关于ring VCO的问题请教

criffs

设计一个ring VCO，遇到这样一个问题：我采用的fully differential的delay cell， 现在犹豫是用
3 stage 6phase的结构还是4 stage 8phase的结构。为了达到相同的频率，用8phase的结构，
' U1 Y& g+ K) b# X3 w7 A( O/ e# rdelay cell中晶体管的可能用相对较小的沟道长度，而用6phase的可以用相对较大的沟道长度，
从而有较好的phase noise。从这个角度来看可能选择6phase的比较好，还有其他角度来考虑
0 f" e% u1 Q7 h4 R0 i' H! p1 h- |或者衡量这个问题吗？
) u. d0 t% @: n) E如果这样，是不是用较小的级数总是会比较好？
谢谢

sanyuan0902

原帖由 guang3000 於 2008-12-21 05:55 PM 發表
只做过电流控制震荡器，不知道 vco的线性度能有多高 不过楼上的震荡器delay cell应该加多两个nmos diode负载，把输出&#300 ...

& {" T0 H1 o6 ^; W+ O) o# F+ n/ X* R我之后也做了一个电流控制振荡器，但是电流与频率的线性度不行，我就是想问：i与f能达到一个很好的线性度吗？从那些方面调节呢？
' f. u6 r( I" A  C4 p6 P% L        具体的电路图和网表都在附件里，打扰您了，谢谢~~~~

sanyuan0902

原帖由 guang3000 於 2008-12-21 05:55 PM 發表
0 N: {% o" k! _. }' P- K' u/ \# K只做过电流控制震荡器，不知道 vco的线性度能有多高 不过楼上的震荡器delay cell应该加多两个nmos diode负载，把输出&#300 ...

2 G4 {* j+ U4 u1 Y9 `多谢大大的指点，我再试试~~~谢谢

guang3000

只做过电流控制震荡器，不知道 vco的线性度能有多高 不过楼上的震荡器delay cell应该加多两个nmos diode负载，把输出电压定下来，我第一次流片就是因为这个问题1/3的芯片振荡器不起振

sanyuan0902

ring vco 能满足很高的线性度吗？？比如说control voltage从1v到3v变化，频率能保持很好的线性吗？？我设计了一个4级和一个5级的，线性度都不好，附件有我的电路图，免费的，请各位大大们指点一二，谢谢~~~~

guang3000

觉得级数多些更加容易满足起振条件，级数少些噪声好些，同频率可以用上更大的管子尺寸，这样1/f噪声小些。电流小些，偏置电流mos的W/L可以调小些，热噪声电流小些, 当然这个是相对更多的级数来说的，一般我自己是希望电流大些,让噪声电流和工作电流的比例尽量拉开,这样信号会强些，对外来干扰的抵抗能力也强些。个人意见已

[ 本帖最後由 guang3000 於 2008-12-17 04:20 PM 編輯 ]