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California Micro Devices推出用於手機的Praetorian III LC濾波器架構

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發表於 2008-7-21 13:53:40 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
California Micro Devices(CMD)日前推出應用於手機的第三代Praetorian III LC濾波器架構。Praetorian III產品為濾波器性能樹立新的基準,以較Praetorian I產品更低的成本提供更高的性能。創新的耦合電感設計,提供感應水準較高及電容水準較低的濾波器,使得濾波器設計可提供較同類競爭產品更高的衰減水準及更高的信號完整性。% [5 r4 M  _+ j0 z

8 D4 q* W4 x. Z5 I9 d" ACMD表示,Praetorian III架構的產品能滿足如今先進的手機設計,包括高解析度彩色液晶監視器、照相機及移動存儲介面中最具挑戰性的EMI(電磁干擾)濾波器與ESD(靜電放電)保護需求。Praetorian III架構採用了六極pi型濾波器拓撲結構,提供高水準的截止頻率和衰減水準及高達15kV接觸放電的強大ESD保護(符合IEC 61000-4-2二級標準)。利用可用晶片領域更高值電感的優勢,Praetorian III架構使得更低值電容器實現輸入電容低至10pF的濾波器設計,顯著提高信號完整性。耦合電感器的緊湊型尺寸還使Praetorian III濾波器設計能適用於引腳中心距為0.4mm的小尺寸uDFN封裝及晶片級封裝。
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發表於 2010-1-11 09:35:29 | 只看該作者
重要功能
* U4 [  e. D% W
; u, G; d1 T  O功能包括: ; G  K, `  W2 t- N( Q* `2 P
-- 極小的0201標准封裝(0.6毫米x0.3毫米)
/ Z6 Q+ M  W+ u7 d; h) X2 W6 }-- 根據 IEC61000-4-2 標准提供雙向 +/- 30kV 靜電放電接觸保護
, Z' V  j+ Z( G3 N# o) P-- 箝位電壓低,為+/- 8.6伏
* B) t( b% D+ F6 Z-- 動態電阻超低,通常為0.4歐姆
3 G; j. \  @7 ~9 n/ j. |) T) v& S& f1 C, n/ S* ~, _, d
封裝、定價和上市0 @# g' T' N! ]& c7 _# j
0 Q" b" E4 A0 `# T* U/ S3 }
CM1242-33CP 15000件起售的單價為0.035美元。設計樣品現已面市,計划于2010年第一季度開始生產。
; f: A3 H/ L: i2 N( J( R" f
. u! q; B/ L$ B' z4 h) B7 j0 E0 rCalifornia Micro Devices Corporation 簡介
  `1 b& g# f! ~; S5 B" R2 e: Y- e0 i2 C* D# [
California Micro Devices Corporation 是一家面向手機、高亮度發光二極管 (HBLED)、數字消費電子產品和個人電腦市場提供保護裝置的領先供應商。了解該公司及其產品的詳細信息,請登陸:http://www.cmd.com
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發表於 2010-1-11 09:35:09 | 只看該作者

California Micro Devices 推出業內最小的手機靜電放電保護裝置

CM1242-33CP 采用 0201 單通道設計,雙向靜電放電保護電壓高達30kV
- O0 T  b" o% C, f0 u5 [) S+ l! E
' \5 i% Z: S" y! F7 g加州米爾皮塔斯2009年12月21日電 /美通社亞洲/ -- California Micro Devices (Nasdaq: CAMD) 今天宣布推出其超小型靜電放電(ESD)保護裝置系列中的首款產品 CM1242-33CP。CM1242 為行業樹立了新的靜電放電性能和小封裝標准,是多媒體智能手機、上網本和移動互聯網設備 (MID)、電子書閱讀器及個人媒體播放器中空間受限類應用的一個理想的解決方案。該裝置的設計(0.6毫米x0.3毫米)十分緊湊,并提供單通道雙向 +/- 30kV 靜電放電接觸保護。
7 f$ \! h1 O/ f( c) D* a& I3 V$ f! o' I8 V& q9 D( z
強大的靜電放電保護性能
" F' M+ O/ [+ P; M
; q/ B! r, K  `: r  k( x4 p4 z8 \% ]由于該裝置配有多個靜電放電入口點,如鍵盤接口有側面功能鍵,也有單獨的功能鍵,因此智能手機設計人員需要特別注意靜電放電設計規格。靜電放電保護功能的穩定性、物理尺寸和價格都是設計時要考慮的重要因素。因尺寸小和成本低而廣受歡迎的變阻器不僅箝位電壓高,響應時間多于基于半導體的二級管解決方案,而且靜電放電性能在每次靜電放電活動后都會有所下降﹔因此,它們不是非常有效。
+ S0 {6 |( P* K! Q& t! @: J- I0 L
1 F3 u: V, J9 q; u( S" d與其它基于半導體的解決方案相比,CM1242-33CP 在性能和封裝上都具有優勢。CM1242 的動態電阻規格(0.4歐姆)極低,相對其它解決方案而言,其箝位電壓更低,靜電放電保護性能也更加優越。一個靜電放電保護裝置只有在能將靜電放電沖擊過程中的大部分能量轉向地面時才稱之為有效。這種能力是保護裝置的動態電阻所具備的一種功能。動態電阻應越低越好。如果靜電放電保護裝置的動態電阻很高,那么通常流過靜電放電保護裝置的能量反而會到達受保護設備 (DUP),從而增加設備損害的可能性。
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