恆憶 (NUMONYX) 以堅強實力進軍記憶體市場

heavy91

意法半導體、英特爾和Francisco Partners合資案完成交易 成立全新的創新記憶體公司
" W; g- |+ h: [" x, P" T
: ]- A  r% B8 W0 Z(台北訊，2008年4月1日) –恆憶™ (Numonyx B.V.) 今日宣佈正式成為一家獨立的半導體公司，其業務著重於使用領先的 NOR、NAND 和RAM 記憶體技術，以及最新的相變記憶體 (PCM) 技術，提供創新的記憶體解決方案。這家新公司將成為領先業界的記憶體專家，提供服務給生產各種包括行動電話、MP3播放器、數位相機、超級行動電腦(ultra-mobile computers)和其他高科技設備等各種消費性及工業電子產品的客戶。
# `4 D, r0 Q( U% K
- p* L7 k' ?1 p  ^: X/ O, h+ z0 {恆憶™以堅強的實力進入持續成長且瞬息萬變的非揮發性記憶體 (non-volatile memory) 市場。恆憶™現已是NOR快閃記憶體的領導者，再加上完整多樣的NAND技術，可為新公司帶來更大的成長及發展具產品深度及價值的DRAM產品，結合這些優勢，恆憶™同時也是第三大的非揮發性記憶體供應商，年度總營收估計超過30億美元 。

恆憶™執行長Brian Harrison表示，很少有公司在創立之初就擁有如此堅強的實力基礎。兩家母公司在產品、技術和專業上相輔相成的本質，讓恆憶™自最初就擁有氣勢非凡的開始，立即擁有完整且技術領先的系列產品、專屬產能、領先業界的PCM技術開發與交貨、經驗豐富的管理團隊，以及由優異記憶體專家所組成的員工團隊。恆憶™即已成為一個具有強大競爭力的記憶體解決方案供應商。

恆憶™擁有廣泛的領先技術與產品使其具有獨特優勢和彈性，得以透過多元方式協助顧客解決問題、滿足需求，亦即以在密度、效能、功耗和成本上取得平衡，設定出顧客所需的系統。根據產業分析機構iSuppli所發表的一項研究報告顯示，非揮發性記憶體市場在2007年所創造的總營收將近225億美元，到2011年更預計會超越377億美元。
2 f- B6 D) q# y
技術與生產製造兩方面均領先群倫
" a+ p% v2 y, z' d: q恆憶™的優勢之一是奠基於其研發與提供尖端科技和先進製造產能上 ，這些條件都是領先非揮發性記憶體產品的成功基礎。公司目前大量生產65奈米 NOR記憶體晶片，並預計在年底之前轉移到45奈米製程，以便用較低的成本提供最為先進的技術。此外，恆憶™ 還擁有許多業界最精密複雜的封裝與堆疊(stacking)技術，能夠為顧客提供更具彈性，也更節省空間的設定。
- p: Z0 m- ?, I; I1 N0 N, U
為了滿足對恆憶™記憶體晶片的需求，恆憶™除了簽訂外部供應合約外，同時本身也擁有晶圓製造與組裝、測試生產的設備。這些建置包括分布於以色列、義大利和新加坡的六座200mm和三座300mm晶圓廠，使恆憶™更能依據顧客需求，彈性生產各種NOR、NAND 和RAM 晶圓組合。

成績斐然的歷史，前途無量的未來
承接意法半導體和英特爾共計超過40年的豐富經驗，恆憶™擁有大量的世界專利組合，這些專利及應用涵蓋各種技術包括快閃記憶體、PCM、繪圖、手機、儲存媒體、處理器、半導體製造封裝，以及多樣性消費電子產品等應用。恆憶™也繼承了過往一系列的創新和里程碑，包括七代的Multi-level Cell (MLC)技術。Harrison指出，這些智慧財產權、專利和專門技術將會成為恆憶™的發展基石。恆憶™將依據這個豐富的歷史，以更多的創新產品技術打造未來。

舉例來說，本月稍早意法半導體和英特爾宣佈業界第一個使用PCM的未來記憶體原型(代號：Alverstone)已開始提供樣品給顧客，並發表一份研究報告，說明它們如何利用PCM科技開發出全世界第一個可演示的高密度MLC 大型記憶體晶片。PCM是一項極具潛力的新記憶體技術，能在低於傳統快閃記憶體功耗下，提供極為快速的讀寫速率，並且擁有一般在RAM上才有的位元可變性 (bit alterability)。
4 F% p9 x# q2 M" X
& h9 d- c. e9 _% l* E恆憶™管理團隊是由來自意法半導體和英特爾擁有豐富經驗的業界精英，及來自其他業界的主管所組成。曾經擔任英特爾快閃記憶體事業群副總裁暨總經理的 Brian L. Harrison，擔任恆憶™執行長一職， 意法半導體的快閃記憶體事業群企業副總裁暨總經理Mario Licciardello則被任命為營運長。

! B# w7 l) h- ]恆憶™總部位於瑞士，公司並在荷蘭登記註冊，全球共擁有約7,000名員工，並於美國、義大利、中國、以色列、新加坡、馬來西亞和菲律賓等國家設有營運據點。目前銀行資金則是來自Intesa Sanpaolo s.p.a 及 Unicredit Banca d'Impresa s.p.a.。

恆憶™ (Numonyx) 公司簡介
  A, P, q3 ~! Y  D% u4 Z7 p恆憶™設計與生產製造完整的整合式NOR、NAND 和相變( Phase Change )非揮發性記憶體技術與產品，以滿足行動電話和內嵌式記憶體市場愈趨複雜的需求。恆憶™結合了意法半導體(STMicroelectronics)和英特爾(Intel Corporation) 快閃記憶體部門的技術與製造專業，致力於提供高密度、低功耗記憶體技術與封裝解決方案給全球客戶。關於恆憶™的詳細資訊，請查詢公司網站 www.numonyx.com。
; G0 V0 V# W7 D- j# @
[ 本帖最後由 jiming 於 2008-4-1 05:57 PM 編輯 ]

heavy91

Numonyx® Omneo™ P5Q PCM
% c! l% k, k" Q0 l8 u* YOmneo P5Q PCM 是一款相容高速 SPI 介面的 90nm PCM，集串列 NOR 快閃記憶體和 EEPROM 兩大記憶體的技術優點於一身，具有位元組修改功能以及更強大的寫入速度和耐寫效能。

" ?' q% [  J) N  c+ A* |新記憶體支援位元組修改功能而無需擦除大區塊資料，進而使資料處理和簡化軟體變得更容易。覆寫 (over-write) 意即「無擦除」(no-erase)功能，可讓工程師和設計人員能夠簡化軟體設計、提升系統效能，將記憶體編碼時間縮短至快閃記憶體的三百分之一。新產品 Omneo P5Q 的耐寫次數可達 100 萬次，可寫入資料量是快閃記憶體的 10 倍。
  m. a. j2 }, P1 E  R
Numonyx® Omneo™ P8P PCM
Numonyx P8P PCM 是恆憶推出的第二款 90nm 128Mb 並列式 PCM 。第一款於 2008 年 12 月推出，支援 10 萬次的耐寫次數，第二款產品則更提高到 100 萬次。目前兩款產品均已量產。

Numonyx Omneo演繹全面與創新
恆憶同時發表針對嵌入式應用 PCM 所創立的新品牌— Numonyx® Omneo™ PCM。這項依應用設立專門品牌的方式，可針對特定客戶的應用市場需求，研發量身訂做的記憶體解決方案，進而更有效地支援公司的產品策略。
# b2 ]$ M& U+ X# L3 m9 Y$ W' j
恆憶企業行銷資深總監 Raymond Solone 表示，PCM 是非比尋常的記憶體技術，其特殊功能能夠解決不同市場領域的獨特難題，恆憶因此採取差異化的品牌策略以強調其特殊性。基於 PCM 技術帶給客戶的新功能和優勢，恆憶也積極尋求進一步透過品牌策略直接連結不同的 PCM 應用市場領域。

( F" t% Z' V' ROmneo™ 品牌反映了 PCM 全面適用於嵌入式設計領域各類應用的內在能力 (omni)，與其全新的記憶體技術 (neo)。從消費電子到工業應用，Omneo 系列 PCM 將實現嵌入式記憶體系統創新的設計方法，提供長期的升級能力和產品可靠性。

heavy91

Numonyx® Omneo™ 相變記憶體大幅提升效能和耐寫次數 實為嵌入式應用最佳選擇

(台北訊，2010 年 4 月 29 日)   恆憶 (Numonyx) 身為相變記憶體 (PCM) 的創始者，宣佈正式推出全新系列 PCM (Phase Change Memory) 產品。該系列產品採用被稱為 PCM 的新一代記憶體技術，具備更高的效能、耐寫次數且設計更為簡易，適用於有線及無線通訊、消費電子、個人電腦和其他嵌入式應用。目前該產品已開始量產供貨。

這種新式嵌入式記憶體集快閃記憶體、RAM 和 EEPROM 三大記憶體優點於一身，一顆記憶體晶片即可實現眾多新功能。新產品以全新品牌 Numonyx® Omneo™ PCM 發表，可望實現較現有快閃記憶體快 300 倍寫入速度，與 10 倍的耐寫次數*。
$ u# Q$ x$ s# q# h
! ^- @1 |3 u" f/ H恆憶副總裁暨嵌入式業務部總經理 Glen Hawk 表示，自 1988 年快閃記憶體問世至今，還未見業界推出如此嶄新的高容量儲存技術。目前設計工程師必須使用不同類型的記憶體以進行編碼儲存、執行以及資料儲存應用。今日恆憶 Omneo  PCM 的推出，將提供設計人員更簡單的單一記憶體解決方案。
/ m/ G/ X3 G/ V) ?
3 b) O- Z- U! o9 v* [# k$ R恆憶此次推出的新產品，包括支援串列式周邊介面 (SPI) 的記憶體 (Omneo™ P5Q PCM) 和支援並列式 NOR 介面的記憶體 (Omneo™ P8P PCM)。兩種介面產品都充分利用全新 PCM 的技術優勢，同時與工業標準的串列式介面和並列式介面相容。

chip123

恆憶：在車載資訊應用領域乘風破浪
6 l" V+ G1 p+ q- E4 C+ n3 Y5 G, a隨著車用 eMMC* 的推出，恆憶正向高速增長的汽車市場輸送車載資訊應用技術全力邁進，包括導航系統、無線電衛星廣播、汽車音響和 DVD 影音系統、語音識別、遠端資訊處理和多媒體系統。隨著這些特性逐漸成為新車的標準配備，汽車供應商對靈活、高品質、標準化的可靠快閃記憶體解決方案的需求也急遽成長。
5 c2 k5 z& s! ^
! |/ `: v( j% q8 K: L1 I& U1 Q. V在汽車應用領域，對電子和物理規範都有最嚴格的要求。針對此類車載應用，恆憶推出了這個具備差異化特色的車用標準 eMMC* 產品，充分呼應市場需求。該產品包括了高級電子和溫度篩選，可在 -40C~+85C 的溫度範圍內實現優異的性能、良好的品質和高度的可靠性，並符合汽車等級和 AEC-Q100 標準的關鍵要求。為了提高穩健性和針對機械振動的抗震性，恆憶的 eMMC* 產品採用球距 1mm 的 BGA 100 封裝，從而提供更高的可靠性並滿足駕乘人員的期望。採用符合 RoHS 要求的材料，恆憶 eMMC* 產品還可滿足解決方案在環保方面日益升高的要求。

恆憶 eMMC* 架構是在同一個小 BGA 封裝內整合多媒體卡介面、快閃記憶體裝置和主控制器的嵌入式記憶體解決方案。因為介面速度高達每秒 52MB，恆憶 eMMC* 提供快速且可擴展的效能，同時還支援 1.8V 或 3.3V 的介面電壓。恆憶所有的 eMMC* 解決方案都基於 MMCA/JEDEC 工業標準。
- D6 p& t) P) B* \9 ^
2 T4 ^3 C  L: ~  I; A" v+ Z恆憶正與多家世界級汽車零組件廠商合作，為其提供滿足汽車級品質要求的測試樣品，預計新產品將在年底前投入量產。

chip123

恆憶發佈新款汽車應用記憶體產品 力薦相關產業使用記憶體以獲競爭優勢
7 `2 `% K. W; k9 j2 ]3 a7 E1 v
(2009 年 9 月 23 日，台北訊)   恆憶 (Numonyx B.V.) 預計在嵌入式系統大會 (Embedded Systems Conference, ESC) 中強調產業應著眼於記憶體子系統以簡化並加速設計，以達到成本和時間的優勢，並鼓勵嵌入式系統市場進一步創新。同時，恆憶將宣佈針對高速發展的車載資訊應用推出一款全新產品，此次新產品的發佈也再次證明恆憶對嵌入式系統客戶的承諾，為時下備受矚目的熱門應用帶來更高的性能、靈活性、相容性和可靠性。
9 ~1 \( \2 M4 s, \! h/ \- R
恆憶即將宣佈的首款車用 eMMC* 解決方案將正式上市，以滿足市場對車載資訊娛樂應用日益升高的需求。該產品針對汽車市場對資料和代碼儲存可靠性的嚴格要求所設計而成，進一步拓展了恆憶記憶體產品線。

恆憶嵌入式事業群副總裁暨總經理 Glan Hawk 將強調記憶體的重要性。在改進系統總體效能、簡化設計和產品上市時間方面，記憶體子系統是設計人員最終考慮的問題之一，但這可能會讓設計人員為之付出高昂的代價。如果客戶在早期選擇了正確的記憶體技術，他們就更能完整地瞭解設計過程中的效率問題，例如韌體和軟體的複雜度，這些問題對於加速產品上市都是相當關鍵的因素。

' D" f' @2 f+ u$ k0 q8 j. jGlan Hawk 也會進一步針對嵌入式市場如何通過產業合作成為技術創新的範本加以解釋。雖然記憶體技術和專業知識極為重要，但創新很少靠單方力量實現。若要嵌入式系統產業快速發展，就需要像參考設計和產業合作這樣的多方推進。恆憶對自身產品技術組合深具信心，包括今日推出的新產品，就是為這個概念提供了一個非常好的開端。

heavy91

恆憶與三星電子共同開發相變化記憶體 (PCM)

(台北訊，2009 年 6 月 25
日)
恆憶 (Numonyx B.V.) 與三星電子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣佈共同開發相變化記憶體 (Phase Change Memory，PCM) 產品的市場規格，此新一代記憶體技術可協助多功能手機及行動應用、嵌入式系統 (註1) 及高階運算裝置的製造商，滿足處理大量內容及資料的平台所需之高效能及功耗需求。建立 PCM 產品通用的軟硬體相容性將有效簡化設計流程及縮短開發時間，使製造商可在短時間內改採這兩家公司所推出的高效能、低功耗 PCM 記憶體產品。
. e. h' |6 w' ?! }* l& \
相較於傳統的 NOR 及 NAND 快閃記憶體，PCM 能以較低的功耗達到極快速的讀寫速度，並且可達到一般在 RAM 中可見的位元可變性 (bit alterability)。

恆憶總裁兼執行長 Brian Harrison 表示，恆憶與三星這兩家記憶體業界領導廠商的共同合作，能夠發揮導入新技術時業界所需的指引與釐清，對於 PCM 技術發展及整體記憶體市場均是相當重大的里程碑。共通規格可有效協助晶片組廠商及整個產業體系中的其他廠商達成產品標準化，並且有助催生新一代的記憶體技術，不僅可嘉惠手機 OEM，也有益於嵌入式系統與高階運算裝置及其客戶。
( ~7 W/ c- n% ]0 J. g5 }
# k3 Q) d. {1 u; U2 E) u. X三星電子行動記憶體技術規劃致能 (mobile memory technology planning and enabling) 副總裁 SeiJin Kim 表示，恆憶與三星的合作能夠使 PCM 以更穩定的方式導入行動環境。三星預見 PCM 將成為公司記憶體產品的新主力，同時提升公司其他行動記憶體解決方案的效益，且進一步提高三星在業界的領導地位。

恆憶與三星已開始針對支援 JEDEC LPDDR2 低功耗記憶體裝置標準的行動、嵌入式及其他潛在運算應用訂定共通標準，亦即 pin-to-pin 的軟硬體相容性。LPDDR2 標準可提供進階電源管理功能、非揮發性記憶體 (NVM) 及揮發性記憶體 (SDRAM) 的共用介面，以及各種容量與速度。

$ X" I% I# }6 g$ \PCM 兼具 NAND 與 NOR 快閃記憶體以及其他 RAM 記憶體的多項優點，包括減少現今數位應用中大量的 RAM 以降低成本及用電量，同時能夠維持以 RAM 的速度讀取內容。

PCM將具備「可執行」的特性，如此可將程式碼與資料分開，以確實儲存程式碼，特別適用於手機等資料內容處理量較大的應用。由於 PCM 裝置的類 RAM 功能可逐一位元進行程式設計變更而不需清除整段資訊，使其相較於其他記憶體具備更快速的程式功能。

此共同標準計畫將在 2009 年完成，兩家公司預計2010 年將有相容裝置問世。
; q, i% }1 x# O: f( X; t
6 E9 E; }' |$ \註一：此嵌入式系統涵括消費電子裝置、有線通訊裝置、個人電腦及週邊、工業自動化工具，與汽車電子中的記憶體解決方案。

heavy91

瞄準亞洲記憶體成長商機　恆憶積極佈局經銷商網絡

(台北訊，2009年6月16日)
4 d. Y- H/ H3 J, \! O' I0 E– 全球非揮發性記憶體領導廠商恆憶 (Numonyx) 今日宣佈與益登、聯強國際、世平、文曄及東棉等授權經銷商合作，共同經營恆憶在台灣產品的銷售供應與支援服務。透過這個穩固的經銷商網絡，恆憶在亞洲區的產品與技術佈局將更加完整，足以滿足亞洲成長中嵌入式與無線市場的需求，尤其在數位消費電子、通訊及手持裝置等領域。

) V  @1 b+ ?1 O. U5 R3 I( W亞洲市場規模龐大且具備驚人發展潛力，在恆憶的全球佈局中始終佔有關鍵性地位，中國大陸與台灣更是其中最具代表性且成長最快、爆發力最強的市場。根據 iSuppli 與 Web Feet 的研究顯示，2008 年全球嵌入式非揮發性記憶體 (non-volatile memory) 市場已達 58 億美元，當中亞洲需求即佔半數。同樣根據 Gartner 2008 年調查，亞洲驅動了全球將近 37 % 的無線手機市場總量。

6 J+ l6 I6 O# T  R  }+ ^恆憶亞洲區嵌入式事業群業務副總裁龔翊 (Grace Gong) 表示，為了提供亞洲客戶完整而在地的服務，恆憶高度關注亞洲市場的佈局與連結。恆憶很榮幸能與亞洲領導經銷商建立密切的合作網絡，透過與在地經銷商的緊密合作，將提供亞洲客戶最完善的技術、銷售及業務協助。這些經銷伙伴過去的成長、業界經驗、觸角與及技術支援充分強化恆憶的發展實力，同時也將驅動恆憶在亞洲市場的成長。

恆憶計畫與經銷商密切合作，透過經銷商行銷合作計畫，安排完整訓練、共同研發規畫以達成NOR、NAND、RAM，甚至未來 PCM 技術的絕佳組合，滿足市場對於記憶體、軟體、封裝與堆疊創新解決方案不斷推陳出新的需求。

恆憶經銷商網絡遍布大中華區超過 20 個城市，將大幅強化恆憶在地產品、技術支援、供應鏈管理的能力，進一步為亞洲區客戶帶來絕佳的效率與競爭力。

jiming

龔翊出任恆憶亞洲區嵌入式事業群業務副總裁
) ~8 k3 A/ h3 `/ H( q
4 g+ i  t) Y+ P& d" s! H: u (台北訊，2009年5月27日)  – 全球非揮發性記憶體領導廠商恆憶 (Numonyx) 今日宣佈延攬前飛索半導體 (Spansion) 嵌入式事業部亞洲區副總裁龔翊 (Grace Gong) 為恆憶亞洲區嵌入式事業群業務副總裁。龔翊將負責恆憶亞洲區嵌入式產品的銷售業務與管理，帶領恆憶嵌入式事業團隊為亞洲客戶、合作夥伴提供更完善的服務與支援。

亞洲在全球嵌入式產品市場具有重要的戰略地位。恆憶全球嵌入式事業群副總裁Wayne Godwin表示，恆憶致力提供相關產品與技術支援，以滿足嵌入式市場需求，憑藉在NOR、NAND及相變化記憶體 (PCM) 領先業界的效能與技術，提供嵌入式市場客戶高品質、高可靠度與高穩定性的非揮發性記憶體產品。龔翊在半導體領域擁有豐富經驗，不僅善於研擬業務發展方向和執行策略，更深諳客戶需求。相信龔翊的加入，將為恆憶注入更強而有力的管理與策略思維，並將為恆憶亞洲區客戶提供更多在地化且完善的服務。

2 z2 e7 p9 Y$ K: _' P加入恆憶之前，龔翊為飛索半導體嵌入式事業部亞洲區副總裁，負責嵌入式業務，帶領中國大陸、台灣、新加坡等地跨區域市場的銷售、策略規劃、管理等。任職飛索半導體前，龔翊亦曾先後於AMD、Lenovo 以及 Shell China 等企業擔任高階要職，在半導體銷售領域累積逾十年經驗，屢創佳績。龔翊的加入將為恆憶嵌入式領域增添助益，成效可期。龔翊畢業於復旦大學，並擁有美國德州Southern Methodist University 碩士學位。

chip123

(台北訊，2009 年 5 月 8 日) 恆憶 (Numonyx)、群聯電子及海力士 (Hynix)宣佈簽署合作協議，將根據新版 JEDEC eMMC™ 4.4 業界規格，共同開發新一代 managed-NAND 解決方案。這項合作計劃可望加速推動業界最新的 eMMC 規格，有助於管理及簡化高容量儲存系統的需求，並提升無線及嵌入式應用的整體系統效能。
( T4 z' o' J8 j0 h4 T: l8 j, _
. Q  l' p. l7 H. ?. ?3 d透過這項協議，恆憶、群聯電子及海力士將運用各自的競爭優勢，共同開發可搭配多種 NAND 快閃記憶體產品使用的控制器。群聯電子將為恆憶及海力士獨家提供共同開發的控制器，進一步強化各自 NAND 快閃記憶體系列解決方案。
- S8 E9 e1 E- \2 c* t$ k' I( x/ R
恆憶副總裁兼無線事業部總經理 Marco Dallabora 指出，在新一代 3G+ 行動平台中，如 eMMC 之類的標準介面逐漸成為 NAND 快閃記憶體系統的一般需求。透過這項協議，恆憶將發揮自身系統級的專業技術，提供客戶及合作夥伴絕佳的系統解決方案。
7 {+ [6 B0 T: F" a7 Y
群聯電子董事長兼執行長潘健成表示，身為 NAND 快閃記憶體控制器的領導供應商，群聯相當榮幸能與恆憶及海力士攜手開發 eMMC 4.4。該公司也期盼藉此機會提供群聯在 NAND 管理方面的專業知識，為無線市場推出最佳解決方案。
6 Z0 i/ Z. z1 M3 H3 @
海力士企業策略辦公室 (Corporate Strategy Office) 資深副總裁 Min-goo Choi 亦表示，海力士預期透過這項合作提升該公司於 NAND 快閃記憶體解決方案的技術領先地位，該公司也將提供多樣化的 NAND 快閃記憶體產品供 microSD、eMMC 及 SSD 等多項優質應用產品使用，以拓展市佔率。

eMMC 為嵌入式非揮發性記憶體系統，內含快閃記憶體及快閃記憶體控制器。全新的 MMC V4.4 標準版本進一步強化了多項功能，包括雙倍的記憶體介面效能、彈性的分區管理，以及改良的安全性選項。
( U- X1 |( o" u, U3 M
三家公司過去已經累積相當成功的長期合作經驗。2008 年 6 月，海力士與群聯宣佈共同開發 NAND 應用技術以及供應 NAND 快閃記憶體。2008 年 8 月，恆憶也與海力士針對 NAND 技術與產品簽署共同開發協議。恆憶與群聯也曾共同開發標準及強化型 eMMC4.3 解決方案，這些解決方案同時被納入恆憶目前的產品中。預計結合群聯的控制器、恆憶與海力士的 NAND 快閃記憶體所共同開發的產品，將於 2009 年底前上市。

chip123

滿足市場對高容量 Managed NAND 的需求
+ _1 ]5 p: ]7 ?7 ]8 ^# l- \為了滿足市場對 managed NAND 產品的需求，恆憶推出了41奈米 managed NAND快閃記憶體裝置系列。新產品具有管理 NAND 應用所需的基本控制功能，極適合全球定位系統 (GPS) 以及其他需要大量儲存管理的產品設備。此外，多功能手機廠商預計也將因結合 managed NAND與RAM 的多晶片封裝解決方案應用而明顯受益。
( Q/ N" r4 ]) h3 Q+ E# Y5 `
+ ^+ H  K& T0 I$ U" l( F; @目前市面上的解決方案中，恆憶的32GB eMMC 是容量最高、且與第 4.3 版 JEDEC eMMC 標準完全相容的解決方案，可以協助製造商大幅簡化產品開發設計。eMMC 32GB可供儲存多達 16,000 張高解析度數位相片、8,000 首歌曲和長達 20 小時的高畫質視訊。新的 32GB 嵌入式裝置是一個結合 8 顆 32Gb NAND 晶片，整合成一個專用控制器。工作溫度範圍 -25 °C 到 +85 °C，並支援 1.7V 至 1.95V 和 2.7V 至 3.6V 雙電壓電源，可滿足無線產品及其他以電池供電的行動裝置對電源的要求。32GB 容量的產品樣本將於2009年1月上市。
) |' x0 Q3 }* H3 d, E
恆憶的 microSD 解決方案為資料儲存提供更多選擇
用戶對數位內容日益增長的需求，促使越來越多的手機廠商在手機上增加 microSD 記憶卡以提高容量。著眼於此需求，恆憶將提供無線客戶 2GB 到 8GB 的 microSD 記憶卡。MicroSD記憶卡是為有插槽的舊式手機設計而成，最大儲存容量為 2GB。新推出的 microSDHC™ 記憶卡分為4GB和8GB (SDA Speed Class 6) 兩類，特別適合新型手機，大多數新型手機也都與此系列大容量記憶卡相容。
9 w" h: p: ^+ P3 D. _' }1 v2 f
. ^0 b! U) W" {1 |7 `恆憶 48奈米 1Gb SLC NAND 有效提高安全性、效能和使用壽命
為協助用戶防止資料被惡意篡改或是應用程式被意外修改，恆憶 48奈米 1Gb SLC NAND 增加一個 128 Kbytes 的一次性可編程 (OTP) 區塊，確保儲存的資料不會被修改或破壞。此外，恆憶的 1 Gb SLC NAND 更大幅度提高記憶體效能，把資料讀取速度提高一倍，從原來的每秒 13MB 提升到現在的每秒 26MB。恆憶 48奈米 1 Gb SLC NAND 程式運行速度是 90奈米產品的 4 倍，擦除操作更比 90奈米產品快 8 倍，提供更強的產品效能與更佳的用戶體驗。

% Y+ y3 Z$ u+ w( K4 {/ G為延長記憶體的使用壽命，恆憶 48奈米 1 Gb SLC NAND 提供每 528 位元組1位元位址空間的標準 ECC 選項，協助需要 1 位元 EEC 的應用無需升級軟體或修改硬體即可輕鬆升級。恆憶的 300mm製程48奈米 1Gb NAND 裝置為客戶提供長期供貨的保證，樣本預計於 2008 年 12 月起上市。

chip123

採用 41奈米先進製程，為高容量 eMMC* 和 microSD* 解決方案

2 `4 R+ a, s" |- s: f, e. L(台北訊，2008 年 12 月 18 日)  – 恆憶 (Numonyx) 針對無線通訊、嵌入式設計和資料儲存應用推出新系列 NAND 快閃記憶體產品，持續為業界提供完整的 NOR、NAND、RAM 和 PCM (相變化記憶體) 解決方案。新系列產品包括高達 32Gb (gigabits) 的 MLC NAND、32GB (gigabytes) 的 eMMC* 和高達 8 GB的 microSD* 產品，均採用先進的 41奈米製程。新產品提供手機、個人導航裝置與其他消費電子產品廠商易於管理、設計的記憶體解決方案，也提供消費者更大的空間來儲存相片、視訊、音樂，及操作熱門的多媒體相關應用。

9 C6 M- h; F& O' u0 s從機上盒到手機，大量數位內容的儲存需求促使 NAND 快閃記憶體持續發展，成為半導體業成長最快的領域之一。這一系列新產品的發表進一步拓展了恆憶領先的 MLC 及 SLC NAND 記憶體、managed NAND 和 NAND 記憶卡產品技術，並強化恆憶儲存子系統解決方案技術，例如多晶片封裝、軟體和韌體等，使恆憶的競爭優勢更加完備而突出。
* }0 H0 l7 D3 C& U' B
恆憶副總裁暨資料業務部總經理 Fabio Gualandris 表示，在持續不懈的努力下，恆憶的 NAND 產品迅速達到業界領先水準。透過新推出的 41奈米製程 NAND 產品，恆憶先進的技術和高容量記憶體不但為無線通訊和嵌入式設計客戶提供更高的價值，同時也將恆憶推進了資料儲存的新領域。恆憶的 NAND 系列產品也能搭配自身的 NOR 產品和成本效益極高的 DRAM ，依據客戶的容量及應用需求，提供最佳的技術組合。
& F, \" R! R- ^. h  G" {( R
恆憶NAND：廣泛的產品組合，先進的製程技術
透過新推出的 NAND 產品系列，恆憶將先進的 41奈米製程優勢注入到包括 16Gb 到32Gb、單片和多片封裝的 MLC 產品， 2GB 到 32GB 的eMMC managed NAND，以及2GB到8GB的microSD可攜式記憶卡等深受市場歡迎的解決方案，以及各種容量的記憶體中，滿足客戶需求。恆憶更推出一款 48奈米 SLC 1Gb NAND 產品，為嵌入式設計和無線產品客戶提供更高效能、更高安全性且更為耐久實用的 NAND 解決方案。

jiming

更高速的程式化與更高的安全性
* U7 g. ^% |% C( E' N除了插槽和軟體相容性優勢，恆憶Axcell M29EW產品線提供用戶可選擇的加值功能，大幅強化採用此產品線的應用，這些可選功能包括廣泛的配置、效能和安全級別，提供客戶多樣化的選擇。
  v+ }  P) e" ?. V0 m1 q8 z       
恆憶Axcell M29EW大幅提高了程式化速度，讓客戶能夠提高程式化生產率，加快產品上市時程並降低整體擁有成本。這款新記憶體擁有全晶片程式化優勢，速度每秒將近1.5MB，是市面一般競品的 11 倍。以256Mb 代碼程式化為例，與市面上絕大部分須耗時 4.2 分鐘的解決方案 (註2) 相比， M29EW 所需時間僅為 23 秒，協助客戶大幅縮減生產時間與成本。

/ N5 c7 L* r& o7 F; T) Q: F2 P隨著嵌入式系統的持續發展，其記憶體子系統對於安全解決方案的需求也與日俱增。除了防護惡意軟體或寫入失誤的標準系統的安全防護功能，恆憶Axcell 快閃記憶體巧妙地增加了一個安全選項以提供智財權的保護。恆憶新增的這項密碼保護功能，可以協助避免內容被修改，以協助系統製造商無論在自己製造還是透過合約製造商製造的狀況下，皆能保護儲存在裝置上的智財權不受侵害。

% _& x- i2 ~: @$ u品質與可靠性
% i3 f# d+ I' n: g: [/ g0 h植基於 JEDEC 的業界標準與命令集，恆憶Axcell M29 系列產品除了可廣泛支援業界應用外，還包括設計靈活性等優勢，有效協助嵌入式客戶以各種密度擴展記憶體子系統。恆憶NOR快閃記憶體導入 65奈米技術已超過18個月之久，製造流程已十分成熟並具備極高的可靠度。

5 I6 D* v0 F8 d* w& J; _% Q嵌入式應用採用 65 奈米製程使恆憶可以支援更長的產品壽命週期，同時提供強化的產品功能並提高成本效益。恆憶計畫將65 奈米製程優勢導入其針對嵌入式市場的眾多NOR產品中，包括並列和串列解決方案。恆憶業界標準快閃記憶體 (M29) 在效能、易用性和可靠度上擁有強大的優勢，以滿足嵌入式設計的嚴格要求。Numonyx™ StrataFlash® 嵌入式記憶體 (P30/P33) 是具備爆發支援(burst-enabled) 功能的高密度、高效能代碼與資料解決方案。恆憶嵌入式快閃記憶體（J3 vD）持續提供傳統設計廣泛的密度選擇。業界標準的恆憶串列快閃記憶體 (M25) 的低腳數介面和縮小化的封裝，可以協助DTV、DVD、PC、數據機和印表機等各種設備，簡化電路板設計並節約電路板空間。

256Mb恆憶Axcell M29EW目前已有樣品，預計於下個季度開始量產。恆憶計畫在2009年推出更高密度的產品。
: k2 u) O/ d# n/ N9 O9 z2 b' ?
5 ]) [6 @2 j0 X& |7 m! r" i註 1 ： 2Gb 密度是在堆疊配置下。
註 2 ： 請參考各產品規格表。

jiming

恆憶 Axcell™ M29EW快閃記憶體提高程式化速度 為業界標準記憶體智財權提供更佳保護
" s1 \* {2 F/ L
$ g8 `% P4 j+ s3 m& b' V(台北訊，2008 年 10 月 30 日) – 恆憶 (Numonyx) 公司今天推出具備高安全性的新型高密度記憶體系列產品，為機上盒、電信設備等嵌入式產品製造商提供快速可程式功能。在高達2GB (註 1) 的密度下，恆憶 Axcell™ M29EW快閃記憶體擴展恆憶產品的密度範圍，支援應用廣泛的M29業界標準，有助公司得以積極進入高密度嵌入式 NOR 快閃記憶體市場。

恆憶Axcell M29EW快閃記憶體系列是業界首款特別為滿足廣大嵌入式市場，對代碼和資料可靠性的嚴格要求而設計的 65奈米 NOR 記憶體產品，也是恆憶計畫至2009年推出65奈米系列中的首款產品，包括其主要的並列和串列 NOR 嵌入式產品。藉由更小的微影技術，確保恆憶持續研發兼具品質、可靠性、成本、效能等優勢的獨特快閃記憶體解決方案。

恆憶嵌入式產品事業部副總裁兼總經理 Glen Hawk 表示，恆憶 Axcell M29EW 快閃記憶體巧妙地整合兼具尖端產品特性與值得信賴的技術及生產能力。除了應用 M29 業界標準和經驗證過的 MLC (multi-level cell) 技術外，恆憶更在這項目前最高密度產品中，增添更快速的程式化功能和更高的安全性。

恆憶 Axcell M29EW 將恆憶業界標準快閃記憶體 (M29) 系列產品由目前 4Mb 到128Mb 密度的範圍，進一步擴展到 256Mb 到 2Gb。由於很多 M29 業界標準客戶偏好採用密度高於 256Mb 的記憶體產品，如此突顯恆憶在這塊市場的成長機會。恆憶Axcell M29EW快閃記憶體進一步拓展其產品線的密度範圍，加上通過驗證的高品質、高可靠性及進階功能，預期將有助於恆憶擴張在高密度市場的版圖。

heavy91

恆憶 (NUMONYX) 與
4 T4 P) o9 M  |; ]& f' Z海力士 (HYNIX) 共同推動創新 NAND 快閃記憶體產品及技術 擴展合作關系
  J) ?6 r- @; m6 O& l% j攜手開發 NAND 業務 (台北訊，2008 年 8 月 7 日) –恆憶 (Numonyx) 與海力士 (Hynix Semiconductor Inc.) 今日宣佈簽署為期五年的協議，將針對成長迅速的 NAND 快閃記憶體市場，共同合作開發計劃。雙方將擴充 NAND 產品線，並促成未來產品和技術的創新，以因應五年內NAND所將面臨的技術挑戰。
7 k; e3 o# I4 M: F; O+ X+ Y
依新簽署的合約，恆憶與海力士將拓展合作開發範疇，以推出領先業界的 NAND 記憶體技術和產品，並且將雙方的資源整合，以加速開發未來的 NAND 技術和解決方案。此外，雙方也將共同開發用於行動電話多晶片封裝的行動 DRAM。

海力士董事長暨執行長 Jong-Kap Kim 表示，為了在快速演進的半導體產業致勝，必須運用雙方最佳資源，共同面對技術問題，而非只單獨減低風險就能達成。未來的共同技術開發，將成為雙方合作的重要成功因素，也期盼能夠透過產品、軟體和控制器等方面的系統化共同開發，致力推出新產品。恆憶與海力士將共同開發出採用先進技術的完整系列產品，使雙方在 NAND 市場得以勝出。恆憶與海力士的合作將成為全球的 NAND 設計社群裡屬一屬二的全能團隊，期盼在今後能持續開發全新的 NAND 記憶體解決方案，持續既有優勢。

8 v2 v) t7 f; G0 Z% Z恆憶總裁暨執行長 Brian Harrison 表示，未來 五年在 NAND 領域的成功和發展，需要獨特的能力，恆憶期許與海力士攜手實現這樣的願景。結合恆憶的專業人力資源、工程設計，與海力士對於成本效益的高度專注，相信必能獲得尖端的技術、符合成本效益且可擴充的製造能力、領先業界的記憶體系統專業，以及使系統層級 NAND 解決方案迅速上市的經驗。透過與海力士互補的專業技術，勢必能強化恆憶在無線通訊 NAND領域的優勢。

由於技術層面不斷改變，製造 NAND 記憶體的過程日益複雜，甚至轉變為愈來愈精密的微影技術量產節點，一般預期電荷擷取裝置 (Charge-Trap device) NAND 將取代目前主流的浮動閘 (Floating Gate) NAND 技術，而恆憶在 NOR 快閃記憶體技術的經驗，理當成為此一演進趨勢的主要推手。另外，在未來五年，供應商需要更深入瞭解裝置的物理性能和整體系統層級解決方案，才能克服所面臨的挑戰。

- m5 N; f$ m; [; c. ~+ b! E2 \& m/ O有效運用恆憶的軟體專業技術，不但有助廠商達成上述要求，並對市場滲透產生正面影響，得以提高 microSD、eMMC 和 SSD 等整合式 NAND 解決方案的市佔率。恆憶與海力士的合作將帶來重大的整合綜效，而恆憶在解決非揮發性記憶體挑戰方面已累積40年的歷史，及在開發韌體、微控制器和其他系統解決方面的豐富的經驗。這些因素都將在NAND從原始晶片向系統的轉變中產生關鍵作用。

除了在 NAND 方面的共同合作外，雙方更擬於中國無錫合作投資生產 300 mm 低功耗行動 DRAM 的生產計劃。雙方將多晶片封裝非揮發性記憶體堆疊的行動 DRAM，應用於行動裝置解決方案中。這項行動 DRAM 的結盟，將有助兩家公司推出更具成本效益且低功耗的多晶片記憶體子系統，以供具有小型設備需求的客戶使用。海力士在 4 月推出全球最快速的 1 Gb LPDDR2 產品後，在產品密度、技術領先地位、效能，以及適合單一晶片解決方案的 SDR/DDR 介面相容性等方面，已然成為行動 DRAM 產品的領導廠商。


7 A- ]5 g# S# z4 R; j+ F' r
  m' Q+ d: Q' T5 z* p1 l海力士 (Hynix) 公司簡介
4 P- k8 ]# P5 p0 Q7 t+ O/ f( o位於韓國仁川的海力士 (HSI) 為全球半導體領導供應商，針對眾多長期合作的國際客戶，提供動態隨機存取記憶體 (DRAM) 及快閃記憶體晶片。該公司股票於韓國證券交易所上市，其全球存託憑證亦於盧森堡證券交易所掛牌。關於海力士的詳細資訊，請查詢公司網站www.hynix.com 。
9 ^2 [0 W6 j# c6 K! J7 n/ ~- C
% k8 B/ }8 @# P+ f

heavy91

恆憶 (Numonyx) 推出低價、低功耗 DDR 介面非揮發性 RAM 產品
- G8 \$ e2 f8 G* i: f. m* _
) K1 k+ }* X' rNumonyx™ Velocity LP™ NV RAM 提供較低功耗RAM更低成本的更高效能解決方案；為相變化記憶體提供途徑
, j  y8 r; k' j: D& Y0 [
(台北訊，2008 年 7 月 29 日) –記憶體大廠恆憶 (Numonyx) 今日宣佈推出 Velocity LPTM NV-RAM 產品系列，此系列是業界最快速的低功耗雙倍資料傳輸速率 (LPDDR) 非揮發性記憶體，不但可以提供行動電話和消費性電子產品製造商更高的記憶體效能，而且比目前市面解決方案價格更低。相較於傳統NOR Flash記憶體，這些裝置在提供高DRAM內容平台低成本解決方案的同時，還可達到兩到三倍速讀取頻寬的效能提升。恆憶 Velocity LP NV-RAM 系列的推出也為該公司未來相位變化記憶體 (PCM) 產品提供了無縫的絕佳架構途徑。

4 ^& j7 M5 ^0 ^7 z無線電話中的數位影像、視訊、遊戲及其他應用程式持續需要大量的記憶體，為滿足這樣的需求，大多數的行動電話製造商採用結合如NOR、NAND等非揮發性記憶體以及昂貴的RAM技術。其中由於各種記憶體類型需要不同的硬體和軟體介面，經常迫使設計人員在記憶體系統效能與支援更多介面之間得做出妥協，也因而提高系統成本。
: p4 K$ l+ b+ E0 o8 O: p
  v" ?6 S5 c: n$ j2 q6 b9 ~' }& c% Y恆憶Velocity LP NV-RAM將系統中不同的執行記憶體的特性結合在一個廣為接受LPDDR 介面上，有助於簡化系統架構、提升速度並降低成本。由於此一非揮發性記憶體也具有執行功能，因此設計人員可以 RAM 速度讀取數位內容，並降低系統的 LP RAM 需求以減少記憶體系統成本，此介面同時可協助系統架構人員使用相同架構來擴充記憶體系統，以支援從低階到高階的各種電話。
+ M/ @" v/ M# n1 Q2 [; F, T
恆憶 無線通訊產品事業群副總裁暨總經理 Marco Dallabora 表示，延續恆憶在無線非揮發記憶體市場的領先地位，恆憶Velocity LP NV-RAM 採用經驗證的 65奈米非揮發記憶體技術，率先推出 LPDDR-NVM 介面的領導功能。恆憶的目標是協助 OEM 推出符合成本效益的高效能電話，並開始針對無線市場推出 PCM 型裝置。
2 y* x  M7 N7 |: N3 X  N
$ w" Q9 w  ^! {, w* R恆憶Velocity LP NV-RAM 系列與 2007 年 11 月所發佈的 JEDEC 低功耗雙倍資料傳輸速率 (LPDDR) NVM 標準相容，恆憶將持續以更新的產品支援產業未來新一代介面標準，此次開發的產品是推出更快速非揮發性記憶體的第一步，並藉此降低行動平台加裝額外 RAM 的需求。

為開發Velocity LP NV-RAM 系列產品，恆憶積極與產業鏈及客戶合作，預期LPDDR NV-RAM 解決方案將在 2009 年引起市場的廣大迴響。ARM 處理器部門營運暨光纖 IP 副總裁 Keith Clarke 表示，LPDDR-NVM 介面提供顯著優勢，使開發人員得以ARM*架構執行行動應用。ARM與恆憶密切合作，使AMBA* 3 AXI* 型 ARM PrimeCell* PL340 動態記憶體控制器能夠搭配恆憶Velocity LP NV-RAM 解決方案，主要合作夥伴目前也已經順利導入此項產品。
' m8 K) X$ x. |' c& Z- K7 P- R
以軟體與封裝提高價值
7 I7 y/ q1 r& s  P除了提供創新的 NVM 矽產品外，恆憶也提供創新的軟體解決方案。所推出的進階 XIP 檔案系統 (AXFS，Advanced XIP File System)讓軟體設計人員和架構人員能夠運用單一檔案系統，支援 NV-RAM、NOR、NAND 和 RAM 技術，以及日後的 PCM 型產品。AXFS 軟體可壓縮未使用的代碼頁，協助設計人員得以在特定密度下取得 50% 以上的儲存量，並最佳化設計過程中的系統層級效能與成本，同時減少 RAM 需求以降低系統功耗。
; _# [; _6 s2 `- ]. N, R" q- r6 i2 a4 \
透過創新的封裝技術，恆憶運用單一的封裝層疊（package-on-package）解決方案提升共用 RAM 和 Velocity LP NV-RAM的優勢，藉此，設計人員即可運用處理器推出高性能而低成本的記憶體解決方案。在同一匯流排安裝 RAM 和 Velocity LP NV-RAM，恆憶得使記憶體能夠相互堆疊，節省電路板的實體空間或「記憶體體積」。
8 ^( L/ e7 b( F, A
& J5 L; l1 @# Y# V



8 o* S. b; J: c& p" ^; S$ G" N/ e[ 本帖最後由 heavy91 於 2008-7-31 05:58 PM 編輯 ]