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[問題求助] 我想請問高壓Cell的一些問題

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1#
發表於 2007-6-4 17:03:01 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
我最近在看我們公司的Techology File 時(因為我沒畫過高壓元件) 發覺高壓的rule和正常的元件有所差別  高壓的比正常的還大  我的問題是8 |6 @( M# k( }$ b
請問高壓有一邊比較大一邊比較小  請問哪邊是輸出端哪邊是輸入端  還是都沒差呢  
* Q9 e. D2 K. S! E6 W另一個問題是  為什麼Techology File 裡面有寫到{  on  off  on  off  } {LB}}  LB我定義為NPLUS   我知道這表示{  左  上  右  下  }  我試過  如果把左改成off  那在layout 圖中  就不會顯示左邊的NPLUS  請問顯不顯示對我們再畫layout十有什麼差別呢 + x" H/ V/ R6 S
請各位前輩或者知道的人幫我解答  非常感激
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8#
發表於 2007-7-21 08:24:58 | 只看該作者
原帖由 jauylmz 於 2007-7-17 09:16 AM 發表 5 j' W* B( C' ^) n; t
>>請問高壓有一邊比較大一邊比較小  請問哪邊是輸出端哪邊是輸入端  還是都沒差呢  
7 X4 ^0 d5 @/ b. bAns : 通常Asymmetric 的MOS 大邊是 Drain 小邊是 Source ,那你的輪入端應該是指Drain吧) C- s) ^) J6 U- O
/ X1 r. s8 @# i, i
>>另一個問題是  為什麼Techol ...
2 t5 b+ ]& s+ A- ?2 i$ E# E4 _
" n  a0 u8 a: V3 G. Y

9 l% }9 ~1 q- z" ?- ^2 ?) e" @
7 V* j! ~7 n6 l5 k% n4 W5 [* K. c+ I) J. P9 |' K' ~- f
此圖設計是耐壓到16左右的設計,一般都用symmetric設計,很少使用asymmetric設計,除非空間不足。
; f1 T' A. M. ~4 ^在25V左右之耐壓一般又是另一種設計方法,有deep Nwell layer,相關layer約為16-18層。
7#
發表於 2007-7-17 09:16:14 | 只看該作者
>>請問高壓有一邊比較大一邊比較小  請問哪邊是輸出端哪邊是輸入端  還是都沒差呢  
# U# b" n$ I, `- {: y3 v; KAns : 通常Asymmetric 的MOS 大邊是 Drain 小邊是 Source ,那你的輪入端應該是指Drain吧
. g6 e8 ~0 x- A3 X6 E+ b4 G% T& O
7 a4 G& j8 E$ S>>另一個問題是  為什麼Techology File 裡面有寫到{  on  off  on  off  } {LB}}  LB我定義為NPLUS   我知道
) j+ X% j4 f( G  {! t. N    這表示{  左  上  右  下  }
4 ^5 e; G8 W) u+ c# h" @! @Ans: 看你這樣寫很像是Laker TF 的 Format ,如果是,那它並不是你所說的 {左上右下} 的關係喔。
+ @# Z0 x$ m4 a        這點要注意。Laker Manual 上寫到那是 Repeat Pattern !!  請看附圖1 f* F& @  @* O( t
        { on  off   on  off  } 是對應到下面的 區域  後面就重複了,所以叫做 Repeat Pattern $ i4 P: h& |8 f" O, Q
        { OD Poly OD Poly }    $ i8 ~3 R& {1 D. G+ ?+ m
        {  1    2     3    4   }       在有 on 的 區域就會產生出你的 LB =>  Npuls layer " D3 J: M$ k# b9 Q  u7 t) Y# Q) g

2 M* L- L8 b$ ]! D' m. m>>我試過  如果把左改成off  那在layout 圖中  就不會顯示左邊的NPLUS  請問顯不顯示對我們再
& O1 C; F2 t; ^    畫layout十有什麼差別呢 ; x9 k! k! G4 h% P, B, |: }
Ans: 你如果選擇 off 的話,那在Create 這個Device時,他就不會產生Layer 在相對應的區域了。

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6#
發表於 2007-7-13 10:47:40 | 只看該作者

回復 #4 skeepy 的帖子

同意~design rule K熟,就算tf & command file & foundry device有誤,layout都絕對不會錯

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jiming + 1 資深帶老手 老手帶新手

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5#
發表於 2007-7-12 12:07:40 | 只看該作者
原帖由 skeepy 於 2007-7-10 05:05 PM 發表
; o0 M+ A$ V$ x  ?4 c/ T# d補充:要劃HV DEVICE建議把DESIGN RULE熟讀,特別是CROSS SECTION
' q9 P! i( O2 Y6 Z0 G& q, b0 a  W要能看懂,這樣在劃CELL時比較不會弄錯,有CELL LIBRARY的話更好.
! ~2 u! B* ^9 O( B: M2 }

4 m$ v0 n4 ?: b5 D. p小弟也補充一點慘痛經驗...7 u0 ~, g) y" d+ d/ }$ x: N' k4 ]
如果公司是第一次做, 有任何不確定的地方一定要問 designer, 如果 designer 也不很確定,
3 w- k% X9 T* ^5 X那一定要問 foundry....甚至是 layout 好了請 foundry 的人看一下....! o9 t7 e5 _1 U( c& Z0 c$ m
( t8 h5 C. A: D* g( h
等到 T/O 了才要東補西補都是很痛苦的事情....

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jiming + 2 你的經驗就是知識的來源!

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4#
發表於 2007-7-10 17:05:33 | 只看該作者
補充:要劃HV DEVICE建議把DESIGN RULE熟讀,特別是CROSS SECTION
: S  {5 @: _# k) N* g要能看懂,這樣在劃CELL時比較不會弄錯,有CELL LIBRARY的話更好.

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mt7344 + 2 Good answer!

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3#
發表於 2007-7-5 13:56:41 | 只看該作者
在layout 圖中  就不會顯示左邊的NPLUS  請問顯不顯示對我們再畫layout十有什麼差別呢??# _1 d, T- I% \  @: P/ _% \
# Y0 d9 ^% R) I. _% P& I$ I
差別是如果你是off 狀態,則你要用到這pattern時會無法顯示,當然你要tape out 的gds file: Y# J2 |/ b9 c2 q5 v6 W
便不會正確,到時designer debug後是layout 的錯,那你可能就得準備換公司了,這是layout
3 A8 M# g* F! W人員最不可犯的錯誤...................

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jiming + 2 人人為我,我為人人!

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2#
發表於 2007-6-4 17:20:24 | 只看該作者
THE  LAYOUT DEVICE OF HV , 有Asymmetric及symmetric兩種,如果symmetric的DEVICE就沒有 S及D端差別.
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