2012 奇景盃 初賽 問題詢問

as200112

各位先進，您好：
* X& ~  t4 `+ X' w" t3 B2 B6 f3 x
4 `' H6 K! @. T7 d1 k/ R* d不好意思，想請問一下，在 奇景盃 2012 初賽 試題中，有著 PMOS 電容，

在練習時，學長提醒要在這顆 PMOS 電容外，加上 Deep N well，

MC       VDDA VTL VDDA VDDA  PH L=10U W=10U M=10

上述中，PMOS 電容 下極板為 VDDA，那為什麼還要加上 Deep N well ?

3 D- k  h$ m- ?( @+ W2 a+ }3 v是為了讓 PMOS 電容 的上下極板與 VDDA 的電位分開嗎 ?

" ?* w7 x8 F( K麻煩大家了

KKboy

) Q  S0 @8 [8 ~% j6 a9 E3 D' F
as200112同學 您好，
, o3 W8 P. f  X& q4 [, G$ F" r2 |好巧不巧我去年有比過此比賽，
我想你沒看清楚電路及DesignRule裡面的定義。
此電路名稱為PVCVS，由於有三個區塊(MUX、MC、BIASB)，
7 F$ r" ]1 X# X(一)MUX(Power=VDDA、Gnd=VSSD)
; W; a9 A+ N5 W(二)BIASB(Power=VDDA、Gnd=VSSA)
& @; Y, R6 Z: T2 l1 l4 SDNW是為了隔絕這兩個區塊GND部分，
2 s$ X; R* }: I如果沒畫DNW，我想LVS應該不會過才對。
而當初我是用MC把MUX與BIASB隔開，
但只有BIASB有畫DNW，題目Psub電位為VSSD......
* G8 b+ q3 f8 a1 L( @
2 L( v6 q& A0 e! x9 [; F) }如果有錯請見諒
# z% a  y& L9 s( j# E  ]4 p希望對你有幫助，祝你今年能得名。