請問圖中的M4,M5,M6,是做什麼用的？

hyseresis

請問各位大大
請問圖中的M4,M5,M6,是做什麼用的？
" ^/ k- s* m$ A! L) m為什麼W=1U,L=20U,是為了提高阻值嗎？
* |$ I. {7 G- v! z# H這樣疊3個MOS有什麼作用ㄋ？

finster

如果只用一個MOS的話,那Length要為60um,
若用3個MOS的話,那Length則可為20um
對於layout來說,因為你MOS的Length太長對於實際空間的擺放會造成其他元件擺放上不好放置的問題
3 B4 @0 \, _( c故而,通常會把很長的一個MOS拆成數個MOS的畫法
" V2 |8 K3 ]& h5 j4 N除此之外,在SPICE Model中,通常會有Maxmim Length的限制,使用過長的Length並不是一個好習慣
5 P: u2 B8 \) L% M  ^/ n6 j8 |因為那會使你MOS的元件特性會落在比較極端的區域,如此一來反而會衍生出不必要未知的變數出來

e2000

這樣做的意義在哪裡呢?能增加什麼嗎?阻抗嗎?這樣做輸出擺幅會掉吧?

renzhq

原帖由 basil 於 2008-12-13 11:43 PM 發表
5 C% ~9 b0 o7 O# {2 O有公式可知VGS=VT+sqrt(2*Id*L/(un*Cox*W))（假定工作饱和区）
三个相同的管子串联，沟道长度=3*L，这样就可以提高VGS电压，
# P1 W3 ]% c6 Q0 B! X1 V' }; \2 [# B增大管子开&#215 ...

那逐級導通 為了什么呢？有特殊的用途麼？

poseidonpid

fmgay 和 basil 這二位應該回答得很清楚了~

1 N0 @1 _4 z4 N+ \0 R上面的二位要不要想一下 或是跑個模擬就會比較清楚了吧??

caesarxl

同问，为何不采用一个管子？？？？？？？？？？
' c! w4 h) e2 ~}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}

122013137

为什不直接采用一个管子

fmgay

首先,三个mos管串联和一个管子是一样的,
至于为什么要画成三个管子,我觉得是因为foundry给的model中有限制器件的栅宽小于等于20um,这个限制在分段式模型中仿真器就会报错,为了避免仿真器报错,通常将栅宽很长的器件分成几个器件串联的形式.

basil

有公式可知VGS=VT+sqrt(2*Id*L/(un*Cox*W))（假定工作饱和区）
* E, |: M  Z9 `4 F6 q( S三个相同的管子串联，沟道长度=3*L，这样就可以提高VGS电压，
增大管子开启电压。
至于为什不直接采用一个管子实现的原因，我想：一方面是固然有画版图的
3 l/ |7 K  M) T6 o. @因素，另一方面可以看到三个管子的VGS的电压是不一样，三个
管子的导通的顺序是不同的，这样就是逐级开通，从M6到M5,再到M4，而采用
单个管子就不能实现这个功能,大家可以仿真一下，两种转移曲线是不一样的。
1 K: D# m8 d3 w# V1 q/ N! }
$ b# y3 L$ \* I. W5 W# i% |4 s[ 本帖最後由 basil 於 2008-12-13 11:47 PM 編輯 ]

Zuman

原帖由 semico_ljj 於 2008-12-9 09:54 PM 發表
; c' p! J* x6 {3 I- Z5 h有没有注意到设计成3个串联的1/20,和一个1/60的NMOS有什么区别？考虑过麽？

我觉得相对单个管子，这种并联的静态功耗比较小，因为电流比较小！

[ 本帖最後由 Zuman 於 2008-12-13 09:57 PM 編輯 ]

semico_ljj

有没有注意到设计成3个串联的1/20,和一个1/60的NMOS有什么区别？考虑过麽？

caesarxl

明白∼
只是，这电路图没有画完吧？
+ S" J4 Z! ]# w& F9 O  T: ?怎么前面一个inverter没有输出？？？后一个没有输入？？？

hyseresis

原帖由 hyseresis 於 2008-12-3 11:19 AM 發表
; D" F& a1 h, |: [- c7 f, h請問各位大大
! V1 y: M7 [) H' L1 V6 u9 I# O請問圖中的M4,M5,M6,是做什麼用的？
為什麼W=1U,L=20U,是為了提高阻值嗎？
這樣疊3個MOS有什麼作用ㄋ？

6 g4 @3 O% P, H/ l9 d自己跑過模擬後就知道了
0 i2 V5 h% [% l, v/ i原來功用是可以拉高threshold

ukyo

這叫MOS串聯，
: U  O5 m+ w- X1 `M4-M6可以看成是一顆
: F) c+ u7 q  p8 m3 OW=1u, L=60u的MOS
* y. c# {5 j' a. g; @% i2 D
這是為了把input threshold向上拉高