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[問題求助] 如何實現layout

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1#
發表於 2008-10-24 11:35:18 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
請問一下在.35um的p-sub製程中,如何將nmos的body和source接一起,而不接地?
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6#
 樓主| 發表於 2008-10-27 10:23:50 | 只看該作者

回復 5# 的帖子

小弟剛找了一下; p' Y% |0 ], ~# r$ {
lvs檔中並無iso
3 c: \5 R, ~% A* p0 |不過還是感謝大大提供這訊息7 N% r  }7 d& e6 b' F9 d
至少以後要這樣做的話. A- E* T. {  n: i. L$ q
可以有個概念
5#
發表於 2008-10-26 11:43:17 | 只看該作者
很多製程不是都有ISO NMOS提供給使用,: d. c- N- Y1 F0 V% W( W2 F
這樣NMOS的S%B就可以不用接GND。
4#
 樓主| 發表於 2008-10-24 14:52:47 | 只看該作者
感謝各位大大的回答,小弟要的答案已找到= =+ 。" [9 O+ t5 j8 s- }  f
在我使用的製程中,不是twin well,也就是說沒有dnwell,所以只好改變接法了。
3#
發表於 2008-10-24 12:32:42 | 只看該作者
Dear deg326 :$ z/ s% D! x* p0 [* B
你要把 nmos 的 pwell 跟 P-sub 隔開, 6 [: H  U2 O% T  A
Process 上你就須要有 Deep-nwell 這一道製程 (dnwell).
5 f6 J6 B$ ^& B: t8 I; K. x0 j( l4 i
如果沒有 整個 nmos 的 buck 是跟 substrate 是連在一起的ㄛ.
6 p5 p# b1 U! F/ A! e+ G
" `/ ?$ L1 r3 `- O" `共勉.
# r9 l' K7 f9 l) |
2#
發表於 2008-10-24 11:51:39 | 只看該作者
沒辦法吧
; v. U0 |8 A: Y& `
, j6 ~' M+ n3 t4 |+ I不是違法電性. K! v. x. a- {9 X/ L: L

8 T/ X1 q+ i( i* |& k我是這麼認為啦, T. r0 k5 Q3 O: T$ S1 a
* ~! l) x6 z- a; Z" X8 t
可能有錯誤=.=+
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