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台灣在射頻晶片缺席

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發表於 2007-1-2 10:33:29 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
射頻晶片產業發展 刻不容緩 •聯合新聞網 2006/05/10  【2003-06-30/經濟日報/記者彭朝忠】
2 p( {$ M/ v- m- x. Ihttp://pro.udnjob.com/mag2/army/storypage.jsp?f_ART_ID=23578
( I. r3 d( ~0 X8 D0 d! y- B: L) V$ u
, `/ E- O6 J0 a/ @! J由於通訊產業已成為台灣發展電子產業的火車頭,因此台灣射頻 (RF)晶片設計業者呼籲,產官學界應正視「台灣在射頻晶片缺席」的事實,合力謀求補救之道,全力發展射頻(RF)晶片設計產業。  
3 E5 q' s) @8 Y' Q
" J+ e  M6 f, v  g- M; s由明�集團投資的射頻晶片設計業者絡達科技總經理呂向正表示,由於全球手機需求量快速攀升,射頻(RF)晶片可望成為無線通訊領域當紅的關鍵元件,而台灣電子業具有完整的相關產業鏈及群聚優勢,有足夠條件發展射頻 (RF)晶片這塊新興產業,值得產官學研各界共創契機。 " x( b" y. k2 B

5 I. U, r% T$ w5 Y+ J目前台灣的IC產業,無論在前端的設計、晶圓製造,或是後端的封裝、測試,都已在全球占有不可撼動的成果,可惜大部分只侷限在數位晶片領域,至於能夠設計射頻晶片的則是少的可憐,據了解目前已進入,或有意進入射頻晶片領域的IC設計業者,有聯發科、絡達、瑞昱、揚智、力原等。
4 w' V- [) u% H) }5 q* u
7 S. p0 }% r  W目前國內投投入基頻晶片設計的業者,早期以藍芽(Bluetooth)為主,去年則陸續轉戰WLAN市場,預估目前約有數十家公司仍在這個領域努力經營。
$ F1 R4 J8 V2 B' \$ T- t. }
7 e$ t1 t$ m. q3 L據了解,除聯發科技同時發展基頻及射頻晶片,以及絡達科技專攻射頻晶片外,目前國內基頻晶片設計公司,大部分是與國外射頻晶片設計公司合作。但因地理區隔的限制,常在取得國外射頻晶片時,才發現腳位定義錯誤,加上理念、價格等問題,技術合作成效並不顯著,甚至常因國外射頻晶片無法在價格上充分支持,國內基頻廠商只好犧牲基頻晶片的利潤,最後鬧的不歡而散。
, Q! c  u0 q$ Y" Q( o. m! Q& ?# a
呂向正強調,台灣射頻晶片設計公司的競爭優勢有賴於完整的產業鏈及群聚性,而射頻晶片設計公司採用國外RF製程,整體競爭力難免會因地理區隔打折扣,所以台積電及聯電兩大晶圓代工龍頭,必需在RF製程上迎頭趕上,配合優質廉價的工程人才,成為台灣射頻晶片設計業者,吸引歐美將產品移轉台灣設計生產的有利後盾。
* X! Q, c# S1 N1 M) ?. B  L1 `/ }! H, K
為深耕射頻晶片這塊處女產業,業者建議政府應大量提供射頻晶片公司國防役名額,工業局專案補助也應照顧仍在奮鬥中的射頻晶片設計業者,至於大學則可多培養相關人才,解決業者研發人力的不足。
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發表於 2014-8-26 17:23:57 | 只看該作者
Peregrine Semiconductor——解決全球最艱巨的射頻挑戰
8 v. o( e+ r# ^4 n; b+ b0 @4 f+ Y; P7 P
射頻SOI(絕緣層上矽)發明者Peregrine Semiconductor Corporation (NASDAQ: PSMI)是領先的高效能整合射頻解決方案無晶圓廠提供商。自1988年以來,Peregrine及其創始團隊一直在改善UltraCMOSR技術——獲得專利的先進形式SOI——以提供用於解決射頻市場最大挑戰(如線性問題)所需的效能優勢。仰賴具備同類最佳效能和單片整合的產品,Peregrine已成為各領域市場領導者值得信賴的選擇,包括汽車、寬頻、工業、物聯網、軍事、行動裝置、智慧型手機、太空、測試和測量設備以及無線基礎設施。Peregrine持有180多項已提交申請的專利和待批准專利,UltraCMOS出貨量已超過20億件。查詢詳情,請造訪http://www.psemi.com) U, D7 l# g# E1 b( @6 y. a& @: e4 N
- o/ ?2 }; `9 \1 j/ ~& {% o. O, L
關於村田製作所
+ N. `( e% d' G; A* t0 B
3 P) n' ?+ |+ w村田製作所株式會社是設計、製造和銷售陶瓷被動電子元件和解決方案、通訊模組和電源模組的全球領導者。村田製作所致力於研發先進的電子材料和尖端的多功能高密度模組,年營收達8,460億日圓(約合84億美元)。公司的員工和製造設施遍佈全球各地。查詢詳情,請造訪村田製作所官網http://www.murata.com/
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發表於 2014-8-26 17:23:52 | 只看該作者
Peregrine Semiconductor董事長兼首席執行長Jim Cable博士表示:「村田製作所是世界領先的射頻模組和濾波器提供商,與村田製作所的多年合作使我們獲益良多。村田製作所的領先產品與Peregrine的尖端SOI產品相結合,將使我們有能力在選定的市場上展開強有力的競爭。作為村田製作所團隊的一部分,我們將能夠擴展現有的合作關係,並使業界加快過渡到整合的全CMOS射頻前端。我們依然致力於為當前市場上的所有客戶提供領先解決方案。我們非常尊重村田製作所的能力,並期待與其攜手締造非凡成就。」
* i7 y+ v0 v0 D) _2 _& Y' [& Y+ {1 |3 e# y0 v
這項收購將使村田製作所具備先進射頻前端能力和全球最佳的絕緣層上矽(SOI)製程技術,這些都是行動科技日益整合的重要領域。智慧型手機和其他無線裝置的射頻需求繼續朝向複雜化發展。只有矽技術才能解決這種複雜性。Peregrine是多個無線市場的供應商,這些市場包括:智慧型手機、測試與測量、汽車、公共安全無線電和無線基礎設施。Peregrine還將為村田製作所提供涵蓋整個射頻SOI前端的強大智慧財產權(IPR)組合。
6 ]' s5 b" L4 A0 p
! X1 \. ]/ W/ |/ h0 J這項交易已經獲得兩家公司董事會的批准,可望於2014年底或2015年初完成,但尚須獲得Peregrine股東和監管機構的審核通過以及達成其他慣例成交條件。
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發表於 2014-8-26 17:23:35 | 只看該作者
村田製作所將以每股12.50美元的價格以現金收購Peregrine Semiconductor
( e( ^6 O& _  E7 [: V' {1 \8 w6 ]) ~9 ?( z
(20140826 15:22:49)日本京都和聖地牙哥--(美國商業資訊)--村田製作所株式會社(Murata Manufacturing Co., Ltd.) (TSE/OSE: 6981)全資子公司Murata Electronics North America, Inc.和Peregrine Semiconductor Corporation(下文簡稱Peregrine)(NASDAQ: PSMI)今天宣佈,兩家公司已經簽訂一份最終協定,根據該協定,村田製作所將以每股12.50美元的價格,以現金收購非該公司持有的所有Peregrine已發行股票,交易總價為4.71億美元(減去村田製作所現有持股後為4.65億美元)。Peregrine是射頻SOI(絕緣層上矽)的發明者、先進射頻(RF)解決方案的先鋒,也是行動和模擬應用領域射頻前端(RFFE)解決方案的領先提供商。交易完成後,Peregrine將成為村田製作所核心業務擴張策略的一部分。Peregrine將成為村田製作所的全資子公司,並延續其目前解決全球最艱巨射頻挑戰的業務模式。
4 b* O, I+ V7 A: e6 P1 v& F6 ]
$ _" j1 Y' h5 Z' j2 G' |村田製作所執行副總裁兼通訊業務部總監Norio Nakajima 表示:「這項收購將結合村田製作所全球領先的行動射頻模組能力與Peregrine同類最佳的射頻前端產品。Peregrine擁有一支才華橫溢的射頻工程師團隊。Peregrine發明了射頻SOI,20年來一直引領著射頻SOI的發展,在業界的首創記錄不勝枚舉。我們已經與他們密切合作多年。他們的創新,包括全球首創的全矽整合射頻前端,是行動通訊產業的關鍵策略領域。這項交易將深化我們現有的合作,並使我們能夠把握這一領域日益增多的商機。」
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發表於 2014-8-21 10:28:33 | 只看該作者

英飛凌宣布併購美商國際整流器公司(IR)

Infineon Technologies AG to Acquire International Rectifier Corporation for US-Dollar 40 per share, approximately US-Dollar 3 billion in cash ( t$ t8 c+ t) \7 R) `

$ I  P' e; W% B, C  y6 \§  Acquisition creates a highly complementary and innovative semiconductor product portfolio, distribution strength and a stronger regional presence.! s( G' u/ m5 i+ S# Z
% J& O0 u; m7 \$ q! H
§  Integration complements Infineon’s expertise in power semiconductors and adds system know-how in power conversion, while expanding its expertise in compound semiconductors (Gallium Nitride on Silicon) and driving greater economies of scale in production.
& B( h6 b$ a7 ?( o  h0 w" i% h" v9 d8 r
9 a) O2 k: U+ m4 L, P0 q§  US-Dollar 40 per share in cash to be paid for all International Rectifier outstanding shares, representing a premium of approximately 47,7 percent over the average share price of International Rectifier during the last three months and a premium of approximately 50,6 percent over the closing share price of International Rectifier on August 19, 2014.
* z  ^& n, w  ~- j5 h; h9 A/ N+ x, t, x
§  Transaction expected to be accretive to pro-forma EPS within the first fiscal year of closing and margin contribution should be at least in line with Infineon’s average-cycle target of 15 percent at the latest within the second full fiscal year after closing. " {. _! W% F* g: v/ T

9 o* K/ F/ B6 e§  Transaction will be financed by additional debt and cash-on-hand, further optimizing Infineon’s capital structure.
  }  X2 Z; V0 L/ O1 V
1 a2 e8 l/ p% `+ U/ |0 w( {+ |+ y5 CThis news release is available online at http://www.infineon.com/press/
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發表於 2014-6-25 13:50:01 | 只看該作者
此外,科銳經驗證的氮化鎵技術提供無可匹敵的效率,可提升系統的散熱設計並降低成本。更高效率的解決方案有助開發更小且更輕的無線電單元,為已過於擁擠的蜂巢式高塔減輕負擔。同時,提升了的效率也能顯著節省公共事業運行網路的成本。7 n( g0 ~0 e9 o0 B! X$ F4 s
  l& r4 c7 P# h, `
科銳射頻事業部總監Jim Milligan表示:「我們新推出的低成本高性能塑膠封裝電晶體系列,將改變電訊OEM廠商對基地台平台設計的處理方式,為蜂巢式營運商提供更多的靈活性和連網選項以服務客戶。我們新的封裝平台能夠打破造成電訊基礎設施供應商無法完全開拓氮化鎵性能的主要成本障礙,在高成本效益的解決方案上提供寬頻和高效率性能,我們相信在設定好新標準的性能和價格後,氮化鎵已做好受到快速採用的準備。」, d/ k9 U4 L: A! a, a
: ~7 H8 W( b/ A) L$ f6 r
科銳現已開始供應功率為60、100、150、200和300瓦特的新型塑膠封裝氮化鎵HEMT射頻電晶體,這些產品可在高達3.8GHz的頻率範圍運作。此外,該系列還提供對690~960 MHz和1800~2300 MHz或2300~2700 MHz蜂巢式頻段預先配對的電晶體產品。用於Doherty放大器的科銳氮化鎵塑膠封裝電晶體,在電壓50V的7.5dB PAR LTE 訊號下,2.6GHz時的平均功率為80W,汲極效率(drain efficiency)為50%,而額定輸出功率具有17dB增益。整個50V塑膠氮化鎵電晶體系列已經驗證,符合濕度敏感等級3(MSL-3)與JEDEC環境標準。
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發表於 2014-6-25 13:49:57 | 只看該作者
科銳推出新型低成本高功率氮化鎵射頻電晶體 實現更高資料傳輸速率的電訊系統
* H* E# _* z# K' B, w+ r; p$ |' f完善的電晶體提供突破性的性價比 業界首款設計用於電訊的300W、2.7 GHz塑膠封裝氮化鎵電晶體
' j0 a6 O9 D3 V7 o4 i
% o7 ~* c: R& [2 y' T. z" n( y科銳公司(Nasdaq: CREE)推出以創新塑膠封裝設計為基礎的新型高功率氮化鎵(GaN)射頻(RF)電晶體系列,在低成本平台上充分發揮了出色的氮化鎵射頻性能。初步推出的產品包括業界第一個300W、2.7GHz操作的塑膠封裝電晶體,提供無與倫比的65% Psat效率和頻寬性能,而價格約只有以業界標準陶瓷封裝的氮化鎵電晶體的一半。新型的氮化鎵電晶體可擴展至高功率水平,能在高達3.8GHz範圍內的所有蜂巢式電訊頻段上運作,同時可望實現更小、更低成本的大型蜂巢基地台 (macrocell) 無線電單元,以支援今日蜂巢式LTE網路不斷成長的資料需求。
5 S/ c3 Z1 J( x) u! b6 c% k: i& o+ X! z' q3 `
ABI Research研究部總監Lance Wilson指出:「無線電訊基礎設施的射頻電晶體市場每年接近十億美元。雖然Silicon LDMOS技術在過去二十年一直居於主導地位,但是近年氮化鎵射頻功率元件憑藉其性能表現已獲取相當程度的市佔率,不過由於它的高成本因素,因此市場接受度至今仍受限。科銳的最新高功率塑膠產品系列可降低氮化鎵電晶體的成本至接近Si LDMOS的程度,並可加速在電訊應用上更廣泛的採用。這將使氮化鎵電晶體成為下一代無線網路的主要選擇。」- @0 K$ ^# `: |0 j* y

+ C3 g& v2 H8 v* K科銳的新型寬頻氮化鎵電晶體具有橫跨多個蜂巢系統頻段運作的靈活性,協助網路營運商部署載波聚合(carrier aggregation)解決方案,可加入不同的光譜頻段和創造更大的資料管道,以支援更快的下載速度,並提供額外的網路容量。此外,蜂巢式基地台OEM廠商也能藉著利用少數特定頻段放大器滿足市場的需求,從而善用這項靈活性來加速產品上市。
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發表於 2014-6-25 13:49:23 | 只看該作者
RFaxis推出新款純CMOS大功率2.4GHz WLAN功率放大器,擴大11ac射頻前端解決方案) Y% \* h1 f: v' ~4 I5 n
RFX241 CMOS線性功放提供26dBm輸出功率並與市面上同類產品管腳相容" Y# a  T; C$ O) H( c

1 R) D# z- `5 h0 U* S/ l加州歐文 (2014年6月18日)--專注於為無線連接和蜂窩行動市場開發創新型下一代射頻(RF)解決方案的領先無晶圓半導體公司RFaxis, Inc.今天宣佈,該公司用於無線局域網路(WLAN)應用的RFX241高功率2.4GHz功率放大器(PA)已投入量產。. n- N" P, t2 J4 A
% d: q+ n% n) K: T2 k8 ]
RFX241最新加入RFaxis瞄準快速增長的無線接入點(AP)、路由器(Router)、機頂盒(STB)、家庭網關(HGW)、熱點(Hotspot)等無線基礎設施市場的純CMOS大功率CMOS PA產品系列。RFX241可與包括RTC6649E在內的目前市場上常用的解決方案實現引腳對引腳相容。RFX241由純互補金屬氧化物半導體(CMOS)工藝設計製造,其價格遠低於採用昂貴得多的化合物半導體工藝的競爭對手解決方案。
/ `( ~/ N" I" t3 f( j
' v4 t- t. C/ G& m0 m純互補金屬氧化物半導體(Bulk CMOS)是有史以來設計射頻晶片所能採用的成本最低的半導體工藝。經優化的RFX241能夠在2.4GHz的頻率範圍內為IEEE 802.11b/g/n應用提供發射功率放大功能。RFX241採用緊湊的3.0x3.0x0.55 mm 16引腳四側無引腳扁平(QFN)封裝。它使用5V電源為OFDM/64QAM提供30dB的功率增益及26dBm的線性輸出功率(3% EVM),而且在相同功率輸出時比同類競爭的功率放大器可節省大約30mA消耗電流。RFX241集成了輸入端和級間阻抗匹配、RF去耦以及輸出功率檢測器,以實現精確閉環功率控制。由於使用CMOS邏輯控制電路、RFX241的偏置電流及系統穩定度遠遠優於基於傳統砷化鎵(GaAs)工藝的電路設計。- Q7 e" F7 `3 E; {8 u4 ~: F, m) R
  W4 g9 ~/ J+ l$ H( C( v
關於RFaxis, Inc.
2 G( @9 ]: I6 }4 S/ B% U4 _% [9 P5 Q7 ~7 D
RFaxis, Inc.成立於2008年1月,總部設於加州歐文,專業從事射頻半導體的設計和開發。憑藉其專利技術,該公司引領專為數十億美元的Bluetooth、WLAN 802.11b/g/a/n/ac、MIMO、物聯網、ZigBee、AMR/AMI和無線音頻/視頻流市場設計的下一代無線解決方案。利用純CMOS,結合其自身的創新方法、專利技術和商業秘密,RFaxis開發出全球首款射頻前端積體電路(RFeIC)。欲瞭解詳情,請訪問:www.rfaxis.com
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發表於 2014-6-11 11:53:31 | 只看該作者
更多關於ADRF6720 I/Q 調變器詳情, l+ ~5 w7 q/ G
! G0 g" F+ S# Z& S3 G$ C
ADRF6720是一款700 MHz至3 GHz的正交調變器,並整合了低相位雜訊合成器以及輸出RF balun。 此款調變器很適合使用於基地台、PtP無線電、以及高動態範圍無線電,能夠實現高達1 GHz通道頻寬的多重波段、高性能傳輸解決方案。ADRF6720也具備了使用於鏡像抑制、載波饋通修正以及線性度最佳化的數位可編程能力。1 ^3 q2 z% t% C# g* y+ \3 v
! `* O  X* h- v2 h) ^
更多關於ADRF6820 I/Q解調變器詳情
0 \' g3 m; S' @1 M  o& n; I7 q  k- R7 i- U3 p
ADRF6820是一款695 MHz至2.7 GHz I/Q解調變器,並整合了低相位雜訊合成器、2:1輸入RF開關、可調節的RF balun、以及RF DSA。整合型解調變器很適合使用於無線基礎架構應用領域中的觀察接收器與直接轉換接收器。額外的特點還包括了使用於線性度最佳化與I/Q相位和增益不匹配校正的數位可編程能力。
: h3 O9 @' s( B, U, w  Y6 K' y3 e0 T4 V9 m% _1 X
更多關於ADRF6612 雙通道混頻器詳情
  c6 L! D9 ^+ h* I. f  ~5 x9 D; t1 m& m& f: Y  u
ADRF6612是一款寬頻、雙通道RF降頻轉換器,並整合了IF放大器、可編程RF balun、以及低相位雜訊合成器。該元件被完整的設定為能夠在700 MHz至2.7 GHz內運作。這款寬頻、高線性度混頻器很適合常使用於3G /4G無線基礎架構應用領域中的雙通道主接收器與分集接收器。高輸入線性度與低雜訊使ADRF 6612能夠使用在頻帶內阻絕信號可能會造成動態範圍降級的應用當中。除此之外,在阻絕狀況性能下的雜訊係數相較於現有的窄頻被動式混頻器仍具有相當的競爭力。
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發表於 2014-6-11 11:53:22 | 只看該作者
ADI發表適用於多重波段基地台與微波點對點無線電的高性能RF IC
3 c' i9 E& B& z, C  W5 {新的可編程、高整合型調變器、解調變器以及雙通道混頻器簡化了3G /4G通訊、軍事/航太與儀器設備應用的設計; ^& R8 S& r# ~" N/ Y" l5 r

# @/ {5 n& T1 c
' I5 i  Z2 V5 t2 _  ^- V) f2 e# J/ p9 G(2014年06月11日,台北訊) Analog Devices, Inc. (NASDAQ:ADI)美商亞德諾公司日前在佛羅里達州坦帕市舉辦的國際微波討論會上發表一系列新的高整合型RF IC,能夠大幅簡化多重波段基地台與點對點(PtP)無線電的設計和降低其開發成本。這些新元件包括了ADRF6720 I/Q 調變器、 ADRF6820 I/Q解調變器 以及 ADRF6612雙通道混頻器。這些高整合型元件使需要多重波段支援、高動態範圍與寬廣通道頻寬的基地台與高性能無線電的設計得以實現。這些產品很適合使用在3G /4G通訊、微波PtP無線電、軍事/航太與儀器應用的設計當中。ADI新的RF IC提供了等同於採用分離式解決方案組合為基礎的設計性能,而且具有明顯更小的外型尺寸。這些新元件還具有嵌入式低相位雜訊合成器、RF開關與balun(平衡/不平衡變壓器)、數位步進衰減器(DSA)、以及可編程線性度最佳化功能。

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發表於 2014-4-21 13:56:38 | 只看該作者

TI 授予 12 家供應商年度卓越獎

(台北訊,2014 年 4 月 21 日)   德州儀器 (TI) 宣佈其 12,000 多家供應商中的 12 家公司憑藉出色的產品、服務和支援榮獲年度供應商卓越獎 (SEA)。獲獎評選根據各種標準,包括成本、環境與社會責任、技術、回應力、供應保障與品質等。
( H& @! _3 d" C; b$ y6 w% }
; Z: O! ?2 G6 q8 B' f& GTI 全球採購及物流副總裁 Rob Simpson 指出,過去幾年來,TI 經歷了戰略轉型,現已成為一家專注於類比與嵌入式處理的公司。2014 年 SEA獲獎者等等這些 TI 最重要的供應商都在這一轉型過程中發揮了重要作用。TI 與 100,000 多家客戶一樣,都希望供應商提供世界級的效能和執行力。獲獎供應商都為 TI 在支援與增值方面展現了出色的能力和投入。$ _# Z3 T, i7 J4 ^2 |2 ^, m8 J

* |4 U+ V, Y% N1 O9 i: y12 家 SEA 獲獎供應商及其向 TI 提供的產品或服務包括:2 V8 J7 u/ X- {6 c5 ?
•        欣銓科技 — 測試服務
1 ~* }# n$ {/ r8 w: a1 }5 b3 d•        DHL 供應鏈 — 安裝 Autostore® 與自動化材料處理系統1 I/ k3 t" ~6 U' `; G& l/ S
•        陶氏化學 CMP 技術 — CMP 拋光墊4 k. Y* Q/ d* T+ q2 q$ i3 S( A
•        Evets Global公司 — 工具翻修、更新與服務3 G8 \/ Z! [, ~2 @/ G) ~0 X
•        AutoStore® by Hatteland — 安裝 Autostore® 與自動化材料處理系統- o1 _1 ^3 o/ }  \: G) s0 y
•        金寶電子公司 — 製造服務8 H- |0 o. R0 |0 O+ S
•        LG Siltron 公司 — 矽晶圓
7 z. t' w* \$ K( c& P•        琳得科先進科技股份有限公司 — 膠帶# ]9 [2 B: u* D) L
•        新光電氣工業 — 導線架; Y7 Z/ R4 Y6 X7 B
•        新加坡 Swisslog 有限公司 ——安裝 Autostore® 與自動化材料處理系統
  A& S3 j2 T/ v- n•        大陽日酸株式會社 — 化學產品/氣體提供' M+ N# c6 [# |% o+ M7 ^
•        TSP — 諮詢及輔助勞工服務
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發表於 2014-2-10 21:23:00 | 只看該作者
我也有心想往這方面發展,來看看先進們的經驗,感謝!
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發表於 2013-8-12 13:54:03 | 只看該作者

英盛德:FinFET技術日趨盛行,利益前景可觀

(20130809 16:51:12)英格蘭錫爾--(美國商業資訊)--世界領先的系統到晶片積體電路設計顧問公司之一的英盛德(Sondrel)認為,FinFET技術使用的日趨盛行將為積體電路設計商帶來新的挑戰,因為這些設計商希望從新構架帶來的尺寸優勢中受惠。
8 V" ?' s4 H" m7 e; B! a7 r8 r& d1 l3 V1 G3 @
工程部副總裁Kevin Steptoe解釋說:「最近,在德州召開的設計自動化大會(Design Automation Conference)上,展場中討論FinFET技術的聲音不絕於耳。同樣,我們發現我們的客戶——包括消費、電腦和圖形產業領域的最知名企業——已在向多重閘極(multi-gate)或三閘極(tri-gate)這類技術進軍。這些企業希望從這項技術中受惠,因為新架構可以減小產品尺寸,並進一步提高整合度和效能。實現這項技術並不僅僅只是從一個製程節點直接向下一個製程節點過渡。20奈米以下的架構要求用戶掌握使用新的工具;它並非只是縮小形體尺寸和使用標準元件佈局技術那麼簡單。」
- D0 E# Q% z3 X' _, v5 ?% ]  A* |8 p3 n/ q6 X6 q/ h! {3 h& W
英盛德執行長Graham Curren補充說:「聘請像我們這類專業設計公司的主要原因之一在於,企業一般難以承擔這筆花費——時間或資金——從而讓其工程團隊瞭解所有最新的設計創新。英盛德的模式就是將具體的專長融入合作當中。因此,例如,就FinFET技術而言,為了徹底瞭解和掌握FinFET積體電路設計,我們已經投入了大量的精力。」
. O# u( t- L4 X, a0 S+ V$ G3 c0 E7 ^- e
關於英盛德
2 G1 H# f3 F6 p2 ^5 n0 ~+ D
7 n1 j# z/ k, Y& O% ~! G# r9 R「成功源於合作」是英盛德的企業宗旨。該公司是全球領先的系統到晶片積體電路設計顧問公司之一。對於英盛德來說,合作意味著分享完成專案的責任,從而造福各個合作方,包括客戶、設計公司、生產廠和工具及IP供應商。# `. M, n5 P0 J: {; {0 }3 O6 j/ M* |0 k
" a& {: D9 u. u0 X4 C% h
英盛德在高度複雜的數位、混合訊號、類比、低功耗和無線設計方面具有豐富的經驗,完成了低至20奈米的多種製程幾何結構的200多種設計,所有設計都是一次性成功交付。英盛德在英國、美國、法國、義大利、以色列、瑞典、芬蘭和中國設有辦事處,為許多世界領先的半導體公司提供靈活的服務和方法諮詢,幫助他們提高晶片效能、縮短時程和降低成本。
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發表於 2013-4-10 09:22:45 | 只看該作者
2013年的主要產品包括:! D" h: j$ W* s+ R2 s% |; O% K
Vivace及Presto系列符合ISO 26262 ASIL-D標準的電機控制微控制器,適用於16節鋰離子電池的TB9141系列電池監控積體電路,以及Visconti系列影像識別處理器LSI,具備CoHOG*引擎出色的人體檢測性能,並可同步檢測多個物體。
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7 H& o% o3 n/ ]6 {9 b1 V*CoHOG:共生梯度方向長條圖
" `4 R( r+ q+ d2 I  t‧有關東芝汽車設備的更多資訊,敬請造訪:
( g! C# _+ ~9 w, D# Thttp://www.semicon.toshiba.co.jp ... tomotive/index.html 4 S9 J: Z. v6 @+ X% s8 V* ?
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通訊領域:近距離(Close-proximity)及短距離(Short-range)無線通訊專用收發器積體電路
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: \( C( b% c& l8 \機器對機器技術將蓬勃發展,並且很快將成為智慧手機架構的主流。東芝的近距離及短距離無線通訊技術擁有眾多優異特性,包括優質的手機藍牙通訊特性、通訊協定錯誤處理特性、低功耗特性、高接收靈敏度特性以及防篡改特性。我們可提供綜合的軟硬體、模組和配件解決方案,我們的工程師可隨時提供開發工具和技術支援,有效減輕客戶的設備開發負擔,同時還能縮短開發週期。
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我們的近距離無線通訊產品包括智慧手機專用近距離無線通訊(NFC)晶片組、符合TransferJetTM標準的智慧手機與平板電腦積體電路和模組,以及符合TransferJetTM標準的配件。針對短距離無線通訊,我們計畫在2013年12月前商品化推出一款藍牙V4.0 BLE、一款BT/WiFi Combo和一款針對含感測器節點產品的NFC Tag晶片組,這些產品包括醫療設備、健身器材、行動音訊系統、汽車音訊系統、汽車導航系統、工業設備和監控攝影機。
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2 D& W8 b  k9 _8 d& K  Y' b公司類比與影像積體電路部門類比設備產品工程小組資深經理Takashi Arai先生表示:「憑藉我們對類比領域的長期承諾以及期間所培養的技術開發、成本、品質和供貨能力,我們將向客戶供應極具競爭力的產品。為了能最大限度方便客戶,我們提供以微控制器、類比積體電路、通訊積體電路和CMOS感測器(MACS)為基礎的綜合解決方案,所有這些均在類比與影像積體電路部門的產品組合範圍內。」
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發表於 2013-4-10 09:22:40 | 只看該作者

東芝:恪守類比積體電路承諾

(20130409 16:55:43)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba)旗下類比積體電路業務部因其技術和最佳解決方案策劃能力而著稱。我們專注於三個領域:類比、汽車和通訊。2013年,我們力求提升這三個領域的產品及所有產品陣容,進而提供更優質的綜合解決方案。; {& ^% R  d  D- g- J6 \
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類比領域:電源管理,電機驅動以及用於醫療和工業應用的其他類比電源積體電路及微控制器8 U! G' b. E' D

; m5 K4 P- p# O8 s' b系統應用越來越需要高耐受電壓、大電流驅動、無線通訊以及高性能和高速度。透過從我們涵蓋甚廣的微處理器和類比積體電路系列中為客戶的應用挑選最合適的解決方案,我們就能快速策劃最佳解決方案,既可縮短開發週期,又可降低整體成本。我們類比積體電路的實例應用包括無線電源充電專用電源控制積體電路、SLR相機鏡頭控制專用電機驅動、智慧冰箱專用電機驅動以及醫療設備專用類比功能微控制器。& b9 g7 E- h# j6 s4 u# v  X! P
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汽車領域:汽車應用專用類比積體電路,汽車應用專用微處理器,汽車應用專用影像顯示與識別處理器
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半導體在汽車應用中的用途越來越廣並快速延伸。隨著混合汽車(HEV)和電動汽車(EV)的不斷普及,人們對更安全便捷的先進駕駛輔助系統(ADAS)的依賴性趨於增加。除了為傳統汽車的眾多功能開發LSI以及支援安全駕駛外,東芝還將擴大對混合汽車和電動汽車以及先進駕駛輔助系統專用設備的開發力度。
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發表於 2010-9-2 16:38:09 | 只看該作者
威X在2007年已經開過一顆WCDMA RF T/R,想現在也開枝散葉了
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發表於 2010-2-22 10:46:34 | 只看該作者
要培養一個類比IC的人才 是不容易的事* Y) Z- W. b8 W# E
何況是射頻IC的RD
7 R" I4 ?) }8 R台灣國情不同" F" Z" b9 U7 l% K4 E  y% }2 M. o0 K
因此數位IC培養速度快
+ L- s" ?# N+ [Analog/RF 真的需要時間來證明
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發表於 2007-12-12 15:15:25 | 只看該作者

謝叔亮:類比IC 成長空間大

【經濟日報╱記者曾仁凱╱台北報導】
6 ~3 t# ]7 `5 w. L( h8 U! Ahttp://udn.com/NEWS/FINANCE/FIN3/4134739.shtml
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立錡科技總經理謝叔亮表示,國內類比IC廠商在全球類比IC產業市占率僅2%,未來還有很大成長空間。
) }0 g/ W; G) X! B記者曾仁凱╱攝影6 I: S! X/ ?- I! o0 @4 Q2 p

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國內類比IC龍頭廠立錡科技總經理謝叔亮昨(11)日表示,國內類比IC廠商在全球類比IC產業市占率僅2%,未來還有很大成長空間,亞太地區是類比IC成長最快速的區域,地理位置是台灣業者最大的競爭優勢。/ p+ `: |" o/ v. O3 i

- a' l. U& s$ H/ B謝叔亮昨天在蔚華20周年價值經略論壇表示,國內廠商習慣Me too(一窩蜂),很多價格大戰都是國內廠商自己掀起。近幾季類比IC廠商毛利率下滑壓力增大,主要各廠商產品差異化界限逐漸模糊,各產品線均有激烈的殺價競爭。
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2 @2 ~* B) t5 y) z6 s5 `今年IC設計產業多項合作案、併購案發生,包括聯詠合併其樂達、聯發科收購美國ADI手機IC部門等,國內IC設計業頻透過私募案引進「富爸爸」,立錡前陣子也參與投資鍵盤控制晶片廠迅杰,謝叔亮表示,兩家競爭公司各有自己的團隊和企業文化,橫向整合其實難度不低,但上下游業者的縱向整合已成為風潮...
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發表於 2007-11-24 14:13:21 | 只看該作者

韓商攻類比IC 衝擊台商

聯合新聞網 【經濟日報/記者曾仁凱 陳碧珠報導/20071123】 / Q! u" o8 s$ O3 |6 G
http://pro.udnjob.com/mag2/it/st ... &f_ART_ID=37598. S; r. `9 i2 G  v. E, j
   
& w5 Z9 l: c$ j看好類比IC在電子產品的需求潛力,由韓國DRAM廠海力士(Hynix)獨立而出的MegnaChip,21日宣布跨入類比IC設計領域,由於MegnaChip擁有海力士的產能支持,業界認為,MegnaChip過去在驅動IC價格策略就相當犀利,這次以後進者之姿進軍類比IC設計,台灣相關業者如立錡(6286
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/ M) B4 O" i7 u( F因應手機、多媒體電子產品的崛起,類比IC需求不斷擴大,近幾年,台灣類比IC廠商以成本優勢享受進口替代效應,立錡、致新等廠商營運呈現高度成長。
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不過,韓商MegnaChip昨天宣布跨入類比IC的設計,成為類比IC市場第一家來自韓國的供應商,過去主攻驅動IC 與感測元件,都是屬於高壓、量大的產品。
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7 P! G! ~; Z8 |$ OMegnaChip指出,未來在類比IC將鎖定金屬互補半場效電晶體(MOSFETs)、直流轉直流(C-DC)電源管理器與線性整流器(Linear regulators)為主,法人認為,MegnaChip欲切入的產品,以主機板、筆記型電腦、LCD等應用為主,又有海力士的產能支持,未來不單是TI、ADI、Omsemi、Farichild等國際大廠,台灣現有的供應商恐也面臨新威脅...
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發表於 2007-7-6 10:01:27 | 只看該作者
我大推這一句話!!!!!5 G  ^5 k; ?) v
8 S  U2 a( _3 u1 Y: C1 P
我跟我朋友說過....台灣人可能是全世界最短視近利的民族' i1 j2 g6 j6 Z7 r8 m; d

2 h# n6 r7 ]* k8 E所以....台灣要從製造轉型成研發.....還是有很長一段路要走~~~~~
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