Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 97119|回復: 70
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] Sansen讀書會...

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2008-11-10 15:11:55 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
剛剛看了一下Ch1...,好像有些許錯誤的地方哩...- s" U0 V  F- D" R" e1 U& q, \9 w
Slide 0129: gmb 電流方向(Bluck 接地時S->D,if Vbs>0, 電流由D->S) $ h- Q: z) r2 T7 D7 b3 u0 I
Slide 0134&0136: 應該是VGST(VGS-Vt)~0.2 V
! i$ j9 w- y# r! V2 s& g$ Z$ ?5 m$ c 歡迎大家踴躍討論一下...剛剛開始閱讀
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂279 踩 分享分享
71#
 樓主| 發表於 3 天前 | 只看該作者
本帖最後由 賴永諭 於 2024-12-25 05:56 PM 編輯
: N  I- p; i2 B6 V6 k$ @! C& ~
slide 1524 and 1525
+ M  h9 P. C. d( |) o
2 r( ^2 R3 g  p& U* P, g! {/ |個人分析iout/ic = 1/(gm3*ro1*2)
70#
 樓主| 發表於 2024-12-12 16:49:23 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2022-8-5 12:03 PM* f' d3 s8 h7 T# ?! J
slide 0444
8 q; M" U$ Q  t; mNoise of a current mirror with series R:6 K' h$ {4 f0 q. s8 ^
前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加 ...
/ L# j4 y* q2 c, o
更新一下~~. Q+ ^4 s0 K# M& e7 d
(1)因為當R變小, 電阻的雜訊電流就不會流到輸出端了6 k- ]4 R: e2 U; d
(2)電阻的雜訊電流到輸出端分析8KT/(R2+1/gm2), 當R2夠大時, 則整個8KT/R2 雜訊電流全部流到輸出端1 o6 {2 k& L, V! ?# |
所以前面的R小於1/gm時iout noise 隨的電阻增加, 後面隨電阻增加減少2 }( j, Q+ P( D0 X6 V% L0 V
69#
 樓主| 發表於 2024-11-12 17:58:39 | 只看該作者
slide 1756:  d# a+ X# _9 y

; o) n+ D; N/ }8 T7 B, L# }1.SC積分器的BW=(Feedback factor) X Gm/Ceff4 y3 n$ C4 U7 b, l! F
2.Feedback factor=Cf/(Cf+Cs+Cp)=Beta
- g. u6 o' f# u6 [3.Ceff=(Cf串(Cs並Cp)): Cf回授電容,Cs取樣電容,Cp 輸入開關電容求和節點處的寄生電容! u$ S+ q: d& j: j- V- C; j: x
4.Integration期間的GBW=BetaXGm/Ceff
9 f3 G: E0 ^7 e8 t. w5.Integration期間的SR=Io/Ceff(Io opamp 輸出電流)
, h2 r7 y0 H& q9 h. N8 P( g2 i; r; C) n) M7 U; k$ _" v$ r% O4 `
68#
 樓主| 發表於 2024-10-18 14:26:49 | 只看該作者
slide 218
- d" @* R' e% B4 z# `8 \+ u, ~1. First order Sigma-Delta patterns in the output spectrum$ ?: u2 r3 q& f6 t  R
=> Idle tones(pattern noise, limit cycles)% \2 T7 y& e5 \1 X! m3 W7 Q
2. Second order Sigma-delta 輸入太大時還是會不穩定
67#
 樓主| 發表於 2024-10-17 15:43:59 | 只看該作者
本帖最後由 賴永諭 於 2024-10-17 03:48 PM 編輯 * q. c+ T) w3 a* Z3 b1 H

* o. R# P' P. Fslide 215-216+ O% M7 M3 `7 q: w/ f5 S6 e4 Y7 S$ z: f
1. Signal 的輸入雜訊直接到輸出
. l: S( `2 p% Z' v8 {2. DAC 的輸出雜訊也直接到輸出, l$ q$ f. B' Y
3. Quantizer noise 才有noise shaping 到輸出
66#
 樓主| 發表於 2024-9-27 16:33:16 | 只看該作者
silde 1557:
7 _9 g5 s( B' a' Z% n1. Input offset: Bipolar is better than MOS7 S& v3 o3 v5 k. V0 f/ S4 c/ v
KT/C = 26mV << MOS Vov
" J6 u- J! u, x9 C4 @  f2. Mismatch 造成Randon offset 0 V8 A3 z) n4 i
3. 電路不對稱所造成Systematic offset
65#
 樓主| 發表於 2024-9-9 10:21:54 | 只看該作者
slide 10207 E1 R4 V4 X7 ]2 t& {2 a4 O! y' @
; g3 O* K0 p2 @* p; D) l
(1) The closed-loop gain can be modified by changing RS, leaving the closed-loop bandwidth unchanged.
; f2 W" A* X( x% D3 i(2) For a given RF, frequency compensation can be optimized.3 G+ o0 H! h6 |4 |" K
(3)Suitable for high frequency applications.. J# |8 e: P. w
64#
 樓主| 發表於 2024-8-30 17:19:57 | 只看該作者
slide 1010% [& [; L3 M2 F2 Z! r/ K$ N' G

" S. e8 @- S1 vFor a CFB amplifier the open-loop gain is ZT and its feedback factor is 1/RF, making the loop-gain TCFB = ZT/RF.
2 W( V2 L- X7 H* SThe signal bandwidth is determined by RF and not by the circuit gain.  |9 l7 r6 g. f1 B1 B% b
The circuit gain is independently set with RS.
8 l! r& l3 Z" v: @3 b5 ]' d3 LThe signal bandwidth remains stable for all gain settings .2 O* o3 M9 p5 w" T; Q. f& X
Even for unity-gain operation, an RF resistor is required.
. }: p* H! ^$ _The best practice when designing with CFB op-amps is to use the RF values given in the datasheet and to adjust the desired gain level through RS." q1 Q, b" B; G4 w) J; x
63#
 樓主| 發表於 2024-6-7 10:04:08 | 只看該作者
本帖最後由 賴永諭 於 2024-6-7 10:05 AM 編輯
' k. q" p. y9 \4 t2 G+ C: d
賴永諭 發表於 2024-6-6 11:16 AM  U) ]2 h) G" h5 T1 w
Two stage ring oscillator analysis文件上傳~~

" H% ]: C5 E7 O+ K' o# X1 @% FTwo stage ring oscillator analysis文件上傳~~. @7 o6 W% J9 y" k; R! B6 E
62#
 樓主| 發表於 2024-6-6 11:16:57 | 只看該作者
Two stage ring oscillator analysis文件上傳~~/ a0 j8 D5 G9 b8 V0 ]/ q7 I6 ]" T
61#
 樓主| 發表於 2024-6-6 11:12:29 | 只看該作者
Update 文件~
! \8 N6 r% l( I4 E% @5 A1 w9 w* VTwo stage ring oscillator analysis
2 z- ]0 d; Z" N% A1 Q" a. ^
60#
 樓主| 發表於 2024-6-4 10:22:38 | 只看該作者
Design of Crystal Oscillators & U0 o6 j+ Z* |# u$ t* ~
slide 2255補充資料:Two stage ring oscillator analysis; O( E7 V3 Y2 n' {2 E* o/ [. t: q

3 w& ]; Z7 |, w- _) Z  ~https://drive.google.com/file/d/ ... Hq/view?usp=sharing
+ @# n0 w  X, k
59#
 樓主| 發表於 2024-4-30 10:52:20 | 只看該作者
RIP , y9 n  g+ x1 V3 s
1 Q4 n% F3 D( q# Z$ H
In Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)) E! v- B- @, O5 V; A% o! i6 G

$ X$ h4 y* k  g4 ]& |https://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html
58#
 樓主| 發表於 2024-3-7 17:51:24 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM
0 a. ^. l4 ^% B6 _7 v$ Islide 2222
) @( C% g. l6 d: rVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
8 f' m* K- F  V, T3 O, n; s
gmA~ 4RsCL^2Ws^2% g1 l' H) C: j
and 4WsCL^2/QCS9 p' C5 X& N6 b2 }2 g, l  [" ?6 b
8 Z# z$ k0 }. d3 E5 w

( X' L6 T1 c+ s1 Y' \  T
57#
 樓主| 發表於 2024-3-6 11:07:00 | 只看該作者
slide 2264 Calculation of gmA
. B9 z. W; O9 k" g! o" z- v2 _$ G+ F! |) ?. H: R" Y3 h
gmmax 應該是C1WC1/2C3. I. Q: N/ Q/ P8 w
) X, W- F- b. Z$ a2 M
=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來
56#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:01:33 | 只看該作者
slide 2222
! l  N) Q  r' h4 w4 ~1 l6 j( yVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)# M9 F. c0 T) e, f; U' C$ z0 }
" D5 I4 g" A& h5 }: c3 \) r; E& F
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C28 w$ q& ^4 ~+ V
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
# `, F2 I: C" f" T1 D! E所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)( o. y. C# a$ y! z
55#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:53 | 只看該作者
slide 2222; G: G* {  j9 w/ ^, z9 R3 M8 H2 X
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
/ ~, t. T' [- h" r$ u3 j( V# H2 D7 j2 ]* O
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C23 o% Y% C9 S: U6 ^9 I9 ?
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
) v* |3 E1 j/ Z# ~+ k/ z所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
  l9 R7 c1 h- t% }' b8 w# M7 L: M
54#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:01 | 只看該作者
slide 2222& K8 K( S! Z4 d4 S! P+ |
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)* L( R9 w7 a: `3 Q
8 G3 }$ h2 |" u" ^$ y, b# v
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
% U5 H3 A  P. D: t2 y用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
+ u3 k( D/ v. @所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
5 C) s- m$ d: O( C
53#
 樓主| 發表於 2024-3-4 15:59:46 | 只看該作者
slide 2222
/ S1 U+ M7 N; Y% aVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)$ ~+ O. z( d( ]

1 z- M1 P1 n" e$ _; l=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C29 S) j7 Z1 d% H* ~
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻: w5 g4 q9 \# N
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)$ ?' _6 V7 w! a2 \/ x! I
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-28 06:30 PM , Processed in 0.194011 second(s), 18 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表