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原來是Power FET呀
1 x* u. i3 i5 Q* t* T一般來說,如果是一般的digital circuit或者analog circuit,在高溫下若是TSMC或者UMC之類的model,大概就還不會偏移太多
! d: U4 _# ~- C5 n不過,若是Power FET之類的hspice model,需特別留意在高溫下的model曲線特性
: p9 D& f1 w& G% ~5 y+ `" a因為Power MOSFET的size會用的特別大,故而也會流過很大的電流,而在此情況下metal 耐電流issue和current density的問題就會跑出來,再加上超大size的Power MOSFET的導通時間和面積,這些都會影響到performance: x+ |) _/ D3 b
我之前也遇過類似的問題,在大電流下Power MOSFET上不去,在高溫下也是,但在Hspice model模擬卻沒有看到9 J4 z( l- K4 y; a8 ]8 E8 `) e- O: L
後來請製程廠提供WAT資料再用類似的條件模擬,發現到模擬和量測兩者的差異在某些情況下會差很大,後來也是請製程廠調整他們那邊的技術才得以解決
4 U& J u& k- U# \7 f. D1 n g你這個問題可以向製程廠反應,他們應該會很有經驗 |
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