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[問題求助] 英飛凌單晶片解決方案獲中興通訊採用製造超低成本手機

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發表於 2007-5-25 14:57:23 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
(台北訊) 2007年5月25日 - 英飛凌科技(Infineon Technologies)今天宣布,中國通訊設備製造大廠中興通訊(ZTE) 新型手機系列將採用英飛凌單晶片E-GOLD™語音解決方案之ULC2(第二代超低成本)平台,預計將於2007年中旬由各大行動通訊業者開始舖貨。
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英飛凌ULC2平台採用E-GOLDvoice系統單晶片解決方案,結合單顆基頻處理器、無線電頻率接收器、功率控制單元與動態隨機存取記憶體等元件在一個8 mm x 8 mm封裝空間內。此解決方案針對主打語音功能的手機,包括彩色顯示螢幕、文字訊息與和弦鈴聲等功能。此平台也附帶所有必須軟體,縮短廠商開發時間,包括GSM協定堆疊(protocol stack)與英飛凌研發的參照式人機介面。
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$ J& }5 g, I5 y' \- [& ]; ^英飛凌通訊事業群業務暨行銷部門副總經理Dominik Bilo指出:「我們很高興中興通訊選用英飛凌之ULC2平台作為他們因應新興市場之新型超低成本手機。這項決定印證市場對ULC2平台的高接受度,原因在於其高度整合、最小元件封裝空間以及最短的上市時程。」
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3 H% D/ H* z4 I: l關於英飛凌ULC2平台2 w  G# q% Q7 k3 r
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ULC2為英飛凌第二代超低成本手機平台,採E-GOLDvoice單晶片解決方案。ULC2小巧的體積,結合高度客製化軟體套件,使手機製造商能輕易調整設計,滿足各類通訊業者與市場需求。ULC2解決方案可輕易附加額外功能,讓手機製造業者能擴展產品類型,同時符合新興與成熟市場的需求。
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發表於 2009-1-16 10:24:16 | 只看該作者
原帖由 heavy91 於 2008-2-20 12:01 PM 發表 7 ~, Y3 J, f6 \
英飛凌單晶片 EDGE/UMTS RF 收發器 SMARTi™UE+ 榮獲行動電話領導公司採用8 I# J0 O! z& q: I0 a& t7 m* W
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台灣台北,2008 年 2 月 20 日訊 – Infineon Technologies AG (英飛凌;FSE/NYSE:IFX) 今天宣佈,另一家領導級手機公司已為其 HS ...
英飛凌推出兩款全新LTE 3G射頻晶片-具備LTE最高傳輸速率的 SMARTi LU與適用於最低成本 3G 裝置的SMARTi UEmicro
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2009 1 16日台北訊】
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英飛凌(FSE/NYSE IFX)在今天宣布推出第二代LTE技術的射頻收發器樣本, SMARTi™ LU 是採65 奈米CMOS製程的單晶片射頻收發器,能提供具備 DigRF 數位寬頻介面的 2G/3G/LTE 功能,在 LTE 網路中的最高資料傳輸速率高達 150 Mbps
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此外,英飛凌亦同步推出廣受業界青睞的 3G 射頻收發器 SMARTi™ UE 系列第三代產品 -- SMARTi™ UEmicro,經最佳化適用於最低成本的 3G 設計,讓雙頻 WCDMA/EDGE 的射頻系統 e-BoM 成本可壓低至僅僅 6.50 美元,
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比起市面上現有的解決方案,大幅減少約 40%4 a+ ~; q& g( \7 n. f- c- W
英飛凌無線解決方案事業處副總裁暨射頻引擎(RF Engine)業務部總經理 Stefan Wolff 表示:「英飛凌率先推出業界第一顆2G/3G/LTE 單晶片射頻收發器 SMARTi LU,再度展現公司在提供高性能、多模射頻收發器解決方案的領導地位。除了繼續引領在 LTE 射頻的創新,我們也特別針對廣大市場對於低價 3G 行動的需求,推出 SMARTi UEmicro,降低組裝零件的數量及系統成本。只要能夠達成消費市場大幅降低成本的目標,就能加速驅動3G技術在新興市場的商業化。」  
( J7 l. [2 K6 F5 V. ]0 f' [' e$ d
2 J- w# Z# H$ e0 C5 K( u: U: R: ySMARTi™ LU 1 w3 e  H) ?) K- e% z; K9 }, @
SMARTi LU 是一款符合 3GPP Rel.7 Rel.8 的高度整合 2G/3G/LTE 多模射頻收發器,能以四頻 GSM/EDGE 同時支援多達六個 3G LTE 頻帶。SMARTi LU 具備眾多特色,包括 LTE FDD 4 級(高達 150 Mbps 下鏈速率、50 Mbps 上鏈速率)MIMO Rx 多樣性 (2Rx + 1Tx)HSPA+HSPAWCDMA GSM/GPRS/EDGE。本裝置也能在多種頻帶上支援廣佈全球的 HSPA/LTE 規格。SMARTi LU 也具備符合 MIPI DigRF v4 的高速數位基頻介面,不僅向「全數位」應用邁進一大步,也讓矽晶密集的基頻晶片加速邁向如32奈米以下等更小的技術節點。SMARTi LU 是以多家半導體晶圓廠所提供的標準 65 奈米 CMOS 技術為基礎。
6 q0 i1 ]( y4 K, _+ X# T樣本及量測結果將於今年在巴塞隆納舉辦的全球行動通訊大會 (Mobile World Congress) 會場中展示。 0 a( i0 w6 O3 g0 C- F  q
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SMARTi™ UEmicro
5 s. l  M6 s- M1 V+ F# _SMARTi UEmicro 是一款專門針對 3G 市場低階族群的2G/3G CMOS 單晶片射頻收發器,為英飛凌廣受業界採用之 SMARTi UE 低價版,能透過 DigRF v3.09 與軟硬體介面向下相容。SMARTi UEmicro 捨棄外部「低雜訊放大器」(LNA),簡化的共頻射頻前端也省略了 Rx 濾波器,正能符合市場上對於超低價 3G 手機的廣大需求。SMARTi UEmicro 可支援三種全球通用的 WCDMA 頻帶以及雙頻和四頻 GSM/EDGE,以最低的系統成本,提供卓越的射頻性能。
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, u. r8 t+ D, }8 CSMARTi UEmicro將從 2009 年第二季開始提供客戶樣本,並預計在 2009 年底量產。
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  B  Y" c; R  e$ S[ 本帖最後由 heavy91 於 2009-1-16 10:37 AM 編輯 ]
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發表於 2008-7-16 14:24:54 | 只看該作者

字源公司與中興通訊簽訂Decuma手寫使用協定

(加拿大阿爾比省訊)字源公司(Zi Corporation)與中國通信設備製造商中興通訊簽訂五年的Decuma手寫中英文使用許可協定。隨著應用Decuma產品的上市,字源公司將獲得後續的技術提成費用。中興通訊與全球多家電信大廠在NGN和移動設備領域簽署多項戰略合作協定,如葡萄牙電信、法國電信、阿爾卡特、愛立信和北方電信,還與和記電訊在3G領域、與馬可尼在光傳輸系統領域簽訂合作協定。中興通訊每年移動設備發貨量約3000萬件(包括移動電話、資料存儲卡、數據機、固定無線終端等)。: u8 @3 E' M( c7 L3 c0 _3 D

, D& Q# c* r" z* ~字源公司總裁兼首席執行長Milos Djokovic表示:「我們很高興中興通訊除了選用字源公司的預測文本輸入解決方案外,又選用我們的手寫識別方案。中興通訊具有完備的通信產品生產線,涵蓋有線、無線和終端市場的每個縱向領域。加上字源公司全線解決方案和全球語言的應用,無疑可以滿足中興通訊全球化市場的定位。」
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中興通訊研發總監Adam Zhang表示,「擁有獨立自主的創新研發能力,堅持以用戶和市場為導向的發展戰略,中興通訊有能力開發並生產出領先市場的一流移動設備。我們相信字源公司的Decuma手寫識別方案能幫助我們開發出可信賴的、精准的筆式輸入新品,並進一步提高和豐富用戶體驗。」
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! F' R/ V8 [, ?# |1 z6 _字源公司致力於研發創新產品,為全球數百家用戶提供支援的軟體,其移動搜索、輸入和廣告領域提供探索與適用性解決方案,可為移動運營商提供創新途徑,幫助其向用戶展示新服務和新內容。字源公司的產品可支援 1000 多款手機型號,在目前市場上的大多數技術平臺上都能實施。
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發表於 2008-4-3 15:06:19 | 只看該作者
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英飛凌公司新推出具有業界最高輸出功率峰值之LDMOS射頻功率電晶體,適用於2.5至2.7 GHz WiMAX無線寬頻用途
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: J+ V* b3 c' _$ g  P7 P# q2008年4月3日台灣台北訊 – 通訊IC及解決方案領導供應商英飛凌科技公司(Infineon Technologies AG,IFX: FSE, NYSE)今日發表兩款新型LDMOS射頻功率電晶體,適用於無線通訊基礎架構應用領域,例如2.5 GHz至2.7 GHz之WiMAX。這兩款新產品提供之輸出功率峰值可達170瓦,進一步擴大英飛凌為WiMAX領域所提供射頻功率電晶體之產品種類,現有產品功率包括10瓦、45瓦及130瓦。新款LDMOS射頻功率電晶體之高峰值功率效能將可讓設計師簡化騎射頻功率放大器之設計。
4 O" P. P+ m. k1 s/ z
  S+ P; e; M, \9 i& n% I9 r英飛凌科技公司射頻功率部門副總裁兼總經理Helmut Volger表示:「在這兩款產品加入我們完整的產品項目之後,英飛凌將持續提供市場上功率峰值最高的射頻功率電晶體。隨著無線通訊基礎架構市場採用WiMAX及其他新技術,像英飛凌LDMOS射頻功率電晶體這樣具備先進特性及功能的產品,將成為設計師工具組合中的重要元素。較高的功率峰值可讓設計師開發出更單純的設計,並降低整體的零組件使用量。」/ C% G9 V  [/ q" L/ Z  V. A8 d* Q
在WiMAX的訊號條件下,英飛凌的PTFA260851E/F 85W FET可在平均輸出功率16瓦時,提升14 dB (典型)及22%的效率(典型)。同樣在WiMAX的訊號條件下,英飛凌的PTFA261702E 170W FET可在平均輸出功率32瓦時,提升15 dB (典型)及20%的效率(典型)。
  V5 F& w" R) o
  D7 u8 o* T6 j1 D$ R英飛凌PTFA261702E的額定功率為170瓦 (P-1 dB),在2.5 GHz至2.7 GHz頻段中,為業界最高之輸出功率峰值。此電晶體的架構可提供一半的電子隔離,更容易運用於Doherty功率放大器。此裝置亦可使用於推挽式(push-pull)組態,以提升頻寬效能。# `) L% f4 w  A* f+ p# X3 ?
這兩款產品均採用無鉛且相容於RoHS之陶瓷封裝。這些電晶體在28 V電壓下運作,可提供頻寬內部匹配,並可在連續波(CW)功率輸出及供應電壓28 V時,處理10:1 VSWR (voltage standing wave ratio)。
8 U: R! L) ]* b. T7 x- M  L
, V$ c5 n4 [! L8 n) h9 f產品供應# @  @' [' {* ?  ?: G* J( \* v
英飛凌PTFA260851E/F及PTFA261702E目前正在生產中。
$ @5 H1 ]9 E/ {如需有關報價及詳細資訊,請洽詢highpowerRF@infineon.com或電洽1-877-465-3667 (GO LDMOS)。
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發表於 2008-2-20 12:01:34 | 只看該作者
英飛凌單晶片 EDGE/UMTS RF 收發器 SMARTi™UE+ 榮獲行動電話領導公司採用9 h8 m6 `/ f  j* `1 d
1 q( X$ M' p! ^
台灣台北,2008 年 2 月 20 日訊 – Infineon Technologies AG (英飛凌;FSE/NYSE:IFX) 今天宣佈,另一家領導級手機公司已為其 HSxPA/EDGE 產品選用 SMARTi™UE+:具備標準 DigRF V3.09 介面的全球首創單晶片接收分集 (Receive-diversity) 收發器 IC。單晶片 RF 大幅提昇從基地台傳送至手機的訊號品質,增加有效的資料傳輸量,並減少必要的網路資源。英飛凌雙接收器 (接收分集天線 (Rx-diversity) MIMO) 解決方案與傳統單接收器產品相較之下,能補償真實網路的各種劣化效應 (例如訊號時強時弱、反射等),特別是在較高的 HSxPA 類別中,使用者將獲得較高的有效下行鏈接速度、更大的網路覆蓋範圍、減少網路電話 (Voice over IP) 與視訊應用程式的遺漏;而網路業者則能大幅提昇網路容量與服務品質。由於 SMARTi UE+ 採用特殊架構,使手機製造商能將生產程序中的測試週期減少為 10 分之一以下。- v3 o# p* x5 C0 |

+ [) j! ]; J6 y0 |英飛凌 RF 引擎事業單位副總裁兼總經理,Stefan Wolff 先生表示:「兩家領導級手機公司相繼採用本公司的分集 RF 解決方案:SMARTi UE+。我們發現市場對於尖端 3G RF 技術與產品的需求強勁成長。接收分集正成為 UMTS 的一項重要功能,HSxPA 與 LTE 的較高資料傳輸率將使這項功能成為必備。」$ o/ N7 P1 x4 E; T' H( F
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Strategy Analytics 市場研究公司表示,預期 2010 年 UMTS 電話年銷售量將突破 4 億支。這些電話當中絕大部分具備 HSPA 功能,因為電信業者逐漸改用效率更高的 3G+ 網路,以滿足使用者對於社會網路、多媒體傳訊、行動定位服務以及其他服務,強烈需求更快速、更廉價的上行鏈接與下行鏈接。
1 m) `& z7 Z) q6 _7 l0 i  Z9 p5 B5 Z0 |+ x
關於 SMARTi™UE/ UE+' ^9 w3 f: n3 I+ h
SMARTi UE+ 於去年的 3GSM 展覽中公開,是以含單一接收器而廣受採用的 SMARTi UE 為基礎,並具備標準 DigRF V3.09 介面的全球首創單晶片接收分集天線收發器 IC。這兩種產品均以可輕易延展的 RF 解決方案,滿足全球對於 HSxPA/EDGE 的需求,在 HSDPA (14.4Mbps) 與 HSUPA (5.76Mbps) 中提供最多類別。藉助於 SMARTi UE+,4 頻 EDGE 與 3 頻 UMTS 分集的完整分集 RF 系統可以小到 360 平方公釐;單頻 UMTS 與 4 頻 EDGE 需要的 PCB 面積不到 250 平方公釐,成本因此大幅下降。無線電參考設計僅使用單一 RF 電波暗室中傳統 8 層電路板中的 4 層。獨特的無線電架構大幅縮短 3 頻 UMTS 電話的工廠校準時間:從 30 秒以上,減為 3 秒以內。6 P8 n0 `, {4 r6 S2 A2 O

! M  j: U" j/ }1 O. u  W供貨
; \8 A# r; P; B9 f& gSMARTi UE+ 以大體積的 130 奈米標準 CMOS 技術產製,採用小型 6 x 7 公釐 BGA 封裝。樣品已交付選定的客戶,預期將於 2008 年下半擴產。
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 樓主| 發表於 2007-7-18 11:05:47 | 只看該作者

英飛凌針對驅動功能型手機提供EDGE解決方案

根據資策會MIC統計數據,2005∼2010年全球行動電話用戶數的年複合成長率(CAGR)將達9.3%,顯示未來手機發展將趨於多元化,功能上也將持續整合,包括多媒體播放、行動電視(Mobile TV)接收與傳輸速率升級等。因此使得驅動功能型手機(Feature Phone)在市場上顯得重要。
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英飛凌科技驅動功能手機事業單位通訊解決方案事業群行銷總監Freddy Stevens針對驅動功能型手機提出見解,說明英飛凌EDGE完整解決方案與英飛凌HSDPA平台。) {. P& y( x" ^" I

8 ]9 x" m$ k* {6 cFreddy Stevens說明英飛凌日前針對GSM╱EDGE行動電話推出S-GOLD radio單晶片解決方案。S-GOLD radio封裝中包括一個單晶體(Monolithically)整合式基頻控制器、無線射頻收發器(RF Transceiver)和功率管理元件,可減少15%之系統零件數和20%的印刷電路板面積,使整體eBOM減少達30%。
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另外,英飛凌採用S-GOLD3H的新一代HSDPA/WCDMA/EDGE多媒體平台MP-EH將提供更高整合度。除EDGE的四頻道,它可同時支援WCDMA手機標準中所訂的六個頻道中之任何三個頻道,同時在3GPP Release 5協定堆疊中提供高達7.2Mbit/s傳輸率的HSDPA。 " }7 ?7 c# C3 A  b8 ?  L
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根據英飛凌在2006年的統計,EDGE在2010年將會是最大的市場,而HSDPA將在2009年超越WCDMA。Freddy Stevens表示,英飛凌具有最大整合、最低成本、以及最小尺寸和最低功耗的優勢,因此以其領先技術,將持續在3G晶片組市場上,成為市場上唯一之單晶片HSDPA/EDGE CMOS RF解決方案。
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