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[問題求助] 請問TSMC 0.35的電阻畫法

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1#
發表於 2007-9-21 09:53:27 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
請問各位LAYOUT高手:我目前是在研究類比電路的學生,但在劃電阻時碰到一些困難,就是在TSMC的電阻劃法上,不知道如何去佈局電阻的LAYOUT,還有要如何在LAYOUT的過程中,如何去考量電阻的阻值,是用電阻的公式算嗎? 謝謝!

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發表於 2007-9-21 12:36:41 | 只看該作者
原帖由 louisli 於 2007-9-21 12:05 PM 發表 , H* _; ~, ^0 W$ W1 G, b
謝謝大大的回覆,但想在請問大大說那那個晶圓廠提供的RS大小要從那裡可以得知這樣的訊息,謝謝!
( Z# k' r$ T3 H. q
0 o' A5 b+ R7 z. N% p
每個晶圓廠都有提供SPICE Model,SPICE Model內就會有提供Resistance Table,裡面會有sheet resistance,找看看吧~~
16#
發表於 2009-1-8 16:31:58 | 只看該作者
thank a lot!!!          受益良多!
15#
發表於 2008-4-22 19:19:06 | 只看該作者
電阻用L型shap~會比較好嗎?怎麼感覺怪怪的~到底是哪裡出錯
14#
發表於 2007-10-15 03:51:34 | 只看該作者
講的好詳細唷~~~本來不懂的問題現在大概知道囉~~多謝大大唷~
6 T: r0 [7 q8 f9 j' N多謝你的無私
13#
發表於 2007-10-12 13:19:53 | 只看該作者
原帖由 louisli 於 2007-10-3 01:09 PM 發表 8 m$ S5 ]9 h" I0 X$ F: Z% _
謝謝大大的回答,但上一位大大所說的pdk不是只能在TSMC的0.18製程操作,據我所知TSMC的0.35製程,電阻.電容好像要自己畫上去說

8 R1 `/ V- l7 ^" y5 y3 K
' H7 F- X; z" I4 B+ e( {) p我查一下我手上的documents好了XD
1 ^! b' s. _" u可能真的是如您所說的,只有點18製程有
0 g' r- l9 p2 B4 t2 x! F5 ~敝人當時的想法是想說點35跟點18一樣有PDK XD
! y  z3 n! d2 ?+ O' B1 q" S6 u( h
如果真的沒有的話,建議用POLY電阻,誤差比較小- M" v- q5 P, N" I
不過相對的,阻值也比較低
$ M% e  R( q: Q( W1 GLVS的檔案裡面應該都有定義. @5 q' ?2 o  R# U
最好是把LVS都印出來慢慢K XD 這樣對實力的進步,有很大的幫助
. g0 u+ w# ?- `! Z# V在下也要開始學著K LVS的定義了。。。
12#
 樓主| 發表於 2007-10-3 13:09:20 | 只看該作者
謝謝大大的回答,但上一位大大所說的pdk不是只能在TSMC的0.18製程操作,據我所知TSMC的0.35製程,電阻.電容好像要自己畫上去說
11#
發表於 2007-10-1 03:04:48 | 只看該作者
有另外一個較快的方法,不過前提是您也是學校,然後有cic的權限
% J8 D" V# n7 ?4 O9 r尋問工作站管理員,會有一種檔案名稱叫做pdk <<這只是關鍵字' {( d# l* }+ r# s: u
然後可利用virtuoso將其引入,引入之後,叫出來的電阻、電容、電晶體,就是官方畫好的9 e' s* |0 M6 c9 }+ k$ ^
那如何引入到laker呢?
+ \* t, W! f: [8 h( ^- O很簡單,只要利用virtuoso的export>stream,將叫出來的電阻or電容等等,一種一個檔的方式,output成gds2的檔案: b* [* G* r) Z+ U
再開啟laker import>stream 便可引入了,這是頗方便的小技巧,給您參考一下
10#
發表於 2007-9-25 07:26:50 | 只看該作者
可以,但N+ P+ & NW 為且有junction的電阻,所以要考慮電阻之間距離及junction break-down 電壓的問題,poly1為
) t. P1 f4 w6 ]) u. h( W非junction電阻,之間的距離,可以使用較小的rule,但其電阻較小.1 \6 F3 q( X9 h! p
還有N+ P+ NW & poly材質均為半導電阻,所以其個別均有電壓及溫度效應造成使用之時的電阻變化,所以電阻值是會改變
: {, T9 C, g$ S0 c' v. W' G的喔....
9#
發表於 2007-9-24 18:17:07 | 只看該作者
要有poly2 是要用mixed mode製程才有提供 一般製程沒有poly2可用
  M, g% X# l8 p: b& }& D+ INW 跟 N+ 還有poly 不能用來當電阻嗎?
8#
發表於 2007-9-23 00:12:29 | 只看該作者
TSMC 0.35 um 電阻的畫法嘛~~~7 w$ d0 c+ w4 u
嗯嗯, 用POLY2吧, TSMC 0.35 process 看起來只有POLY2能認得到,
! ]2 C3 @: ^9 u; u其實也不用去看SPICE Model,1 o. L) R" A$ m9 m( F
只要看POLY2 design rule和Calibre LVS Command File就夠了,
7 J! q! T0 C$ K* n) G4 M; e0 R先送個消息給您: POLY2的sheet resistance為50 ohm/square,
. o! h$ W5 g7 m8 N" o其它的最小width多少啦...etc...等等的資訊, 就請您找找Design Rule了, 裡面有寫, 我確定!!
! Y# i; H0 U) V# B% G% P1 b% t3 k: W8 O! t' Y2 E) w6 }
一點點經驗, 希望對您有幫助!!
6#
 樓主| 發表於 2007-9-21 12:05:25 | 只看該作者
謝謝大大的回覆,但想在請問大大說那那個晶圓廠提供的RS大小要從那裡可以得知這樣的訊息,謝謝!
5#
發表於 2007-9-21 11:53:20 | 只看該作者
RS 是接觸片電阻(sheet resistance) = 電阻係數x電阻厚度(深度)% b2 F6 Z: g2 [" _  @/ J
通常晶圓廠會提供 RS 的大小 以方便使用者去設計所需的電阻 : K: }0 r4 |, r0 W2 ~
R=Rsx(L/W) 只要估算layout的L/W就可以知道電阻的大概值* C& j5 M+ k6 I- R; A0 O2 f
dummy 的需求是怕因為layout面積太大或太小 造成製程變異太大 所以需要加上dummy pattern. S2 }# ^& h2 c1 D: ]3 L
一般晶圓廠也會建議dummy pattern的畫法 但不一定要遵照
9 m2 N, q/ o, ]6 x1 Y1 }/ s8 b' x1 S: q' ^# v) _( [/ d

6 R! B" X9 J% @: L: M: NPS: R=電阻係數 x(L/A)=電阻係數x(L/Wxt)
7 S3 F. H! d+ v" h     =(電阻係數/t)x(L/W)
+ K) z0 Q4 D1 j( R8 o' T9 Q4 F     =Rs x (L/W)
. i  S! Q/ q, j) c- g或者可以想成當L=W時(方格)  R=Rs
/ p8 b6 g5 J  F4 P& u9 l* S當10個方格連在一起 R=10Rs
4#
 樓主| 發表於 2007-9-21 11:32:09 | 只看該作者
在請問大大,剛在一些參考文獻中,所提到的電阻值的計算公式,R=RSXL/W,那RS所指的是指什麼?剛剛查到大大所說的方格是指L與W所構成的方格嗎?
3#
 樓主| 發表於 2007-9-21 11:08:05 | 只看該作者
謝謝大大的回答,但我還想問的是大大所指的方格是指? 還有大大所說的dummy可以用TSMC所提供的dummy嗎?謝謝!
2#
發表於 2007-9-21 10:45:29 | 只看該作者
電阻的layout多使用一個方格是多少個阻抗,所以串N個方格,則阻值X N,但電阻不能串太多方格,則其L與W差太多,電阻
2 f4 |5 _5 @% w變化太大,其四週需要有dummy相同材質的電阻.

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