bandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)

st80069

因為很神奇的，製程裡(.lib檔)沒有BJT，只有NPMOS，
* F% n, ~2 L% {* c+ A! e# v9 S. b/ e- A1 d所以，選了一篇paper裡有近似功能的bandgap。


而我，沒有任何參考類似bandgap的資料，Rasavi裡也只畫個示意圖，
更不確定我的模擬到底對不對，只是覺得很像...
5 _: _% ~7 _( d, t4 X( J
" x3 V) w2 _' L- F
, y  A* _8 v" R& A4 V問題1：請問這樣的模擬圖算OK的嗎?  或者誤差該多少才是合理。還是，有其他更好的架構可以建議的~~~
問題2：他的公式是怎麼extract VthN 和 Vthp的，好神奇..

( R! h3 m0 \" r- D( p
4 N' I4 v1 N9 n以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
5 a% _( D# v" Q& @4 Tbandgap無法將壓差降低  
Band-gap BJT 如果 layout 不 match
* f0 m/ }3 |: v* u/ m2 L. _bandgap電路的loop gain模擬
! ?: \0 s5 U0 d) ubandgap设计 仿真中的温度曲线问题！！
) ]" e- K$ N& ]9 a- G# O6 z/ o請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
bandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
' d" z" ?* w% o; BBandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作
1 `+ ?9 B( x. P1 D

- b9 e5 C" E2 j
[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 06:03 PM 編輯 ]

shinnyi

請問一下你的Mp和Mn的W/L為何呢

另外 R1和R2我加起來是305k而能
之前是串起來是1400k，後來發覺可以不用這麼大，約為305k 左右
- V2 D7 E- l8 i4 p/ }! F% y1 }  ]" N我的vref為240m

semico_ljj

现在P、NMOS设计的Vbg的ppm可以设计到20一下吗？？？？？？

st80069

恩恩~~我做出來了~~
這次模擬的結果，vref = 0.603V，溫度係數約20ppm XD
9 L7 v- L3 g+ T, A  d% k- B7 ]! }
4 c- x# I9 h. K: |) ^9 |******模擬過程******
* r; }3 P. D# W- Y+ V2 w' I因為我發現，就連偏壓電路也會因為溫度而改變偏壓值，
- [, _, l( K. {: w所以，為了避免它們所帶來的影響，就連同偏壓電路也一同設計，
9 Q, K  V/ E* O! Q$ X" m% svgsn 與 |vgsp| 的溫度係數比還是會依循公式而能找到R1與R2的比值。
而這樣，就設計出來了....
*********************************************************
# R4 u+ I) ?5 t  u
6 o6 u8 e0 `- l7 I' c5 I不過，還是有個問題....
/ Y9 h$ A0 C: H  H* b% g9 p因為paper裡寫說需要幾乎能忽略的電流值流經R1 R2，
我想目的應該是電流是因為由溫度掌控著，而R1，R2若有電流影響，
8 _! ?# S  g: \% ~: D6 F則測vgs的溫度係數時也會因為R2，R1上的電壓值改變而不準，所以要大。
$ x. S  p5 p3 t# v
但是，我取的電阻兩個串聯加起來總共1500K.....這樣，會太大嗎???
我怕layout的時候，面積會....唉唉唉~~
' F* n) n! D, R% c# H- e謝謝大大們不吝給予意見~~

st80069

對不起對不起~~~在下眼殘...一直把公式的Vgsn看成treshgold voltage....拍謝拍謝~~~
嗯嗯~~~十萬分的對不起~~~
謝謝大大們不吝嗇花了時間回在下這篇小小的問題~~
' B2 Q* P3 O  l* ~( R恩，這樣公式就知道如何推了~~~感謝感謝在感謝~~

( b, y& C0 m) u" y回alab307 ，
對啊~~大大也發現這個第一點的問題...原來真得不行.....
我發現的這篇paper，感覺有點像bandgap的合輯，有概念，
但不會很清楚的跑出模擬或製作過程。
恩....看來要重做...繼續加油~~~

alab307

1. 我覺得不OK, 溫度係數太差了
     左邊產生的偏壓還比合併的溫度係數好ㄟ
3 _8 K6 x9 {( `9 `2. MP, MN的工作區域, 在論文中應該有描述, 你取的size對嗎?
0 h/ D5 j* T3 N0 @    跟論文比一下溫度係數
3. CMOS製程都會有寄生的BJT, 只是你拿到的.lib內沒有

st80069

嗯嗯~~~謝謝vjc5 大大~感激感激~~
喔喔喔~~抱歉，忘了提到我的Vref欲設計的壓值，對不起對不起 ><~~~
$ g. w  g0 e' }. {( f這是sub-1v BGR的paper裡面發現的電路圖~~
它裡面提到說，vthn 跟 |vthp|都是成負溫度係數，而 |vthp| 的係數又為vthn大，
3 B$ T( [+ h" C6 C所以從公式裡面看到相減，而vthn又有大於1的倍數，看起來相當合理的樣子。所以就選擇它作為我的電路設計。

我欲設計的壓值是Vref=0.6v~~
我的specification...恩....好像沒特地提到他的規格...
我要做的專題裡，只說明，它需要一個與溫度無關的電路設計提供Vref，
所以，到處尋找有沒有像我這樣-50mv~+50mv的誤差也符合bandgap設計目的的經驗~~
3 g: }( Y0 e- y4 [
如果....
有建議我及早放棄這個找尋新的不用BJT(不知道位啥，製程裡就是沒有BJT)
的設計也是可以~~(汗)

vjc5

問題1：請問這樣的模擬圖算OK的嗎?
& F7 o2 r1 Y: u+ ?  Z有符合你的specification嗎? 若有 就OK
問題2：他的公式是怎麼extract VthN 和 Vthp的，好神奇
不懂"extract VthN 和 Vthp的". BGR通常具備正溫度與負溫度係數. 得到與溫度無關
而常見Vref電壓是1.2V 可參考Rasavi