恩智浦半導體超高頻電晶體為電視廣播發射器帶來新突破

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高效能、高功率且支援整個UHF頻段的高性能電視發射器
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: `% }( x2 ~. B, i' G  P( |6 M2 d【台北訊，2007年06月01日】── 恩智浦半導體（NXP Semiconductors，前身為飛利浦半導體）今日推出了全球首款真正的300W超高頻（UHF）電晶體，即第六代高電壓LDMOS電晶體BLF878。此款新的高功率電晶體針對電視發射器及廣播市場所設計，是市場上唯一能夠在整個UHF頻段以傑出線性性能和穩定性能提供300W功率的解決方案。電視廣播發射器的產業不斷提升輸出功率以滿足高解析度電視的需求，透過恩智浦此款最新高效能解決方案，廣播商能夠顯著提升輸出功率，同時降低成本。

現今的高性能電視發射器投資龐大，所以廣播商正尋求最大限度地利用功率來傳輸大量數據，進而實現在家庭中播放DVB-T和DVB-H（數位視頻廣播）節目。BLF878 超高頻（UHF）高功率LDMOS電晶體實現了這個可能性，它能從現有的輸入功率獲得最大的輸出功率，並將恆定波（CW）效率提升至55%，數位廣播效率提升至32%，進而讓廣播商節省大量成本。由於沒有其他競爭產品能夠以300W功率、相同性能支援整個UHF波段，廣播商可透過恩智浦新的解決方案，以相較於過去更少的零組件來提供相同水準的功率，進一步節省成本。
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! P1 \/ a& r. W$ x4 r- S7 \/ a恩智浦半導體射頻功率廣播與微波事業部全球行銷經理Guido Bekkers表示︰「為了將更豐富的內容傳輸至電視螢幕，廣播設備製造商承受越來越大的壓力，這讓原本就難以控制成本的發射器面臨更多挑戰。雖然我們投入的可能是最小的，但如果考慮到所涉及的支出，它對利潤水準的貢獻仍是相當可觀。透過率先提供市場如此強大高功率的解決方案，恩智浦鞏固了市場第一的地位，再度將一個高效能、高功率、並極具成本效益的解決方案提供給逐漸擴大的客戶群。」
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8 o; j8 J* q5 B; }6 p. o& t恩智浦是全球公認的UHF廣播市場領導者，其旗艦產品 BLF861A於2000後半年推出，目前已成為實際的產業標準，目前的客戶包括世界前5大電視廣播設備製造商。BLF878 UHF高功率LDMOS電晶體是一個非常穩定的解決方案，能夠以10:1的電壓駐波比（VSWR），承受高性能廣播執行工作的嚴峻考驗。
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恩智浦並將在2007年第四季度推出一個新的50V高電壓LDMOS電晶體系列，其目標市場為工業、科學和醫療領域。

供貨情況
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BLF878 UHF高功率LDMOS電晶體將在今年第三季度開始為指定客戶提供樣品，並將於今年第四季量產。如需了解更多訊息，請參考www.nxp.com/rfpower。

heavy91

恩智浦半導體將整合Adobe針對數位家庭推出的Flash技術至其機上盒平台

互動應用加速IPTV進入數位家庭

【台北訊，2009年4月22日】 –恩智浦半導體（NXP Semiconductor，由飛利浦成立的獨立半導體公司）今日宣佈將支援Adobe®針對數位家庭推出的 Flash®平台技術。這項專門針對連接網路的電視機、機上盒（STB）、藍光播放器及其他數位客廳設備最佳化的Flash技術方案將由恩智浦IP機上盒平台STB225和STB222支援。借助Adobe Flash家庭數位平台，消費者只需透過電視機即可享受以Flash技術為基礎的豐富網路內容、應用程式和使用者介面，人們觀看網路視訊內容的方式也將發生改變。
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恩智浦是數位視訊系統領域的三大領導者之一，其全面的機上盒系統解決方案系列，加上Adobe的最佳化Flash技術，將協助主要OEM製造商快速開發數位家庭專用設備。採用以Flash基礎技術小工具的動態使用者介面將提供獨一無二的機會，在電視機上呈現豐富、互動的網路內容，提高消費者的觀賞體驗。
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8 t4 B9 d! P+ {! ], ?恩智浦半導體家庭娛樂事業部有線及IP機上盒業務總經理Mark Samuel表示：「由於以IP為基礎的視訊內容的急遽成長，消費者迫切希望能夠透過電視機觀賞豐富的網路視訊內容資料庫，而不僅侷限於透過個人電腦進行連接。Adobe Flash技術將消費者體驗提升到了一個新的層次，而且這種可與網路完全整合的能力，勢必掀起一場全新的電視觀看體驗革命。」
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STB225和STB222是完整的IP 機上盒參考設計平台，分別針對HD和SD這兩個市場。兩大平台都利用了最新的恩智浦多重格式解碼器（PNX8935和PNX8932）的優異性能，將先進的視訊解碼與傳統的機上盒功能結合起來，同時整合了USB2.0、SATA和乙太網路等關鍵的連接協定。兩個系統均可加速產品開發時間。完整的系統還包括硬體開發平台、軟體基礎架構和參考範例。
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) c- y* ]- A4 c# E$ ?2 a5 F! u! t上市時間
/ E+ a: N! M& b, H0 N  J最佳化的Flash技術即將運用到恩智浦STB225和STB222 IP機上盒平台中。首款上市版預計將於2009年下半年推出。
# {. Q# \" C5 ?9 _. g有關恩智浦IP 機上盒系統解決方案的資訊，請至：
[url=http://www.nxp.com/#/homepage/cb=[t=a,p=/385/394]|pp=[t=afp,i=394]http://www.nxp.com/#/homepage/cb=[t=a,p=/385/394]|pp=[t=afp,i=394 [/url]

[ 本帖最後由 heavy91 於 2009-4-23 02:11 PM 編輯 ]

heavy91

恩智浦半導體(NXP Semiconductors)突破性提升LDMOS基地台功率效能

專為高功率用途與 Doherty應用進行最佳化

7 Q& K( n  h8 _) l' \8 c, E- G【臺北訊，2008年5月15日】–恩智浦半導體 (NXP Semiconductors)（由飛利浦創建的獨立半導體公司）今天推出BLC7G22L（S）-130基地台功率電晶體，這是恩智浦應用其領先業界的第七代橫向擴散金屬氧化物半導體（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor；LDMOS）技術的首款產品，專為高功耗和Doherty放大器應用進行最佳化。恩智浦的第七代LDMOS技術可以實現目前功效最高的LDMOS解決方案，與上一代產品相比，功率密度提升了20%，功率效能增長了兩個百分點，而Rth熱阻則降低25%以上。恩智浦第七代LDMOS基地台前期電晶體的初款原型將於2008年美國喬治亞州亞特蘭大舉辦的IEEE MTT-S國際微波研討會期間進行展示。

恩智浦RF功率產品線行銷部門經理Mark Murphy表示︰「隨著電信系統商開始提供以HSDPA和LTE等技術為基礎的超高速服務，無線網路基礎設施的功率需求也已達到空前的水準。恩智浦如今利用第七代LDMOS技術，推出業界性能最高的LDMOS基地台電晶管，其功率增加效率遠高於目前市場上的任何產品。」
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4 E+ |2 n& D% e3 M; ~! J  a第七代LDMOS的性能達到3.8GHz創下新紀錄，且輸出電容減少25%，可實現寬頻輸出匹配，進而設計出更簡單、性能更好的Doherty放大器。Doherty經成為新型基地台發射器的首選放大器架構，幫助無線網路系統商提升效率並降低成本。

) q4 ?2 y# s8 L: N: Z8 o& I0 jABI Research射頻（RF）元件與系統研究總監Lance Wilson表示︰「隨著數據驅動型服務逐漸成為無線基礎設施的重要條件，頂尖的RF功率放大器性能就成為必備。恩智浦的第七代LDMOS技術，憑著在功率密度和熱性能方面的重大進步，必定成為該公司進入相關應用頂級設備市場時的重要資產。」

供貨

恩智浦的第七代LDMOS新型基地台電晶體將於6月15日到6月20日在MTT-S國際微波研討會的第523號攤位進行展示。BLC7G22L（S）-130的工程樣片將於2008年第三季問世。以恩智浦第七代LDMOS技術為基礎的其他產品將於2009年推出。
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有關恩智浦第七代LDMOS技術的其他訊息，請參考恩智浦半導體RF功率產品目錄，網址為 http://www.rfpower.nl/cdrom。