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[創新研發] Microprocessor Report年度「創新」獎揭曉

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發表於 2007-3-1 18:00:18 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
Editorial: MPR Analysts' Choice Awards
, o. D2 |% \  z9 G2 U$ J- tMPR Innovation Award: Razor
/ n% E& t. t; A7 e3 j! HMPR Innovation Award: Eutecus
5 K! M) Q! O. m2 U9 v" U5 vMPR Innovation Award: High-k
8 v- r! C4 P5 i0 a% FMPR Innovation Award: Planet82's SMPD 4 U, }$ N$ q; n" s! a5 r7 ]
MPR Innovation Award: Ambric
# {9 d) l2 H1 ?9 oMPR Innovation Award: ARM996HS ) f5 Z- A9 n- s- w
MPR Innovation Award: MRAM
* A' ^! e/ Z1 ~1 n4 L; R' M. l, fMPR Innovation Award: Intel Core3 u) i$ T5 m$ w/ h& ]
& C, U: @+ ^! [$ i8 t" t+ d& f" ~
飛思卡爾的MRAM元件榮獲Microprocessor Report的創新類獎項- U4 p( k$ }; L! q( S
MR2A16A先進的磁電阻式隨機存取記憶體,陸續獲得業界肯定
6 x& b" C% P2 N4 \+ ?* U/ R7 {' o4 r3 A5 Y8 ]2 h) _; V7 e
2007年2月26日德州奧斯汀報導 – 全球首屈一指的嵌入式半導體產品設計兼製造廠商飛思卡爾,其4百萬位元MRAM元件最近榮獲In-Stat的Microprocessor Report年度「創新」類獎項。該元件在同年內也獲得了Electronic Product的「年度產品大獎」、同時還入圍了EDN的創新大獎及EE Times的ACE大獎等獎項的決選。
( S' v* C* ~' @7 h
5 u% z5 O4 ?" d1 `MR2A16A元件融合了非揮發性記憶體(non-volatile memory,NVM)及隨機存取記憶體(RAM)雙方的優點,為新型的智慧型電子元件提供「瞬間啟動」及功率損耗防護等功能。MRAM元件適用於多種商業應用,例如網路、安全性、資料儲存、遊戲及印表機等等。MR2A16A的設計可以提供可靠、經濟的單一元件替代方案,以取代原本需要附帶電池的SRAM單元。該款元件亦可用在快取緩衝器、組態儲存記憶體,以及其他需要MRAM高速、耐久及非揮發性等特點的應用。
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4 u( d5 g* @& t( g* M, K  `飛思卡爾運輸及標準產品事業部資深副總裁暨總經理Paul Grimme表示:「從像In-Stat的Microprocessor Report這樣信譽卓著的刊物獲得來自業界的持續肯定,更突顯了MR2A16A MRAM產品在突破性創新及商業方面的潛力。身為第一家將MRAM技術商業化的廠商,我們堅信飛思卡爾的非揮發性記憶體產品,絕對會成為近十年來在半導體技術方面最重大的突破之一。」
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3 T0 U( G- ?$ S) ]. x' T4 E獲獎者皆由In-Stat的技術分析師遴選而得,他們代表國際知名的新聞刊物如Microprocessor Report及春秋兩季的年度Processor Forum (處理器論壇)背後的團隊。In-Stat是Microprocessor Report的發行機構,於2月20日公佈了第八屆的分析師推選大獎。該獎項代表了微處理器業界中最富趣味及活躍的產品領域。要獲得入圍,候選產品必需要具備重大的技術創新及話題性、而且必須是去年推出的新產品。 1 m7 m: ~' b: Q% w) W! t: p! R
, ^. S2 H8 W* E, c; U7 T# ^
有關飛思卡爾的MRAM產品及技術詳情,請參閱網http://www.freescale.com/files/pr/mram.html! t' q2 W+ g+ _! K; |# G; w. O
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[ 本帖最後由 jiming 於 2007-3-1 06:01 PM 編輯 ]
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