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[問題求助] bandgap如何提高精度

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1#
發表於 2008-8-5 16:44:26 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
bandgap如何提高精度 Q1Q2的電流為1u
; M% j, H5 j! H3 c( ~: O5 B% v1 w9 H/ J( m/ E: v
以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:; z6 h+ F% r. q: I, E; V6 R
bandgap無法將壓差降低  " ~, b/ v. T7 G( ^7 m/ e- M
Band-gap BJT 如果 layout 不 match   {: b: ]" H, H7 B# C
bandgap電路的loop gain模擬
4 ?9 V# D$ T" y0 Kbandgap设计 仿真中的温度曲线问题!!
9 K; k( D  j6 @1 V; P' Q! ]請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
" d# _* b6 b: ^0 D7 gbandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成) 6 d6 a8 i9 q& b7 j8 p, {! y3 L
BandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作
3 b2 T7 ]( E# [; ?( c/ R. r( W: A6 Q# v
4 d9 K3 d/ d- Q& V0 @
+ Q4 u. m/ K3 r% b8 u% Y0 W) m
[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 06:04 PM 編輯 ]

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9#
發表於 2009-4-2 22:09:21 | 只看該作者
同时要注意bias电流需要保持PNP工作在指数状态下。         啊
8#
發表於 2009-4-2 22:08:09 | 只看該作者
不同的电流偏置下,Q1和Q2的温度系数和温度系数的导数都不一样,一般来讲bias 电流越大Q1和Q2的温度系数越小,可以根据你的spec来取一个比较好的电流,得到一个温度系数及其导数都比较小,这样用来补偿的正温度系数的gain可以做的比较小,offset和温度系数造成的VREF变化也就比较小了。
7#
發表於 2008-10-28 10:47:54 | 只看該作者
PMOS管可以采用共源共栅结构!cascode结构。。。。。。
6#
發表於 2008-10-22 21:56:17 | 只看該作者
楼上的兄弟感觉讲的挺好的,收益很多啊。。。。。。。。。。。,,,,,,,,,,,,,
5#
發表於 2008-8-11 13:19:30 | 只看該作者
与Q1 Q2的电流大小没有关系,大体上说:电流大小取决与电阻R1的大小以及三极管Q1与Q2的个数比。而你说的精度(图中的是基准随温度的稳定度),就现在的电路而言是无法改变的,主要是受工艺情况决定,除非增加高次温度补偿电路。
4#
 樓主| 發表於 2008-8-6 13:57:46 | 只看該作者
op amp 没有问题  : m5 x+ c, }4 k; l
流过Q1Q2电流的大小还精度有关系吗
3 m6 j1 x* N; y3 C2 }) ]' p  C/ b要想得到最好的精度  电流为多少?
7 K: |+ }+ \0 y- q4 ]2 ]1 q做过的指点一下
3#
發表於 2008-8-6 13:55:04 | 只看該作者
請問可以將您的OP amp附上嗎?  n, ~6 _+ w4 n, n  c
OP amp在這裡扮演很重要的角色。
2#
發表於 2008-8-6 09:34:09 | 只看該作者
用腦袋想想哪顆電阻定義了電流吧!!8 Z( q; ?7 j2 L& S# F) Q
用腦袋想想哪顆電阻定義了電流吧!!
% c" Y1 p' Z& K  g: |1 F7 _用腦袋想想哪顆電阻定義了電流吧!!
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