|
3#
樓主 |
發表於 2008-8-13 13:42:39
|
只看該作者
矽佳推出 0.13微米高電壓技術 可應用於高解析度TFT LCD面板
馬來西亞晶圓代工廠矽佳(SilTerra),日前宣布推出0.13微米高電壓製程技術,可應用於高解析度TFT LCD面板(2.5英寸及以上),如PDA手機,移動式電視手機和智慧型手機。
+ X5 D8 \& H/ [" c g" ]; [2 `& |' m7 V' A+ c# A; e" p
該高電壓製程技術特點,包含2.13平方微米的新型SRAM,可提供T FT面板中WQVGA(240RGBx432,四分之一的VGA),HVGA(320RGBx48 0,二分之一的VGA)和VGA(480RGBx 640)高密度嵌入式存儲器的最佳化設計。此外,提供讓設計更密集的非對稱式高電壓元件結構,一次可程式化資料庫(OTP)作為伽瑪彩色校正和電壓微調,靜電保護及金屬電容器的設計準則。 " @/ o2 z! V4 j) K
8 \* U4 y1 i- x+ O
SilTerra在小面板驅動IC製造保持領先,最新的0.13微米高電壓製程技術,定位於先進顯示器中驅動IC的解決方案,為快速成長的智慧型手機、PDA手機、移動電視電話和其它高解析度多媒體手持式產品應用所建立的第四代平台。
v" |0 {% W! i$ w2 _
+ J: S( p+ x u6 x7 D6 ? 此技術提供極低的待機電流的性能,更嚴格的設計規則與充分利用鋁的後段製程,並採用全套的設計工具和資料庫,幫助客戶縮短設計時間和搶先市場的優勢。 $ q# n: D1 y& c: i1 K) u' ~8 F a
# ^, X4 u) K- l* h: E7 n, Z
SilTerra全球業務和市場行銷副總經理賴一龍表示,身為高電壓製程技術大廠,SilTerra計畫於明年第一季推出下一代小於1.9平方微米的6TSRAM。當0.13微米高電壓配合1TSRAM的製程開發順利,預計2 009年上半年可大規模生產。 |
|