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[問題求助] bandgap referece中的BJT

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1#
發表於 2008-12-3 16:35:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
bandgap referece中的BJT的电流即IPTAT的电流一般取多少啊?与什么因素有关?或者受什么约束?' Q5 {) I  R' s( p

# p* j7 P( O+ n7 D) H: p/ Q! S6 r: k
以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
6 y% h: X5 ^6 T" a9 [& E# R, M3 lbandgap voltage reference? : B0 }) h, F) @+ p' w& J
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1 m! G& R" Y1 f+ J* V3 r1 C7 }* f1 g4 k

  N+ v* W* S4 C" E( e' C
# D, [6 b! T7 k6 X[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 05:49 PM 編輯 ]
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21#
發表於 2009-3-28 01:17:04 | 只看該作者
抱歉!我不懂mycmf大大的意思
! Y7 }5 @4 {' S9 z5 N"BJT的beta不準需要calibration"
( s8 d( k7 N0 ~- E1 l
/ t& B- L$ N4 Q+ k* v在bandgap voltage reference電路中4 O) q6 {3 ^' j8 q. v8 R7 }6 t4 C
應該是取BJT上的PN junction diode
) M+ L4 I, J( [" s2 o提供我們Vbe(negative TC)+ S; L; y6 c5 D2 \$ ~
beta不準與Vbe有什麼關係嗎?: Q5 J4 m& ]) E9 N7 K# A: j  m
謝謝回答~~
20#
發表於 2009-3-25 14:19:00 | 只看該作者
製程廠給的BJT通常不準, 必須找方法作Calibration
19#
發表於 2009-3-17 17:43:02 | 只看該作者
若是寄生的 bipolar 建議去問製程廠所提供的,4 @: E, p" j, [, [: M
因為它們會知道使用在哪一個範圍會是一個較佳的值。
' u+ I& K3 j) ~2 F0 o他的變異和限制都會比較了解。
18#
發表於 2009-3-13 17:04:49 | 只看該作者
請問在bandgap 下的 bipolar PNP 的 beta 要大於多少阿 ? 如果只有20  會影響到準確度嗎 ?
17#
發表於 2009-3-9 17:33:44 | 只看該作者
Chapter 11 Bandgap reference ) R6 m! X0 s. u" n

$ K; c0 O. V' g4 Q4 u* q! w11.3
16#
發表於 2009-3-5 02:48:10 | 只看該作者
原帖由 nesty.tseng 於 2009-1-9 02:53 PM 發表
* K  ~. V- V3 I3 b* J/ G+ k4 POP的input offset可以用stack bipolar的架構讓offset減少一半
7 k& q0 J! T+ @; ~8 o公式推導可以看razavi的書

* z" F. @) T8 m' J" _请问大大这个在第几章第几节?
4 z% h) z; I0 a! o1 d4 z- f8 }. Q谢谢!
15#
發表於 2009-1-9 14:53:24 | 只看該作者
OP的input offset可以用stack bipolar的架構讓offset減少一半: y1 P/ N! |- a& ~
公式推導可以看razavi的書
14#
發表於 2009-1-9 11:23:22 | 只看該作者
粗略的说,Vref=f(vbe)=f(F[ic])
13#
發表於 2009-1-9 11:22:58 | 只看該作者
粗略的说,Vref=f(vbe)=f(F[ic])
12#
發表於 2008-12-15 10:07:43 | 只看該作者
见过反向的和公司的,在50uA左右
: n# I9 @. T. T# f

) A* B' R9 V! F7 D! ]9 E我指的是两路的电路总和,单路25uA左右
11#
發表於 2008-12-14 23:23:42 | 只看該作者
同意樓上說的,OP的mismatch和offset真的很難搞,不知道有沒有大大能有效降低這些效應…
10#
發表於 2008-12-14 17:01:58 | 只看該作者
见过反向的和公司的,在50uA左右,个人觉得op的mismatch问题更难弄
9#
發表於 2008-12-10 10:59:31 | 只看該作者
噪声应该是一个因素吧
8#
發表於 2008-12-5 22:26:42 | 只看該作者
原帖由 semico_ljj 於 2008-12-5 02:33 PM 發表   B- D: n& S- I$ R4 E  c
"小於1uA"设计有个问题,电阻就会很大,这时会引入更大的噪声!( H/ X6 ], a/ G0 n. f
实际电路这么小的电流没有设&#357 ...

) ^2 h- B4 Q) E! W) P' A: v& _& `4 m. F: A. O- w
電流基本上可以流很遠啊,電壓比較怕 IR drop
1 @3 j0 A$ X8 u9 Z8 w5 v/ H( R  i# g) H+ v' t' A+ ^
想請問您「�阻就�很大」是指??
7#
發表於 2008-12-5 14:33:36 | 只看該作者

回復 6# 的帖子

"小於1uA"设计有个问题,电阻就会很大,这时会引入更大的噪声!
$ C) ]7 n7 h! f3 d- I+ K实际电路这么小的电流没有设计过,不知有没有什么要特殊考虑的地方?
: c& i9 |) r8 N3 g4 F! z9 x9 q谢谢!
6#
發表於 2008-12-4 23:34:19 | 只看該作者
這個很難有肯定的答案1 d7 ]* j, `/ }- b! K/ K
因為不同的應用與產品,所訂的規格與要求就不同* m" R2 K$ N0 Y( e
若以SOC或者給PLL,ADC等類比電路,基本上我都是訂10uA,會訂這個值最主要是因為剛好整數,而且容易藉由這個current來產生出其他所需的voltage or current
% j6 G7 D1 J  R. k" e% m另外,我以前有設計給LDO電路所需的bias voltage and current,它的current就非常小,在正常操作下就要小於1uA
7 |( h" p  L# s) ^+ f+ S5 f2 y所以,不同的產品屬性所需的current就會不一樣,很難有肯定的答案

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semico_ljj + 2 谢谢提醒!

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5#
發表於 2008-12-4 20:51:44 | 只看該作者
以前倒是没有考虑过这种问题
4#
 樓主| 發表於 2008-12-4 17:55:50 | 只看該作者
怎么没人解答呢?是不是我的问题太简单了,都不屑回答呢?
3#
發表於 2008-12-4 09:30:40 | 只看該作者

WOW~

這很重要耶~以後要做完整的電路也要有Vref這塊~5 l, A- n) V7 D1 C
懇請高手賜教
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