鉿絕緣體增加了閾值電壓，且使得溝道雜質的濃度不會過高，從而改善了驅動電流。DFM技術的應用大幅縮小了線路尺寸，同時減少了刻蝕缺陷。

& G* e/ k6 o8 e  }) m8 a, q$ ~東芝公司將進一步加強低功耗技術的開發，以滿足更先進的次世代產品需求。

chip123

(20081218 14:23:48)株式會社東芝（東京證券交易所：6502）、IBM公司（紐約證券交易所：IBM）和AMD公司（紐約證券交易所：AMD）今天宣佈，三方採用鰭片場效應電晶體（FinFET）共同開發了一種靜態隨機存取記憶體（SRAM）單元，其面積僅為0.128平方微米（μm2），是世界上最小的實用SRAM單元。

' o9 U+ v- c; d該儲存單元採用高介電層/金屬閘極（high-k/metal gate，簡稱HKMG）材料開發，為今後幾代新技術帶來了優於平面場效應電晶體（FET）單元的技術優勢。SRAM單元是微處理器等大多數系統級大型積體電路的電路元件。更小的SRAM單元面積有助於縮小處理器的尺寸，提高其處理速度，減少處理器的功耗。這項技術是12月16日在加州舊金山2008年國際電子元件會議（http://www.his.com/~iedm/general/）上，以一篇技術論文的形式公佈的。
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使用傳統的平面電晶體來建構SRAM單元時，為了縮小電晶體的尺寸，積體電路製造商通常在元件區域添加更多雜質以調整其特性。但是，這樣的調整會帶來人們不希望看到的變異，破壞SRAM的穩定性。這一問題越來越重要了，在22nm及更先進的技術節點水準下問題更為突出。採用FinFET（垂直電晶體加鰭片狀無摻雜矽通道），可另闢蹊徑，縮小SRAM單元的尺寸，減少特性變異。
! s5 q1 S$ I, n
, m+ D) L5 j( S# l9 o" }三家公司的研究人員使用高介電層/金屬閘極材料製成了一個大規模FinFET SRAM單元。這是迄今為止最小的非平面FET SRAM單元，面積僅有0.128μm2；與之前報導的0.274μm2非平面FET單元相比，該整合單元面積縮小超過50%。為了達到這個目標，開發團隊最佳化了工藝，特別是使材料（包括高介電層/金屬閘極）在非平面FinFET結構的垂直邊面沉積的工藝和後續的清洗工藝。

研究人員還研究了這種大規模SRAM單元之中FinFET特性的隨機變異情況，並在更小的單元尺寸條件下，模擬了SRAM單元的變異。他們證實，通道無摻雜的FinFET能使電晶體特性變異的情況減少28%以上。模擬0.063μm2（相當於或超過22nm技術節點的單元規模水準）SRAM單元的結果證明，這種FinFET SRAM單元被視為在穩定執行方面帶來明顯優於這一代平面FET SRAM單元的優勢。

三家公司成功採用高介電層/金屬閘極製成了大規模FinFET SRAM單元，使FinFET成為針對22nm乃至更高水準技術節點的一種極具吸引力的電晶體結構。這項新技術是向功能更強大的實用元件所邁出的一大步。

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滿足隨身媒體播放器、攝影機和超行動PC應用需求

! s6 A0 v' ]# s5 |  o" x/ Z美國商業資訊2008年9月9日東京報導——小型硬碟（HDD）的先驅東芝公司今天宣佈世界上首款雙盤240GB（a）的硬碟（MK2431GAH）。新硬碟具有1.8英寸硬碟類別中最高的容量（a）和面密度，以便整合到隨身媒體播放器、攝影機和行動PC中。東芝公司還宣佈了新的120 GB（MK1231GAL）和80 GB（MK8031GAL）容量的產品，從而為消費電子產品（CE）和行動PC系統製造商提供了最完整的高容量的4200 RPM的1.8英寸硬碟產品。
& Y. c1 i* Q. u8 U* }7 v
8 s/ o0 U- C: h3 K新的240 GB硬碟和80 GB的硬碟將於今年九月底投入大規模生產，120 GB的產品現已經在大規模生產。

# \  g2 l4 G. L, O8 R東芝公司的240 GB的MK2431GAH和120 GB的MK1231GAL採用垂直磁記錄（PMR）技術實現了344 Gb/平方英寸（531.9Mb/mm2）的面密度——1.8英寸硬碟中的業界最高面密度，PMR是東芝在2005年推出並商業化的。東芝公司在PMR領域的技術領先地位使該公司能夠始終如一地提供1.8英寸硬碟領域領先的容量，以在不犧牲容量的條件下支援日益增長的小型化需求，滿足數位視訊、圖片、音頻和計算應用。

- F+ {: \0 Z) q% d: B) m新的1.8英寸硬碟系列採用了新的機械和固件設計以增強其耐用性，從而使80GB和120 GB的單盤硬碟非常適合輕薄型行動器件和PC應用。新的雙盤240GB的MK2431GAH產品特別適合用於高端數位攝影機以及重量輕的行動PC應用，它們需要高容量和高耐衝擊性能以保護用戶寶貴的數位資產。
3 g4 M4 _, ~' T1 ~
6 U9 p/ o6 u# x8 DMK2431GAH型號採用的新設計元素將電源效率提高到新的等級，與東芝前一代MK1626GCB型號（160 GB，3600 RPM）的 1.8英寸硬碟相比，總能耗降低了33%。

! \4 t( k! Z* \! y8 C$ \/ s作為地球上的企業公民，東芝集團一直致力於實現一個更好的環境。以“東芝集團環境願景2050”為指導，該集團正在落實到2050財年將環境效率與2000財年相比提高10倍的措施。核心目標是，到2025財年，透過開發和銷售高效的供電設備和系統，以及製造環保型的家用電器和辦公設備，將預測的二氧化碳排放每年減少1.117億噸當量。透過努力減輕全球暖化現象，有效利用資源和化學品控制管理，東芝集團為人們創造價值，並促進與地球和諧相處的遠景。
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新產品的主要特徵

1. 實現了531.9Mb/mm2（344 Gbspi）的面密度。
- J9 }  \& S1 U% k9 ^& U由於改進了讀寫頭，增強了磁層，MK2431GAH和MK1231GAL達到了531.9 Mb/mm2的面密度。MK2431GAH採用與東芝目前的160 GB產品相同的雙盤1.8英寸設計，提供當前所能達到的最高240 GB的容量。
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2. 提高了能耗效率（b）
& V! w% N* r% Q+ v, }與目前的160 GB的MK1626GCB相比，新MK2431GAH改進了能耗效率（b），達到了日本法律標準規定的0.0013w/GB，改進了33%。

3. 環保型產品
（1）在產品生命週期中可降低二氧化碳排放量（c）在其生命週期中，MK1231GAL型產品每年可降低二氧化碳排放大約54克。
（2）符合RoHS標準新硬碟符合歐盟的關於在電氣和電子設備中淘汰使用六種有害物質的RoHS指令（d）。
（3）所有新產品符合出色的東芝環保型產品認證標準 東芝正在推廣一個“Excellent ECP”計劃，以刺激創造具有高度環境友好的高價值產品。更多資訊，請登錄http://www.toshiba.co.jp/env/en/products/index.htm。
3 f' l% |6 W7 ?（a）截至2008年9月10日，市場上可買到的1.8英寸硬碟的業內最大容量（資料來源：東芝）。
（b）根據日本法律規定，能耗效率是用功耗除以格式化後的容量計算的。
（c）基於MK6015MAP（2000年的型號）作的比較。基於東芝的LCA（生命週期評估）評價方法。
（d）RoHS指令於2006年7月生效，是在電氣和電子設備中淘汰使用六種有害物質的歐盟指令。

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-- 使用只有1200平方微米的小型電路每秒生成2兆比特的亂數
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美國商業資訊2008年2月7日東京報導——東芝公司今天宣佈在資訊安全技術領域取得的一項重大進展，即成功研製出一種物理亂數產生電路，該電路達到了世界最高單位面積輸出，能以每秒2兆比特的速率產生亂數。 新研製的亂數產生器（RNG）有一個面積只有1200個平方微米的電路，但卻達到了整合到IC卡和移動設備中所必需的性能和可靠性。

+ P+ K" W+ d6 B  u! V0 H" n7 D該技術的詳細情況在2月6日於舊金山舉行的2008年IEEE國際固態電路會議（ISSCC）22.8分會上進行了介紹。
$ }+ s: i* u) {+ X  v
2 i. I1 V3 d6 X/ }3 J( v6 `  n新的RNG技術採用一個緊密型的類比/數位（A/D）轉換器，它能有效地放大類比雜訊信號並將它們轉換為數位亂數。 該技術還整合了東芝公司研製的緊密型噪音源設備。 該設備利用電晶體的氮化矽（SiN）層捕獲電子的隨機物理現象產生雜訊信號；氮化矽層以高發生率捕獲並釋放電子。

" S0 }/ j2 b. ^8 p" j; `東芝還證實，新的RNG電路沒有溫度依賴性，長期以來, 溫度依賴性是物理RNG的一個懸而未決的可靠性問題。
5 D1 M* @% i2 w& e6 U- @3 f
$ O5 j; D0 n1 N: g* N; }; ~防駭客加密是安全金融交易和個人資訊交流所必不可少的。許多加密演算法都依靠消除了亂數週期性的高品質RNG。現有的IC卡密碼安全技術採用的是偽RNG演算法，隨著網路技術的進步，該演算法即將走到盡頭。
8 U( z! ~  t) W) l1 z) O0 i0 P8 R
* Y6 s# q1 D* ?4 Z3 X# f東芝公司將繼續進一步地發展和完善該電路，爭取在未來幾年內使這種不可預測的、高度安全的物理RNG達到實用化。
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注：該工作有一部分是由日本國家資訊通信技術研究所（NICT）資助的。
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% Y4 Z  E8 p7 z$ u6 w/ F; L研製概況
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東芝的新物理RNG電路依靠一個不受溫度影響的奈米級噪音源設備。該裝置以高頻率產生大量雜訊信號。新開發的電路有效地將這些大量的高頻率信號數位化。
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! e  }' D# T2 J5 @- b1. 濾波器和差動放大器型A/D轉換器：
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: b8 A0 N9 j7 n, A在研製緊密型RNG電路之前的工作中，東芝使用了一個多諧振盪器電路，在該電路中將噪音源設備與數位化電路串聯。結果，在雜訊幅度與發生率之間有衝突需要平衡；要增加雜訊幅度，就需要提高噪音源設備的電阻，但是這會導致電路的信號發生率降低。
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5 K6 V: i2 v/ v: D, V新技術則採用了一個濾波器和差動放大器與比較器，它們與噪音源設備是分離的。 該方法可以選擇性地提取新設備產生的高頻雜訊信號，並達到了大約是多諧振盪器電路7倍的亂數生成速率：該技術將性能提高到2.0兆比特/秒的實用水準，而之前的技術是0.3兆比特/秒。
  P( D$ G; g- {5 J5 n# R
2. 將A/D轉換器小型化

% q3 _- i5 ^- u: X* q$ d+ q改進後的電路縮小了A/D轉換器的尺寸。總之，需要對RNG進行折中平衡：噪音源設備越小，電路面積越大。使用噪音源設備產生高頻雜訊信號使東芝能夠縮小A/D轉換器的尺寸，並將整個RNG電路面積降低到1200平方微米（包括噪音源設備）。這比公佈的第二小的物理RNG電路尺寸縮小了86.6%，這一突破實現了單位面積亂數生成率的世界最高水準。
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; d2 `; o. c3 N; r3. 無溫度依賴性

1 e" ]: B! i9 Q- g' _" c8 V) |* ]從-50至100攝氏度範圍的實驗測試證實了生成數高品質的隨機性。結果表明，生成數不受溫度影響，從而證明了在IC卡和移動設備使用的溫度條件下穩定生成亂數的可行性。

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——在14.5GHz上實現了65.4W的輸出功率——2007歐洲微波國際學術會議

美國商業資訊2007年10月8日東京消息——東芝公司（Toshiba Corporation）今天宣佈其已開發了用於Ku波段（12GHz到18GHz）頻率範圍的氮化鎵（GaN）功率場效應電晶體（FET），使該頻率範圍在14.5GHz上實現了65.4瓦的輸出功率，這也是迄今為止該頻率範圍所能支援的最高性能水準。該新型電晶體主要應用于衛星微波通信基站，用以傳輸包括高清晰廣播在內的大容量信號。東芝公司計畫於2007年底供應該新型功率場效應電晶體的樣品，並於2008年3月底進行大規模生產。

% v5 e; _) r; h  a; h# KKu波段微波放大器的主要優點是以半導體，特別是氮化鎵設備取代傳統電子管應用於該帶寬，這些電晶體能以更高的微波頻率提供優越的高功率特性。

該新型功率場效應電晶體具有高電子遷移率電晶體（HEMT）結構，東芝公司面向Ku波段對該結構進行了優化。該公司用通路孔技術（1）代替了源線焊接，降低了寄生電感，同時改進了Ku波段頻率實際應用中的配套電路的整體設計。
' J$ S. @0 \9 ]/ |& ^4 G1 ?
& `* i6 ?$ R& j! ~7 i3 u用於雷達及衛星微波通信基站的氮化鎵功率場效應電晶體將取代電子管用於新設備中，對它們的需求一直穩步增長。東芝公司通過提前將其新型Ku波段功率場效應電晶體進行商業化，將使這一需求得到滿足。

3 e: ^5 \! E9 s( [3 k1 u10月8日至12日在德國慕尼克舉行的2007歐洲微波國際學術會議上將全面展示該新型氮化鎵功率場效應電晶體的詳細資訊。
' F! R, @0 m  d/ I4 j
; y4 U0 h1 |" N, }' t+ ^背景以及開發目標
1 l7 W  F& L0 D9 a
# l7 W+ x% ~& U* u' E衛星微波通信中一度增長的通信流要求信號放大裝置具有更高的輸出功率，如同開發了更強大的雷達系統。對氮化鎵設備的需求尤其突出，同傳統砷化鎵設備相比，氮化鎵設備在高頻率上的散熱性以及高功率特性方面均具有優勢。

8 t. d/ y/ t% B9 {5 w東芝公司在面向微波頻率應用將氮化鎵技術用於功率場效應電晶體方面已處於領先地位。該公司最初面向6GHz頻帶（2005）以及9.5GHz（2006）頻帶進行了功率場效應電晶體的開發和行銷工作，並且開發的設備在這些頻率上實現了世界上最高的輸出功率。目前，該公司已將其產品系列擴展到了14.5GHz。東芝公司將繼續面向18GHz到30GHz頻率（Ka波段）以及更高的頻率進行開發工作。

開發概要

; s  E4 B8 m* _  K# g& d2 D; m4 m1.設備技術
: ~5 n0 [* A3 X, _3 m東芝公司通過對在HEMT結構的高導熱碳化矽（SiC）襯底基礎上加工成型的鋁鎵氮和氮化鎵層的成分和厚度進行優化，在該新型場效應電晶體中獲得了突出的性能。為保障Ku波段頻率上的高性能，東芝公司採用了0.3微米以下的更短的閘極長度，並對每個電極的外形和元件構造進行了優化，以增強散熱性。

2.工藝技術
為降低寄生電感並實現更高的頻率性能，東芝公司為開發了獨特的通路孔加工成型技術，該通路孔一直從表面源電極經過晶片再接地。在碳化矽襯底上成功地進行通道孔的加工成型，被公認是一項十分苛刻的工藝，它是在新型場效應電晶體的開發中所取得的技術突破。

1 _2 ?3 B( @  q2 z隨著閘極長度的變短，要獲得高級別的性能，防止柵極電流漏泄顯得十分必要。一項應用於每個柵極外表的獨特塗層工藝將電流漏泄降至東芝公司傳統技術方法的1/30。電子束曝光技術的應用確保了0.3微米以下閘極長度的處理的穩定性。

4 K- H5 h  I- f5 l7 i主要特性
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7 g" J& Y& n$ D3 U7 B1 L線性增益                     8.2dB
( J- g( c, ^% I  t$ |----------------------------------------------------------------------
5 c9 O# R, }# j4 \8 q, |飽和功率                     65.4W
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: r# x; E  d& X漏電壓                       30V
0 U9 @- P- e( q7 P/ C% O----------------------------------------------------------------------
運行頻率                     14.5GHz
) a6 C. r: v$ Z( z; Z----------------------------------------------------------------------
/ D  Y# c  h. J; S( k晶片尺寸                      3.4mm×0.53mm
( L7 s  ~# I/ t  M4 C, R----------------------------------------------------------------------
封裝尺寸                     21.0mm×12.9mm （外部尺寸）
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（1）通道孔成型技術以及孔中金屬電極填充技術連接了表面源電極以及背面接地電極，降低了寄生電感，因此實現了高頻率性能。