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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟/ D9 v2 f1 |0 q( A
5 U/ R- X. U! C3 x
OD2作用:
+ P7 h: k1 I, |1. 增加阻值
" _7 P2 ], [6 L5 k: n* }2. 防止電流過大而導致元件燒毀7 ?! z8 Z. Q4 T( z% M4 P' l9 i
3. 通常用於高壓製程上+ v5 E7 U5 B  a! }0 \1 d- B3 l

: V  J% ^( E8 N1 i5 ^, h9 K6 x1 jSAB作用:
/ j7 c7 O. |9 g! V' f: G1. 可以用來計算電阻值* H* U3 Q! M+ l% b# A6 [9 M* O
2. 降低阻值# i' K$ |, v) ^) t2 ~3 j
3. 防止LDD的尖端放電
  ^9 h+ N4 x: y% s
) N& n, D. x% ^. j
' R1 }6 I1 i; H以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
0 r- ~& r  c' |% j! `這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
5 W! V; X6 ^: P* K5 c4 NSAB : 認同二樓說法
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 ( D. W! F2 r( t/ C( F

( |3 z8 S9 a1 m; a) ]: n# b/ ~個人的認知與看法!有錯請指點一下!
; I5 @6 N, W4 P" o% d% J, I! U7 S; `4 I! i' M/ l) ~% T( v
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!: Q  C8 D; w4 E- v, @4 v, j
( p- z5 w3 w: _8 b8 c
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!  L% M3 y9 e' A3 Z& N# W4 U: K
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
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