因為我Power MOS 是外掛元件,因為 S 端是負電位,為了要關閉 Power MOS,所以 G 端要更負才行。/ H! |9 c! \$ D( l" f* k1 X
' Y4 O$ B# Z8 E, Z0 Z8 F" Y1 F2 N) n請問一下,這種情況下的 IO pad (with ESD) 是不是要重新設計? & q5 m+ r' f/ s- ~' V/ X' Y! v7 P0 b: j. u C' W; o
再問另一個問題,那我需要再設計 Buffer 去推 IO pad 再讓它去驅動Power MOS 的 Gate 端嗎?4 t% M. o7 F7 v" g& v; V e
還是負壓產生後,直接用 IO pad 去 driving Power MOS 的 Gate 端就可以了?