奇夢達推出擁有業界最高密度與效能的省電型FB-DIMM產品

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(2007年7月2日，台北訊)全球記憶體產品領導供應商奇夢達公司(NYSE: QI)今日推出業界首款Quad-Rank的8GB DDR2 Fully-Buffered Dual-In-Line Memory Modules (FB-DIMMs)記憶體模組，這項技術不僅帶來新一代的多核心伺服器效能，且能降低伺服器的耗電量。這些先進的FB-DIMM記憶體讓奇夢達陣容堅強的產品線更加完備，並能符合對伺服器與高效能運算工作站應用日益增加的需求。  
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奇夢達推出800 MHz時脈版本的新款FB-DIMM，可讓將於今年稍後問市的新一代伺服器運算效能更為提昇。在800 MHz的模組中，每個高速管線的頻寬達到4.8 Gbit/s ，與533MHz版本以及667 MHz版本相較之下，分別提升50%與20%。  

伺服器記憶體是伺服器中耗電量排名第二的元件，而新發表的模組反映出奇夢達致力改善伺服器記憶體的省電效率。根據奇夢達實驗室的實體測試，顯示在相同的記憶體容量下，內含新款記憶體的伺服器，其耗電量比內含傳統記憶體模組的系統要降低45%。  

奇夢達公司電腦運算記憶體事業部資深副總裁Michael Buckermann表示：「奇夢達推出 Quad-Rank 8GB FB-DIMM記憶體模組之後，將擴大我們在伺服器與高階運算市場中高密度記憶體解決方案的陣容。由於客戶需要效能更高的記憶體，以配合多核心處理器在低功耗模式下所支援各種伺服器應用，市場對8GB FB-DIMM的強勁需求是可預期的。 」

奇夢達在轉移至新一代70奈米製程之際，進一步提升伺服器記憶體模組系列產品的省電效率。奇夢達目前推出支援1.5伏特的DDR2記憶體，比目前標準電壓低17%，而且工作頻率由667MHz提升到800MHz，且計畫往更低消耗功率的記憶體發展 。奇夢達透過這些低功率元件，支援各種低功耗DDR2伺服器記憶體解決方案，首先問市的就是FB-DIMM產品。  
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# z! Z# Y- e8 W% B奇夢達內部自行研發與製造奇夢達品牌的先進記憶體緩衝晶片(Advanced Memory Buffer ，AMB)，支援Quad-Rank 組態，可作為FB-DIMM的資料流管理器。企業型伺服器可藉由Quad-Rank FB-DIMM ，調整記憶體模組的密度，同時維持或降低耗電預算。該優勢不僅能降低耗電量，而且還減少記憶體通道的傳輸延遲提高效能。降低運作電壓，以及運用Quad-Rank FB-DIMM，讓客戶在使用新型記憶體模組時，能降低系統的耗電量且能提高效能。

; X! d; r% n' i: X4 a9 I4 m$ A作為唯一自行生產DRAM與AMB晶片的記憶體供應商，奇夢達帶動技術創新，將8GB記憶體容量建置在標準封裝元件中，並達成業界標準的散熱與電氣效能目標。  

Qimonda FB-DIMM目前推出 1GB、2GB 、以及4GB 等記憶體容量的Two-Rank組態版本，還有2GB、4GB、與8GB 的 Quad-Rank 組態版本。所有FB-DIMM密度版本的記憶體都支援800 Mbps的資料傳輸率，採用Jedec標準1.8伏特並支援業界鎖定的1.5伏特低功耗電壓。奇夢達已開始向重要夥伴供應Quad-Rank版本的8GB記憶體模組，進行驗證測試作業。

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(2009年2月4日，臺北訊) — 全球記憶體領導供應商奇夢達公司 (OTC: QMNDQ.PK) 在發展 Buried Wordline 科技上持續創新。繼德勒斯登廠量產第一代的65奈米晶片後，研發人員已根據最新的46奈米技術，創造出第一個可運作的DDR3記憶體模組。   

4 H; P3 A: J  X* r4 N; P; I與目前主流的75奈米技術相較，新的46奈米可在單一晶圓切割出高出三倍的晶片，因此它可預期增加二倍的生產產能，此外，初步的研發結果顯示，它將會大幅減少75%的耗電量。奇夢達財務長暨營運長Thomas Seifert表示：「我們很有信心這項創新研發對我們邁向有利的未來又更近一步了，這項以新的46奈米模組技術的測試結果，和目前客戶的意見回饋都讓我們感到相當振奮。」
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! X% Z# q2 J; z  f3 _7 L) r業界專家相信新一代的晶片代表奇夢達很明確的競爭優勢，全球市場領導者英特爾公司最近也肯定了奇夢達在DDR3技術上的領先地位。

: F' o$ e/ D/ w  K專注於Buried Wordline技術發展是奇夢達全球重整和降低成本計畫的主要部份。在此同時，為了讓營運更加平穩，將以主要的核心生產活動為主，虧損的產品和合約將會被中止，位在美國維吉尼亞州Richmond的12吋晶圓廠將決定關閉，約有1,500名員工受到影響。由於在目前經濟大環境不景氣的情況下，無法提供資金進行Buried Wordline的製程轉換，在未來更多客戶將由德勒斯登廠供給晶片，奇夢達的其它工廠將持續運作。

  b6 ?; L' s8 O- X6 z4 J# q1 |奇夢達財務長暨營運長，也是奇夢達董事會成員之一Thomas Seifert表示：「為了使產能更加有效率，並徹底定位奇夢達朝向下一代創新記憶體Buried Wordline技術邁進，這個決定對我們是很重要的一步。」此外，打造公司的主要研發和產能的存續力，則是找到新投資者的首要步驟。

目前奇夢達還未對於公司未來架構做出決定，包括能繼續進行業務的部門是否能由奇夢達所有、或納入新的投資者的新公司之下。若是後者，或無法覓得投資者金援奇夢達的業務存續，奇夢達公司將可能被清算。

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(2008年11月5日，臺北訊) —全球記憶體領導供應商奇夢達公司(NYSE: QI)今日宣布開始量產使用 Buried Wordline技術的DRAM晶片。以65奈米Buried Wordline技術製造生產的1Gbit DDR2，已於十月份首次銷售，銷售額合併於奇夢達十月份的營收。此外，奇夢達完成了新一代46奈米Buried Wordline技術，並以此技術為基礎，製造出全球最小的2G DDR3晶片。奇夢達創新的Buried Wordline DRAM技術具備高效能、低功耗和小尺寸晶片的特點，進一步強化了奇夢達在基礎設施及繪圖應用的DRAM 產品線。
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! d( }4 f% p5 f6 x8 w, F# F! {奇夢達總裁暨執行長羅建華表示：「65奈米Buried Wordline技術的量產，是我們新技術藍圖上一個重大的里程碑。在我們德勒斯登領先的實驗室中，我們已將65奈米Buried Wordline技術製作的初製晶圓(wafer starts)增加至每個月數百片，並計畫在接下來幾個月內，將剩餘產能都轉換至65奈米Buried Wordline技術。 65奈米製程的產能很高，我們也從已收到樣品的客戶獲得相當正面的意見回饋，尤其是對於Buried wordline技術的低功耗特色。此外，我們已提前完成下一代46 奈米Buried Wordline技術的產出，並且會依照計畫於2009年年中量產。46奈米Buried Wordline技術比65 奈米技術多兩倍以上的位元數，導入46奈米Buried Wordline技術將幫助我們更進一步取得製造技術領先的目標。」
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奇夢達已於2008年2月提出了新的技術藍圖和第一個以創新的Buried Wordline技術結構生產的功能樣品。Buried Wordline技術結合了奇夢達溝槽技術的省電優點以及廣泛應用於DRAM產業的標準堆疊電容器技術。奇夢達的Buried Wordline技術概念是以其製造矽晶圓的蝕刻和充填結構經驗，進而發展出達成完全垂直單元(vertical cells) 的DRAM cell技術領域突破。
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3 i) M4 I; O+ @! l8 t! j此外，Buried Wordline技術將cell尺寸減少至4F²。第一代65奈米Buried Wordline技術已經降低cell尺寸至6F²，而目前奇夢達量產的75奈米技術則為8F²。65奈米技術結合了較小的尺寸，使每晶圓的位元數比75奈米溝槽式技術增加了40%以上。而結合了6 F² cell尺寸的46奈米技術，使每晶圓位元數比65奈米技術多了兩倍以上，也較75奈米節點改進了200%。  
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部分的Buried Wordline技術發展是由歐洲共同體下EFRE的技術發展基金和德國薩克森州的資金補助。

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最新技術的發表加速產業轉換至DDR3記憶體

- l2 v8 ~2 ~6 t# v(2008年9月25日，臺北訊) —全球記憶體領導供應商奇夢達公司(NYSE: QI)今日宣布其1GB及2GB的DDR3無緩衝雙通道記憶體模組(Unbuffered Dual In-Line Memory Modules - UDIMMs)，通過即將推出的英特爾® Core ì7處理器和英特爾® X58 Express晶片組的驗證，使奇夢達的記憶體產品能在新一代高階桌上型電腦平台發揮其卓越的散熱效率和性能。
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DDR3 1067 non-ECC UDIMMs已通過英特爾新平台Core ì7(預計將於今年年底發表) 的驗證，此驗證強化了奇夢達在產業轉換至DDR3的領先地位。DDR3 1067 non-ECC UDIMMs具備了比DDR2記憶體快達兩倍的數據傳輸速率，同時也改善了電源效率達30%。奇夢達DDR3元件是於一年多前發表，其模組也已通過多個英特爾平台的驗證。

, r$ V2 ]0 [- |5 _英特爾Core ì7微架構配有每通道支援三個記憶體的綜合控制器，可充分發揮DDR3記憶體減少延遲的特性，同時展現出優異的記憶體頻寬。DDR3也是第一個可於1.5V的電壓下運作的記憶體設計，能完美搭載於低功耗的英特爾處理器及晶片組架構。

奇夢達運算部門副總經理Michael Buckermann表示：「我們與英特爾密切合作，以確保DDR3模組可應用於所有支援Core™架構系統的平台，我們很榮幸能為業界提供自800到1866最多速度等級之DDR3 DIMMs解決方案。 」
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英特爾平台記憶體運轉部門總監Paul Fahey表示：「無論是在Core微架構平台的活化上，或是記憶體功耗與效能的評估計畫上，奇夢達都是我們非常重要的合作夥伴；長期以來，奇夢達都能切合Intel平台之功耗和散熱效能需求，今年我們也選擇了奇夢達的DIMMs，給幾個通路夥伴及平台產品發表會的媒體做為評測標的。」

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(2008年8月26日，臺北訊) —全球記憶體領導供應商奇夢達公司(NYSE: QI)與專精高速記憶體架構的全球技術授權領導廠商Rambus Inc. (NASDAQ:RMBS)，今日宣布奇夢達已開始為PLAYSTATION®3(PS3™)電腦娛樂系統量產出貨XDR DRAM。
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& ^7 v( Y5 b5 i3 h奇夢達的第一批512 Mb XDR DRAM樣本已於2008年1月開始出貨。XDR記憶體解決方案拓展了奇夢達的利基型記憶體產品佈局，能滿足全球快速成長的電腦和消費電子產品市場對高效能及高頻寬的應用需求。
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1 v# N! ~, Q6 w4 L6 }$ {; v# D奇夢達利基記憶體事業部副總裁Robert Feurle表示：「能為PS3量產 XDR產品讓我們感到非常光榮。這個新的里程碑，反映了我們多元化的產品策略，並彰顯我們在利基型記憶體市場的領導地位，我們已準備好爲客戶提供支援各種應用的XDR DRAM。」。
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# C7 V7 C  |4 T$ {XDR記憶體架構能支援高容量且具成本競爭力的應用。奇夢達的XDR DRAM 是一個傳輸速率為3.2Gbps，峰值記憶體帶寬6.4GB/ S和單一 2位元寬的裝置。隨著產品藍圖發展至傳輸速率6.4Gbps以及每裝置頻寬達12.8GB/s，XDR DRAM比現今的標準型記憶體具備更強大的效能。使用XDR DRAM，設計人員可以用最少的元件達到前所未有的效能。
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# f& v+ ~# M/ g& jRambus全球業務、授權暨行銷資深副總裁Sharon Holt說：「奇夢達的領導地位及全心投入，幫助我們在消費電子及電腦運算應用市場，擴大了先進的XDR記憶體解決方案之供應，我們期待未來能繼續和奇夢達合作，共同開發具突破性效能的高容量應用XDR記憶體解決方案。」

曾獲獎的XDR記憶體擁有晶片設計到系統整合的全面工程支援服務，使其能直接架構在Rambus諸多專利創新技術上，包括低電壓、低功耗Differential Rambus Signaling Level(DRSL)、每個時脈周期可傳輸8位元資料的Octal Data Rate(ODR)技術、能與時脈作精準之數據校正的FlexPhase™電路技術、以及能加強信號完整性和延展性的動態點對點技術(DPP)。

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奇夢達發佈2008會計年度第三季營收報告
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0 C& z$ }7 w1 {3 o! }5 L: g" F. T) }營收數字及重點摘要
·        與前一季相比，營收淨額下滑至3.84億歐元；稅前息前淨損減少為3.86億歐元以及淨損減至4.01億歐元。
·        現金部位是6.3億歐元； 淨負債部位是1百萬歐元
·        全球性成本減支計畫降低收支平衡點的成效顯著
·        如期在2008年9月導入65奈米Buried Wordline 技術：採用新技術製造的1G DDR2已通過英特爾驗證
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(2008年7月25日，臺北訊)  – 全球記憶體領先供應商奇夢達公司(NYSE: QI) 今日發佈截至2008年6月30日的2008會計年度第三季的營運結果，本季的營收為3.84億歐元，比2008會計年度第二季的4.12億歐元減少7%，較去年同期的7.4億歐元則下滑48%。

! v0 \7 `" O$ f* h4 _; w2008會計年度第三季稅前息前淨損為3.86億歐元，2008會計年度第二季稅前息前淨損為4.68億歐元，2007會計年度第三季稅前息前淨損則為 3.23億歐元。2008會計年度第三季淨損為4.01億歐元，每股淨損(基本與稀釋後)為1.17歐元，相較於2008會計年度第二季淨損為4.82億歐元，每股淨損(基本與稀釋後)為1.41歐元。奇夢達2007會計年度第三季淨損為2.18億歐元，每股淨損(基本與稀釋後)為0.64歐元。  
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% w* h- F! Q/ \3 i  O奇夢達2008會計年度前9個月的營收淨額為13.09億歐元，較去年同期少55%。相較於2007會計年度前9個月稅前息前淨利是1千2百萬歐元，2008會計年度前9個月的稅前息前淨損則為14.44億歐元。2008會計年度前9個月的淨損達14.81億歐元，每股淨損是4.33歐元，相較於2007會計年度的前9個月，淨利為1千6百萬歐元，每股淨利為0.05歐元。

$ Q% ?/ Q. A6 B8 U9 h+ d- ]+ e奇夢達公司總裁暨執行長羅建華(Kin Wah Loh)表示：「我們在第三季已減少虧損，在增進生產力和降低成本方面也有了顯著的進展，並預計這二項計畫在未來幾季會帶來明顯的影響。在第三季時，我們全面淘汰生產力較差的代工產能，同時我們也已在第三季末，將90%的產能轉換至80奈米和75奈米；我們尤其加速推進至75奈米製程。我們首次以65奈米buried wordline技術製造的1G DDR2將會如期在2008年9月推出；這顆晶片已通過英特爾的驗證。我們希望能如先前預期地在9月底前完成我們的人力資源精簡和成本降低計畫，相信這樣一來，我們將可以每季4千5百萬歐元的金額逐步降低我們的收支平衡點。在這些進展之後，我們已經作好了為未來幾季獲利復甦的準備。」

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(2008年7月18日，臺北訊) – 全球記憶體領導供應商奇夢達公司(NYSE: QI)將於7月18日在舊金山舉行之Datacenter Dynamics 研討會中，發表DDR3伺服器記憶體模組的節能成果，奠定業界標竿。相較於奇夢達同類型的產品，其他主要供應商的2GB 和4GB 伺服器記憶體模組，在1.5伏特的電力下，需多耗費27-54%的電力。奇夢達2GB 和4GB的低電壓DDR3伺服器 記憶體模組，在1.35伏特的電力供給下，可較其1.5伏特的標準伺服器模組，更加節省10-15%的電力。而其他主要供應商的1.35伏電壓模組，與奇夢達低電壓模組相比，則需多耗費18-44%的電力。
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能源價格的上漲對於擁有多個伺服器系統及相關支援設備的數據資料中心而言，已成為一個相當嚴重的問題，目前能源耗費已佔此類系統營運成本的最大比例。市場研究公司Gartner在2007年2月預估（Gartner, Inc. "Eight Critical Forces Shape Enterprise Data Center Strategies"），未來5年中，絕大部分的數據資料中心花費在能源（伺服器所需之電力及冷卻系統）上的經費將等同於在硬體設備上的投資。                                                                                                                        

+ _5 w) \! w1 L7 ^* l9 ^奇夢達著重在智慧節能記憶體產品的發展。節能對於能源費用有相當大的影響，主要在兩大方向，直接的影響為降低伺服器系統所需的能源，間接的影響為減少需要透過冷卻系統發散的熱能。

$ [2 \( }# u. P$ p: w. c! q奇夢達電腦運算事業部副總裁Michael Buckermann表示：「奇夢達DDR3伺服器模組兼具高效能及顯著的節能功效，能大幅降低數據資料中的耗電成本。我們遵循著業界規範設計出具競爭力的記憶體產品，和以節能、低電壓為主的客製解決方案，由於具有完整的智慧記憶體解決方案的產品線和顧問服務，我們能使客戶將具節能的記憶體產品設計融入他們的系統中。」
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DataCenterDynamics科技長Stephen Worn表示：「高漲的能源成本與對電能和效能漸增的需求不成正比，業者不斷的面臨以更少的資源來完成更多的任務。我們提供數據資料中心的專家們工具和所需資訊，使他們能夠對系統最佳化或設備升級做出聰明的決策。而像奇夢達這樣的公司在帶領節能及在新的基礎建設設計的熱能管理中扮演極為重要的角色。」

0 z; ^3 Q7 T* s0 H2 B結合最先進的技術基礎，奇夢達的工程師針對數據資料中心和伺服器應用的特殊使用需求優化DDR3產品線。記憶體的節能優勢能對內建於奇夢達DDR3記憶體的數據資料中心帶來環保的正面效益。
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2 n  }% d5 _8 y( t  `奇夢達的DDR3記憶體模組有1GB 到16GB 的大小，並有x4或 x8 的RDIMM。記憶體模組的散熱片裝置能改善系統裡的氣流，確保RDIMM的最佳散熱效能，如同通常用於刀鋒伺服器的半高式(VLP)記憶體模組。奇夢達的RDIMM、 VLP 和 Unbuffered DIMM ECC記憶體模組皆支援DIMM上的熱感應器。奇夢達是Green Grid 的會員。Green Grid 是一個致力於增進數據資料中心的效能以及商業運算的生態系統的全球性聯盟組織。

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奇夢達最新繪圖記憶體GDDR5首獲超微AMD採用 GDDR5元件已開始量產與出貨

(2008年5月21日，臺北訊) – 全球記憶體領導供應商奇夢達公司(NYSE: QI)今日宣佈其最新繪圖記憶體GDDR5首獲超微AMD採用。奇夢達已開始量產並出貨予超微其 512Mb容量、時脈為每秒 4.0Ｇ的GDDR5記憶體元件。超微是運算、繪圖和消費性電子市場創新處理器方案的全球領導供應商。
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GDDR5 不僅在繪圖記憶體頻寬上大幅改善，更搭配了多項先進的省電功能，預計將會成為繪圖記憶體市場上的主流。GDDR5鎖定各種應用，先後內建於高效能桌上型電腦繪圖卡，以及筆記型電腦繪圖元件。預計還將推廣至遊戲主機，而其他需要大量繪圖運算的應用也將跟進採用。
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' H! u2 X( A8 P0 j「我們非常榮幸在GDDR5首批樣品送出的六個月後，即開始大量出貨給超微。這在奇夢達GDDR5的發展藍圖上是一個非常重要的里程碑，同時肯定了我們在繪圖記憶體市場上創新與領導性的地位。」奇夢達繪圖產品事業部副總裁Robert Feurle表示。

. }. g7 ?$ P4 ?( C「奇夢達紮實的GDDR5發展藍圖，是我們決定選擇其作為超微新繪圖處理器主要技術夥伴的原因。奇夢達在提供第一批樣品以及量產上的領先時效性，更大幅增加了我們在發展與推出下一個高效能繪圖處理器的利基。」超微電路技術部門資深總監Joe Macri 說。

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(2008年5月5日，臺北訊) – 全球記憶體領導供應商奇夢達公司與德國太陽能領導公司CentroSolar集團今天宣布簽定一份合資企業合約，共同設立及營運一座太陽能電池製造廠。該合資企業將生產以矽材料為主的太陽能電池，CentroSolar將占有49%的股權，其餘的51%的股權，則由奇夢達擁有100%股權的子公司奇夢達Solar GmbH所持有。按此合作計畫，奇夢達將提供其現有在矽基量產的專業技術及矽片供應的重要來源，CentroSolar則將提供其在太陽能系統上的專業知識及太陽能模組的業務銷售經驗。該合資企業廠將設置在奇夢達位於葡萄牙康德鎮(Vila do Conde)的廠區，並將在2009年9月底前初期投入7,000萬歐元的投資金額。

( w& s; C0 q4 V+ e! Z奇夢達公司總裁暨執行長羅建華(Kin Wah Loh)表示：「奇夢達將藉由加入太陽能產業，進入這個穩定且具有高度成長率的市場；我們將運用在矽製程上高品質量產的核心技術，為奇夢達營造新的營收來源。透過與資深的太陽能技術夥伴CentroSolar的合作，我們得以此兼具資金與資源效能的方案，展開這個具有前景的新事業。」
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CentroSolar董事長Alexander Kirsch博士表示:「在過去的幾年中，CentroSolar不論在公司或專案規模上皆有了新的局面，因此公司有必要成立自己專屬的太陽能品牌。與奇夢達成為合作夥伴使我們得以保證生產具有競爭力品質的太陽能電池；此產品將由我們自行生產，並預定由我們位於德國及荷蘭擴展中的模組生產中心來製造太陽能電池模組。」

7 }. G( U; ~& B- a5 u* {" I一旦此合資案通過，預計於2008年中在奇夢達位於葡萄牙康德鎮的土地開始動工設廠；於2009年初開始進駐設備，並於2009下半年開始營運生產。該廠初期的產能為每年3,000萬顆太陽能電池(相當於100 MegaWatt peak)；預計雇用150名員工。此外，與位於江西省新余市的江西賽維LDK 太陽能高科技有限公司也達成矽片供應的協議。

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奇夢達與爾必達進行技術合作 聯手開發4F² DRAM Cell  

- _) _1 L  k, m(2008年4月24日，臺北訊) – 兩大全球記憶體領導供應商奇夢達公司 (NYSEI) 與爾必達公司 (Tokyo SE: 6665) 今天宣布簽定共同開發技術合作意向書，將聯手開發新一代的記憶體晶片(DRAM)。在此項合作計畫，奇夢達將提供其創新Buried Wordline 的關鍵技術，爾必達則將提供其先進的堆疊技術。此項策略技術合作將可結合兩家公司的力量，加速在DRAM 4F² cell尺寸產品藍圖的發展。 兩家公司計畫將在2010 年推出此共同開發、達到40奈米世代 的創新4F² cell 概念，未來並將進一步推展至30奈米世代。

奇夢達公司總裁暨執行長羅建華(Kin Wah Loh)表示：「此項與爾必達的策略合作是對我們創新Buried Wordline 技術的最大肯定，奇夢達並希望藉由此項合作關係加速小尺寸4F² cell的推出。此項技術合作為我們兩大 DRAM 技術領導者創造了絕佳的機會，在研發與未來共同量產的資源上達到更好的經濟規模。」

1 r, Z2 X0 P( K" H4 ^2 P爾必達社長暨執行長坂本幸雄(Yukio Sakamoto)表示:「我們在研發上持續的努力，使我們能夠在DRAM技術上保持領先。在目前既艱困又高度競爭的市場環境下，更快及更有效能的研發新技術愈趨重要。我們相信這次與奇夢達共同發展的合作，將更加速與強化我們在技術上的領先，帶領我們邁向DRAM市場中的頂尖地位。」
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9 E: |7 V3 g  W, O- d5 d, f兩家公司計畫共同發展技術平台及設計規範，以促成產品交換及合資生產的可行性。雙方也鎖定在各自的日本廣島及德國德勒斯登廠，密切合作研發計畫，包括雙方工程師的互換交流。此外，雙方也同意在直通矽晶穿孔技術(Through Silicon Via)及未來記憶體的領域中，尋求共同發展的機會。
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) Y, U& O5 I8 n& \1 @2 z  j8 ~% K0 Q1 p# Z繼今日的合作意向書後，奇夢達及爾必達預計於適當的時間內，完成相關協商及確認合約細節。

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奇夢達發佈2008會計年度第二季營收報告
營收數字及重點摘要
# M6 S' ?' H! y+ Z# u2 `
·與前一季相比，營收淨額下滑至4.12億歐元；稅前息前淨損減少為4.68億歐元以及淨損減至4.82億歐元，包含6千1百萬歐元的商譽減損
( U3 A% S" d. M·現金部位是7.68億歐元；淨現金部位是2.16億歐元
·將施行全球性的成本降低計畫，減少1.8億歐元，其中包含全球將裁員10%
·在夥伴合作事宜方面，奇夢達的65奈米Buried Wordline技術首次授權予華邦電子
+ v- N" l) q& V' Z/ o, E+ h1 U·具突破性的Buried Wordline技術預計在2008年9月開始導入量產

1 G8 s- t3 z3 G( t6 O(2008年4月22日，臺北訊)  – 全球記憶體領先供應商奇夢達公司(NYSE: QI) 今日發佈截至2008年3月31日的2008會計年度第二季的營運結果，本季的營收為4.12億歐元，比2008會計年度第一季的5.13億歐元減少20%，較去年同期的9.84億歐元則下滑58%。

9 \7 U( S2 m* @) ]4 G2008會計年度第二季稅前息前淨損為4.68億歐元，2008會計年度第一季稅前息前淨損為5.9億歐元，2007會計年度第二季稅前息前淨利則為 8千5百萬歐元。2008會計年度第二季淨損為4.82億歐元，每股淨損(基本與稀釋後)為1.41歐元，相較於2008會計年度第一季淨損為5.98億歐元，每股淨損(基本與稀釋後)為1.75歐元，2007會計年度第二季淨利為5千7百萬歐元，每股獲利(基本與稀釋後)為0.17歐元。

" a  ?8 c$ A. u7 V9 }3 T) U4 s) d奇夢達2008會計年度上半年的營收為9.25億歐元，較去年同期少57%。相較於2007會計年度上半年稅前息前淨利是3.35億歐元，2008上半會計年度的稅前息前淨損則為10.58億歐元。2008會計年度上半年的淨損達10.8億歐元，每股淨損是3.16歐元，相較於2007會計年度的上半年，淨利為2.34 億歐元，每股淨利為0.68歐元。
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奇夢達公司總裁暨執行長羅建華(Kin Wah Loh)表示：「雖然跟上一季比較起來，本季的表現有所改善，但是目前的市場環境仍然十分艱困。為了因應這不景氣，我們減少成本支出，停止8吋晶圓代工，最近更減少12吋晶圓代工產能。為了調整成本結構，我們將施行全球性的成本降低計畫；同時，具突破性的Buried Wordline 新技術更將為我們帶來不論是產能，產品線，抑或是合作關係上的競爭力。我很高興宣佈華邦電子首先成為我們採用此新技術平台的第一個合作夥伴。」

營運成果
在2008會計年度第二季，奇夢達的位元出貨量較去年同期成長48%，但由於奇夢達產品線的平均銷售價格較去年同期下跌67%，加上美元匯率走弱，導致營收淨額呈現下滑 。和前一季相比，位元生產量因產能改善而成長6%。而位元出貨量則因庫存量微增而減少了9%。由於位元出貨量較少加上平均銷售價格下滑7%，皆導致營收淨額的減少。在PC應用方面，奇夢達在位元出貨量微幅成長至56%，主要是因為加速80奈米及以下的製程轉換。

在2008會計年度第二季，奇夢達的營收淨額，32%來自北美，17%來自歐洲，40%來自亞太，而11%來自日本。

. z' v, x+ \" J9 I0 t( l和去年同期相比， 毛利和淨利的虧損乃因大幅的平均銷售價格下跌，導致在2008會計年度第二季出現淨損，這些結果無法被較高的位元出貨量和生產效率改善等因素所抵消。和上一季相比，負毛利和淨損有所減緩，主要是因為這一季沒有認列庫存跌價損失，且也沒有像上一季因重整的影響和商業終止費用認列。但是，第二季的淨損認列了6千1百萬的商譽減損。依照美國公認會計原則財務會計準則第142號，公司評估至今的商譽減損，依此評估結果認列公司截至2008年3月31日共計6千1百萬歐元的商譽減損，此並非為現金支出，但卻視同於另一種營運開銷。

奇夢達截至3月底已轉換75%的產能至80奈米及75奈米，此轉換率預期於今年9月達到90%。
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現金流量和資產負債表
在2008會計年度第二季，因為營運資產的改善，現金流出減少至1.1億歐元，相較於2008會計年度第一季，現金流出為1.58 億歐元。2008會計年度第二季資本支出主要用於製程轉換，從上一季的1.9億歐元大幅減少至7千9百萬歐元 。本季自由現金流量則是負1.93億歐元。前一季2.17億歐元的自由現金流量包含了由售後租回交易的1.31億歐元現金流入。
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在2008會計年度第二季底，相較於上一季的現金部位7.46億歐元，奇夢達的現金部位稍增長至7.68億歐元。相較於2008第一季的淨現金部位3.74億歐元，第二季的淨現金部位為2.16億歐元。第二季的現金部位包含達1.7億歐元可轉換公司債的發行和4千萬歐元的定期貸款。
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; H; w; s, |, s: N. C奇夢達公司財務長馬傑明博士(Dr. Michael Majerus) 表示：「即使在這艱困的市場環境下，我們仍堅守嚴謹的財務原則，確保穩固的現金部位。」
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技術與合作
1 Q3 v; ~7 l+ t" G! x4 m基於近來公司的進展成果，奇夢達計劃加速轉換至新的Buried Wordline 技術，並計畫於2008年9月發表其第一項以65奈米Buried Wordline技術生產製造的1G DDR2產品。
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% d& e' N7 n7 Q$ w# j. E8 I& F/ r奇夢達和華邦電子日前已簽訂65奈米Buried Wordline 技術授權以及晶圓代工的同意書。兩家公司在過去有著長久且成功的合作經驗。這項65奈米授權是奇夢達自發表Buried Wordline技術後第一次的授權，它代表了很重要的策略進展。目前，奇夢達也正和其他廠商洽談協商合作的可能性。
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成本降低計畫
6 b* N  [  ?' z$ I  A% ]( A自從2007年市場開始衰退，奇夢達已將資本支出減半，終止產能不佳的8吋晶圓代工，以及減少12吋晶圓代工產能。奇夢達現更導入全球性的成本降低計畫來調整成本架構且降低其損益平衡點。相較於現階段的成本架構，奇夢達目標將減少1.8億歐元的年度成本支出，主要將以全球裁員10%和減少費用支出來達到降低成本的目的，包括削減非揮發性記憶體的開發計畫，而與旺宏電子之間的相關合作計畫將中止。預計此成本降低計畫的成效在2009會計年度即能徹底實現，所有相關衍生的重整費用會在2008年底一次計算。
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展望
預計第三季的位元產量較第二季相比，預計將減少近10%，主要是因為晶圓代工夥伴的產能減少。
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在2008會計年度 ，相較於先前預估的成長率30%到40%，奇夢達修正預估位元產量成長率為20%到30% ， 主要是因為其12吋晶圓代工夥伴產能的減少。奇夢達預期市場供應成長將減少，如市場分析師所言，最終將使市場上的供需達到平衡。

# Q- b3 J2 D+ I; M# [奇夢達正調降2008會計年度管銷費用至1.8億歐元和2億歐元之間。先前則是預估介於2.1億歐元和2.3億歐元之間。
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在2008會計年度，奇夢達預估，基於伺服器、消費性電子產品、和通訊等應用的持續穩定成長 ，加上PC市場轉移至更高密度的模組產品，將會使DRAM的位元需求量向上推升。奇夢達預估在整個會計年度，非PC應用的位元出貨量比重將超越50% 。

  F4 W  c9 ?1 I  s; z5 h( W近期策略及生產重點
l技術的突破：創新的Buried Wordline 技術將提升公司產品的多樣性，並增進產能
5 z( R8 O" v5 |7 Fl可轉換公司債發行總額達2.481億美元
' v9 f$ u' E% }lDDR3 SO-DIMMS 通過英特爾 Intel® Centrino® 2處理器技術行動平台的驗證

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(2008年2月26日，臺北訊) – 全球記憶體領導供應商奇夢達公司(NYSE: QI)今日宣佈先進的技術藍圖，此技術可達30奈米世代，並在cell尺寸可至4F²。奇夢達的創新Buried Wordline 技術結合高效能、低功耗及小晶片尺寸的特性，再次拓展公司的多元化產品組合。奇夢達目前推出此尖端技術的65奈米製程，計畫在2008年下半年開始生產1Gbit DDR2產品。
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奇夢達公司總裁暨執行長羅建華(Kin Wah Loh)表示：「這項新的技術將能改善生產力和位元成本至本公司前所未有的水準。我們是業界第一家宣佈30奈米世代的技術藍圖的廠商，且讓cell尺寸能夠小到4F²。這個技術的推出是我們做為領導記憶體產品開發的領導者，持續創新的結果。這也有助於我們開發新的合作機會。」

奇夢達的目標是於2009年下半年開始量產46奈米Buried Wordline DRAM技術。與58奈米溝槽式技術相比，此46奈米的Buried Wordline DRAM技術會提供每晶圓超過兩倍以上的位元。公司預計於2009及2010會計年度，將由自有資金來做為製程轉換的投資，此一次性約1億歐元的投資，將運用於轉換現有的溝槽產能至Buried Wordline技術。奇夢達運用Buried Wordline的技術和精簡的製程，加上主流的堆疊式電容，使得這項製程轉換僅需較低的投資金額。

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(2008年1月28日，臺北訊) – 全球記憶體領導供應商奇夢達公司(NYSE: QI)今日宣佈1GB和2GB的 DDR3 SO-DIMM記憶體模組 (Double Data Rate 3 Small Outline Dual In-line Memory Modules)的樣品開始出貨給主要客戶，以布局次世代的筆記型電腦市場。奇夢達將其最新的DDR3 SO-DIMMs最佳化，提供高度的省電功能，以居於業界領導地位。在行動運算中，省電效率是新DDR3記憶體介面很重要的價值主張，因為它能在筆記型電腦及其他行動運算應用裝置中，讓電池有較長壽命且仍保有較高的性能表現。奇夢達率先於2006年6月推出DDR3記憶體產品，並於2007年5月開始出貨給桌上型電腦客戶，DDR3 SO-DIMM的推出，是奇夢達在DDR3產品策略上十分重要的一步，同時也符合了奇夢達在堅強產品陣容的承諾。
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奇夢達電腦運算事業部副總裁Michael Buckermann表示：「奇夢達1GB和2GB的DDR3 SO-DIMMs讓我們的客戶能充份享受DDR3顯著減少耗電量和增的頻寬所帶來的便利。奇夢達全力地支持客戶推出次世代的行動運算應用產品，預計內建奇夢達DDR3的筆記型電腦將於2008年上半年上市。」
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1GB 和2GB的SO-DIMM模組由奇夢達以75奈米技術所生產的1Gbit DDR3零組件所組成，提供顯著的省電效果，因為DDR3僅需1.5伏特的電力供給，而DDR2則是1.8伏特。根據SO-DIMM容量的不同，奇夢達的DDR3 SO-DIMMs與現今主流的DDR2模組相比，甚至可以節省30%到50%的耗電量。
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9 D" \$ R3 c% Z! a# D奇夢達的DDR3 SDRAM裝置提供1.600 Mb/s的資料傳輸率，是現今DDR2記憶體最大傳輸率的兩倍，並且也可以顯著提升個人電腦、行動運算裝置和伺服器效能。

DDR3 SO-DIMMs是由奇夢達和其夥伴南亞科技所研發的DDR3 1Gbit零組件上，奇夢達和南亞科技支援新功能以提供高處理速度，例如Dynamic ODT (On Die Termination) 在每通道運作2 個DIMM模組上，以很高的資料傳輸速率下能增強訊號準確性；Calibrated Driver Impedance則能將DDR3 SDRAM輸出驅動器阻抗最佳化。已降低的介面寄生效應，結合數據傳輸線上的讀寫操作，使得DDR3 SO-DIMMs擁有極高的傳輸率。

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(2008年1月23日，臺北訊)  – 全球記憶體領先供應商奇夢達公司(NYSE: QI) 今日發佈截至2007年12月31日的2008會計年度第一季的營運結果。2008會計年度第一季的營收為5.13億歐元，比2007會計年度第四季的7.11億歐元降低28%，較去年同期的11.7億歐元下滑56%。

7 S) i( M1 g* o* P2008會計年度第一季稅前淨損為5.90億歐元，2007會計年度第四季稅前淨損為2.58億歐元，2007會計年度第一季稅前淨利則為2.50億歐元。2008會計年度第一季淨損為5.98億歐元，每股淨損(基本與稀釋後)為1.75歐元，相較於2007會計年度第四季淨損為2.65億歐元，每股淨損(基本與稀釋後)為0.77歐元，2007會計年度第一季淨利為1.77億歐元，每股獲利(基本與稀釋後)為0.52歐元。
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奇夢達公司總裁暨執行長羅建華(Kin Wah Loh)表示：「在我們的會計年度2007年第四季期間，標準型DRAM價格進一步下滑了超過40%，是過去的第四季中，最顯著下滑的一季 。我們之前宣佈的改善計畫雖然均成功地執行，但是也無法彌補如此艱困的市場環境。基於強勁成長的位元出貨量、製程方面產能改進，和營運費用的降低，我們已顯著地在2007會計年度第四季中將位元成本減低約20%。此外，我們在2007年12月底轉移超過50%的產能至80奈米和75奈米，而我們也將順利地依照計劃在2008年3月和2008年9月分別達到75%和90%的轉換率。另外，我們也顯著地減少在本會計年度2.5億歐元的資本支出計畫。」
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" T/ R' j) F' l# a* N& i營運成果

0 R# z# L6 _) A6 H& p5 }' f在2008會計年度第一季，奇夢達的位元出貨量較去年同期成長73%，但由於奇夢達產品線的平均銷售價格較去年同期劇烈下跌72%，加上美元匯率走弱，導致營收呈現下滑。和前一季相比，位元生產量持穩，而位元出貨量則因庫存量大減而成長了27%。由於平均銷售價格下滑40%，導致營收較前一季低。奇夢達針對非PC應用的位元出貨量相對於絕對基準有所成長，PC應用位元出貨量的比例則暫時地成長至55%，原因是技術的加速轉換，和奇夢達在強勁PC需求的環境下對於降低庫存的努力。
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' ?$ U2 [1 h  n3 O4 F" i6 g9 ]無論是和去年同期相比，或是和上一季相比，毛利和淨利都因為顯著的平均銷售價格下跌而減少，導致在2008會計年度第一季出現淨損，這些結果無法為較高的位元出貨量和生產效率改善所抵消。急劇下跌的價格導致在第一季中額外1.22億歐元的庫存認列減損，進一步對毛利和獲利帶來負面影響。此外，奇夢達因和英飛凌中止德勒斯登8吋廠奇夢達產品的代工合約，也認列了3,300萬歐元的費用。

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(2008年1月18日，臺北訊) – 全球記憶體領導供應商奇夢達公司(NYSE: QI)今日宣佈已開始向客戶供應首款512Mb XDRTM DRAM的樣品。XDRTM (Extreme Data Rate) 記憶體解體決方案擴展了奇夢達的繪圖RAM產品組合，以針對全球成長快速的電腦和消費性電子市場，提供更佳的高效能、高頻寬應用。

# W& ]' H4 [4 {9 D/ Z* \0 k$ t奇夢達公司繪圖產品事業部副總裁Robert Feurle表示：「我們對於能在與Rambus公司簽訂技術授權合約一年內，便推出第一款的XDRTM DRAM，感到非常驕傲。XDRTM DRAM對於奇夢達的高效能DRAM產品組合而言，是一項具有相當價值的延伸，同時也在不同的應用中帶來了新的機會。」

Rambus公司全球業務、授權及行銷部門資深副總裁Sharon Holt表示：「奇夢達積極地將進階XDR記憶體解決方案導入市場，我們對於能和奇夢達一同創造這個里程碑，感到非常興奮。在消費性和數位娛樂應用對於高效能記憶體解決方案的需求與日俱增的情況下，我們和奇夢達研發團隊間的密切合作，確保了穩定的XDR DRAM供應基礎。」

+ p$ D( C& w5 R4 I  I& uRambus XDR™ 記憶體介面解決方案滿足了許多高標準的應用，包括遊戲主機、數位電視和前投影系統。XDR介面具有彈性，可以比其他競爭技術提供更高的頻寬，因此XDR介面也可以為對於總電子零件數非常敏感的消費性產品，減少整體系統成本。Gartner預測遊戲主機的市場在2008年將可以到達4,400萬台，iSuppli則預測數位電視的市場則會在2008年成長至1億1,300萬台。此外，ABI Research估計前投影系統在2008年將可以到達500萬台的數量。

Rambus XDR記憶體是由XDR DRAM裝置、XCG (XDR Clock Generator)、XIO控制器介面核心及XDR記憶體控制器(XMC)所構成，欲獲得更多有關Rambus XDR記憶體的資訊，請連結至www.rambus.com/xdr。

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(2007年12月7日，臺北訊)  – 全球記憶體領導供應商奇夢達公司(NYSE: QI)今日宣布首款1Gb GDDR3繪圖記憶體的出貨，以支援華碩最新EN8800GT / 1GB繪圖卡。  
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/ B" A/ B. u* b奇夢達公司繪圖產品事業部副總裁Robert Feurle表示：「奇夢達很榮幸為華碩提供這款效能極致的記憶體解決方案。1 Gb GDDR3是2008年繪圖市場的關鍵產品，而奇夢達被膺選為獨家供應商，協助華碩推出新款產品，證明了奇夢達繪圖記憶體頂尖供應商的地位。」
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3 B3 q) h) N0 R" y% M! R% [8 x華碩電腦多媒體研發部協理吳志鵬表示：「我們很高興奇夢達是第一家提供華碩先進1 Gb GDDR3記憶體的供應商，確保我們可如期推出EN8800GT繪圖卡。」  

* e+ T2 M/ Y5 D7 ~# IGDDR3是目前的高效能繪圖DRAM記憶體標準。藉由奇夢達提供的 1 Gb GDDR3記憶體，僅須使用8個DRAM晶片，就能將圖形緩衝區的容量提高至1 GB。搭配1 GHz的記憶體時脈以及 8GBytes/s的資料傳輸率，能滿足高效能桌上型繪圖系統對於圖形緩衝區與速度的需求。1 Gb GDDR3擁有高密度與低功耗的優勢，亦適合用在新一代筆記型電腦。奇夢達的先進75奈米技術，進一步壓低耗電量，把筆記型電腦的記憶體電壓從目前標準的1.8伏特，降低到1.5伏特。  

0 X+ ?3 l, \9 ]+ g) a奇夢達亦準備開發新一代繪圖記憶體標準GDDR5，也已經供應首款晶片樣本。GDDR5繪圖記憶體預計在2008年中開始量產。

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(2007年11月9日，台北訊)  –全球記憶體領先供應商奇夢達公司(NYSE: QI) 今日發佈截至2007年9月30日的2007會計年度第四季及全年會計年度的營運結果。2007會計年度第四季的營收為7.11億歐元，比2007會計年度第三季的7.40億歐元降低4%，較去年同期的12.3億歐元下滑42%。2007會計年度第四季稅前淨損為2.58億歐元，2007會計年度第三季稅前淨損為3.23億歐元，2006會計年度第四季稅前淨利則為2.15億歐元。第四季淨損為2.65億歐元，每股淨損(基本與稀釋後)為0.77歐元，2007會計年度第三季淨損為2.18億歐元，每股淨損(基本與稀釋後)為0.64歐元，2006會計年度第四季淨利為1.56億歐元，每股獲利(基本與稀釋後)為0.48歐元。  
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在2007會計年度期間，奇夢達的營收為36.1億歐元，較2006年會計年度下滑5%。2007會計年度稅前淨損為2.46億歐元，2006會計年度稅前淨利為2.13億歐元。2007會計年度淨損為2.49億歐元，每股淨損(基本與稀釋後)為0.73歐元，前個會計年度淨利則為7400萬歐元，每股獲利(基本與稀釋後)為0.24歐元。  

奇夢達公司總裁暨執行長羅建華(Kin Wah Loh)表示：「在我們的會計年度第四季期間，DRAM產業不論是現貨或合約價，都下滑至新低水準。面臨如此艱困的市場環境，我們已加快腳步提高生產力與降低成本。在第四季期間，我們縮減資本支出與營運費用的幅度超過原本的規劃，在生產力方面，我們有信心能在2007年12月將50%以上的產能轉移至80奈米與75奈米。但眼前還有許多工作有待完成。我們目前已推動多項計畫，進一步提高成本效率，帶動營收成長。這些計畫包括加快腳步，希望在2008年3月之前，將製程轉換比率提高到75%，我們已經和製造夥伴達成協議，採行必要的行動以達成這項目標。此外，我們也努力提高研發效率，進一步降低成本。我們期盼所有策略能在未來數季持續降低單位容量成本。 」
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在第四季，奇夢達的位元出貨量較去年同期成長33%，但由於平均銷售價格下降53%，加上美元匯率走弱，導致營收呈現下滑。和前一季相比，位元出貨量持穩，但由於平均銷售價格略為下滑加上美元匯率走弱，導致營收較前一季低。在2007會計年度，奇夢達的位元出貨量較2006會計年度成長44%，但由於平均銷售價格下滑29%，加上美元貶值，導致營收下滑。
# v4 e5 |9 ]7 ?& x" W
% y7 [0 Z, M/ j由於第四季沒有新增的的庫存認列損失，本季毛利率較前一季成長。和去年同期相比，第四季的毛利與淨利下滑，主要因平均銷售價格嚴重下滑，加上美元匯率走弱，導致2007會計年度第四季出現淨損。由於第四季有稅額支出，而第三季則有稅額減免優惠，以抵銷前一季的稅額支出，導致本季淨損較前一季多。第四季淨損包括2500萬歐元的稅額支出，反映2008年德國企業稅改革法案，以及因損失得到的稅額減免。2007整個會計年度，毛利與淨利皆呈現下滑，主要因平均銷售價格下降，加上美國匯率走弱，導致本會計年度出現淨損。儘管位元出貨量較去年成長，生產力也優於去年，但仍無法彌補這些負面因素。

8 k, Z' F& h8 \$ Y; H$ l7 |在2007會計年度年底，公司的總現金部位為10億歐元，淨現金部位為7.07億歐元。現金部位數據包括2007年9月Richmond 8吋晶圓廠1.56億歐元的售後回租的交易。2007會計年度，奇夢達資本支出為8.79億歐元，現金部位淨額為2.66億歐元。
* Z& Q+ f8 c9 a) `7 S& a4 N- _/ o. W
+ e; ]; Z/ m+ c2007會計年度第四季期間，由營運資金的增加使得經營業務現金流由第三季的4500萬歐元上升至2.11億歐元。資本支出為2.78億歐元，主要用在擴建Richmond 12吋晶圓廠以及設備升級，以準備轉移至75奈米與更小尺寸的DRAM技術。 2007會計年度第四季，奇夢達達到9000萬歐元的正現金部位，其中包括售後回租交易所帶來的效益。
6 \  j) q6 V# j: l$ ]
5 D% x3 ~! x$ ^( C+ I在2007會計年度第四季，奇夢達有32%的營收來自北美; 16%來自歐洲; 40%來自亞太地區; 12%來自日本。

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(2007年11月1日，臺北訊)  – 全球記憶體領導供應商奇夢達公司(NYSE: QI)今日宣布領先業界，成為首家推出GDDR5記憶體樣品的DRAM供應商，已開始向客戶供應首款512Mb GDDR5(Graphics Double Data Rate 5)的樣品。  

& O( C' |, Y$ q奇夢達公司繪圖產品事業部副總裁Robert Feurle表示：「奇夢達很高興推出首款GDDR5樣品，協助客戶開發支援GDDR5的產品，這項重大進程將確保GDDR5能快速推入繪圖市場。」

GDDR5 預計將成為下一個繪圖記憶體主流標準，將繪圖應用的記憶體頻寬提升至新的層級 。經過廠商與業界人士在過去數年合力制定之下，JEDEC即將完成GDDR5標準的審核。GDDR5元件將提供每秒20 GBytes的資料傳輸率，較目前最快的GDDR3記憶體多出兩倍以上，並同時內建許多先進的省電功能。首款GDDR5記憶體預計將於2008年問市。GDDR5鎖定各種應用，將先後內建於高效能桌上型電腦繪圖卡，以及筆記型電腦繪圖元件。將來，還會推廣至遊戲主機，而其他涉及大量繪圖運算的應用也將跟進採用。

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奇夢達公司旗下品牌億能記憶體（AENEON）推出新款XTUNE DDR3-1333 CL8記憶體模組。DDR3是新世代的記憶體技術，主要應用在高階桌上型平台，AENEON產品專為PC製造商、小型PC系統整合業者及DRAM升級產品零售商所設計。XTUNE DDR3系列是AENEON針對高階桌上型平台推出的解決方案，滿足玩家對於最高效能的需求，打造出高速、穩定、可靠的系統環境。

XTUNE DDR3-1333 記憶體模組容量為 1GByte (AXH760UD00-13G)，單模組通過1333 MHz時脈的測試，在標準DDR3電壓1.5伏特下，延遲時序為 8-8-8-15。新款模組採用128M x 64位元 DDR3-1333的設計，採用16顆64M x 8-bit DDR3 FBGA所組成。XTUNE DDR3-1333記憶體模組提供雙通道套件，包括兩個規格相同並通過1333MHz時脈測試的雙通道模組，在多種平台上執行時，延遲時序為8-8-8-15。

- }) ?+ R- K9 a# }7 ]AENEON透過XTUNE超頻系列及DDR3系列產品，將市場版圖擴展至3D遊戲及熱血玩家市場。奇夢達公司億能記憶體事業部副總裁Carsten Gatzke表示：「新款XTUNE DDR3系列記憶體搭配先進的主機板和處理器技術，將讓玩家享受高品質的經驗，率先向市場展現DDR3的主要性能優勢－提供高速運算性能，以及記憶體電壓降低到1.5伏特後的低功耗優勢。」
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- ^& Z5 w' h2 V8 c0 xXTUNE DDR3-1333雙通道套件2x1GB規格的模組，240針腳的DIMM擁有鍍金接點，以及高品質散熱片，避免記憶體因高溫發生故障。目前已開始銷售。

" K% [- ?5 t9 R' K) oAENEON記憶體模組是由奇夢達研發、製造、並完整測試。目前的產品陣容鎖定在DDR與DDR2 SO-DIMM，筆記型電腦記憶體的密度最高為2 GB，桌上型平台的無緩衝區DIMM記憶體容量從256 MB至2 GB。

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(2007年9月6日，臺北訊)  – 全球記憶體領導供應商奇夢達公司(NYSE: QI)今日推出兩款 DDR2 Micro-DIMM (Dual In-Line Memory Module) 產品，其中包括針對UMPC(Ultra Mobile PC) “Always-On”模式所設計的最佳化記憶體產品。新款1GB元件符合JEDEC 所制定的Micro-DIMM規格標準，其尺寸為同容量SO-DIMM (Small-Outline DIMM)的65%。新款記憶體針對低功耗環境進行最佳化設計，於待機模式下的耗電量較其他Micro-DIMM解決方案降低50%，適用於結合PDA等掌上型裝置的便利性，以及無線網路存取和專業行動運算等功能的UMPC。

# `2 \) o9 m  m# D( [0 X4 YUMPC採用4到10吋的螢幕，其定位介於螢幕尺寸低於3吋的智慧型手機，以及螢幕在10吋以上的小型筆記型電腦之間。UMPC支援音樂、影片、遊戲、上網瀏覽、與其他通訊與網路應用，帶來充裕的自由與彈性，讓使用者可隨時隨地通訊、享受數位媒體、以及存取資訊。市調機構In-Stat預測UMD(Ultra-Mobile Device)的出貨量將從2007年的21萬台，成長到2011年的800萬台 (In-Stat公司2007年8月報告)。
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: q) W& e7 G7 D9 c- c: a- X新款低功耗 1GB Micro-DIMM最高Self-Refresh Current(IDD6)資料刷新電流僅有32mA，該效能參數控制UMPC在 “Always-On”模式下的待機時間。最新世代產品的耗電通常為64mA，而奇夢達新款低功耗產品的耗電量為標準1GB Micro-DIMM的一半。這個功耗規格能大幅延長產品的電池續航力。

奇夢達公司商業電腦運算部門副總裁Michael Buckermann表示：「新款DDR2 Micro-DIMM進一步延伸奇夢達的承諾，滿足客戶對各種產品的需求，並擴展個人電腦與通訊市場在專業與消費性產品領域的版圖。UMPC這類擁有新外觀造型規格的系統，在行動化趨勢的推動之下，其普及率在未來數年將快速提昇。我們將不斷精進我們的產品，推出低運作電壓與低待機功耗的產品，帶動此一市場的成長。」

& a: `1 _7 S8 U4 f/ |1 M新款 1GB Micro-DIMM採用奇夢達的省電型DRAM技術，提供8顆單晶粒 1Gb (gigabit) DDR2 元件。新產品運用小型化的 “夾層連結器(mezzanine connector)”直接連到DIMM記憶體，讓Micro-DIMM使用的空間達到同密度SO-DIMM的三分之一，讓業者能開發極小型的UMPC以及其他超可攜式電子裝置。新產品的高度僅有3公分，並能將PC電路板上的解耦電容(decoupling capacitor)裝在模組下方，進一步縮小記憶體佔用的空間。  
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; n. Q: J6 r( J5 r8 b奇夢達目前已推出符合RoHS無鉛封裝規範的低功耗 1GB Micro-DIMM，並同步推出400 MHz、533MHz、以及677MHz等DDR2速度版本。