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[問題求助] 關於GUARD RING的疑問

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1#
發表於 2008-4-21 21:22:45 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
我想請問一下各位LAYOUT高手8 k/ m( F! E! t
( l% s  {) R" E& M/ M
我之前有去參加過奇景盃比賽
! N6 w; \+ g/ t/ q9 I8 x( @% B& m
* `9 T+ F5 l, h8 Q" o" T當我拿到電路圖畫LAYOUT時) J# o" O. `' [. Q( G

2 x4 W: {1 K8 D# W$ k我發現別人都會用GUARD RING去將他框起來
" A8 S2 E( X" H. J4 n, @
& G1 b& d, x! F& N小弟我剛學而已/ c7 m3 z; ]1 s8 v! _
; F/ T9 v! r; L2 O4 U
可以請教各位大大* d9 I- a; x7 a+ j% d" b1 i
! F8 r6 `8 V! D/ u
在什麼狀況之下需要圍GUARD RING呢??
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6#
發表於 2008-5-21 13:04:43 | 只看該作者
原帖由 小緯仔 於 2008-4-25 09:00 PM 發表
  A) \, e; z  n7 N那我想要順便請問一下....0 F" E8 b$ p& y: r3 n

3 n) B% \  h3 T. a8 \$ r6 _# ]% V如果在lay電阻...需要用到guard ring嗎
3 T+ K6 P& _7 y7 h; v: _! x- w7 e" q7 ~
如果需要  以poly電阻來說的話 應該使用  P 或者 N guard ring呢?
: S3 C) k" n1 I0 d  T, S
! s- j8 }  U" F' `* P
poly res也是有分P or N type的
- r; H6 A3 Q! h* u  \6 B$ C: q正常應該都用p+ poly res,這樣就要圍n guard ring
6 I8 ]) q( |, E4 _: u也就是p+poly res要畫在nwell裡面。, C" D7 a3 ~. e$ m5 q
不過poly 圍guard ring應該不是為了latch up考量,他是要電阻與psub用nwell隔離。
3 J2 _/ f6 K3 H# ^( c6 q5 h9 e4 m% b2 \因為一般認為psub雜訊比較多。( Z+ Z3 h. c' ?$ r8 {9 ]; `# y! y
還有要看command file是check 幾端的電阻(有2有3)
2 p  d0 z9 r- l+ D3 Q1 I$ f; q5 E如果是3的話就一定要圍guard ring 也就是body 端。
5#
發表於 2008-4-28 07:30:41 | 只看該作者
有的話外圍一圈poly...或者是不圍...你要放GuardRing裡面也可以...
3 U3 s% O1 t6 Y0 Q/ e( u如果是比較準一隻隻排的記得加dummy4 [6 M7 c5 I: i: O0 u0 `2 s

0 e; K: G& l; C" r至於第一圈GuardRing通常代表mos的B極,Pmos的N-GuardRing無特別標示的話通常是接Vdd,Nmos的P-GR就GND
: B7 Q  \# x6 |# D8 D0 [有為第二圈主要是加大距離減少干擾
4 Y. d% a: h( L% F& ?$ b- _' G  b% O8 }/ \
有錯的話麻煩指證
4#
發表於 2008-4-25 21:00:50 | 只看該作者
那我想要順便請問一下....
1 `1 u  H, d# \6 @5 C6 D2 i
: a3 a& B: y+ q# W3 i/ p如果在lay電阻...需要用到guard ring嗎9 J" f: }: B- i0 k) n+ B
- \3 m: p8 x% Y( y1 J7 I, @
如果需要  以poly電阻來說的話 應該使用  P 或者 N guard ring呢?
3#
發表於 2008-4-22 11:25:19 | 只看該作者
圍guard ring 可以防止latch up 和 防止雜訊干擾 所以一定會圍
2#
發表於 2008-4-22 09:25:58 | 只看該作者
通常是畫好一個cell時,都會圍一圈的guard ring
  S! h+ w* k& c6 D1 z% L6 q1 J很少有沒有圍的
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