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提供一個之前用的方法,
: L9 L8 D% n4 `由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例), ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS)2 ?- B8 r" k' I- ?$ f d* V
在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,
6 A. r1 k% }5 `0 s, QVGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値% k- s# D3 X4 T* G6 W1 M
8 u6 S) ~$ `1 c! p- @/ P; k3 r由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)6 C5 H, A6 F: Z: C: j
在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]
( W5 f: W2 p, {4 X( Y由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2)
% x, u# }/ r4 \. O( C故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1), T+ S0 B! R+ R
3 [1 M$ r. d4 k* E
將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值
, F7 E9 }# f* P4 JKP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]
* q, M$ B7 c+ U- A7 D* ^) h' k = 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)]1 v) J# a0 n: E4 o
" s4 _$ Y! F1 s5 c3 `% F之前用這種方法算還蠻準的, 你可以試試看 |
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