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凌力爾特高效率PoE++ PD控制器提供高達90W功率

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發表於 2012-8-28 11:32:24 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
凌力爾特(Linear Technology Corporation)日前推出LT4275 LTPoE++™、PoE +和相容於PoE的受電裝置(PD)介面控制器,主要用於要求達90W電源之應用。PoE +限制了PD最大功率至25.5W,這對於提供新型的高功率需求應用,如微微蜂巢式基地台 (picocell)、基地台,指示標誌和戶外攝影機是不足的。凌力爾特的LTPoE++標準透過將功率規畫擴展為包含四種不同的功率位準(38.7W、52.7W、70W和90W)而建構了完整的高功率LTPoE+ +系統,滿足市場需求。LTPoE+ +標準採用的分類法能輕易使LTPoE++供電裝置(PSE)控制器和LTPoE+ PD控制器彼此進行可靠的通訊,同時保持與IEEE標準設備間的互操作性。LT4275A (LTPoE++)、 LT4275B (PoE+)和LT4275C (PoE) 可僅透過一個IC便能有效的供電至PD負載。. M9 P5 e: X# y1 p. L4 a8 I

+ J) I$ k( L. k* kLT4275不同於整合功率MOSFET的傳統PD控制器,其控制外部MOSFET以大幅降低整體PD熱損,並達到最大功率效率,這對於更高功率位準相當重要。此創新方式可讓使用者按照其應用的特定散熱及效率需求決定MOSFET,必要時可使用低導通阻抗的 30mOhm MOSFET。LT4275可將PSE辨識為符合IEEE 802.3af 13W功率級的Type 1硬體、符合IEEE 802.3at 於25.5W功率級的Type 2 硬體,或符合38.7W至90W的功率位準的LTPoE++硬體,並相應供電。為達到有效的功率分配,PD使用者可配置代表PD電源使用的分類。100V abs最大額定輸入電壓代表LT4275的強固性,以及可在常見的乙太網路線突波情況下保護PD。可程式的輔助電源接腳具備署名損壞,提供支援至9V。LT4275還包括電源良好輸出、晶片上署名電阻、欠壓鎖住及完整的熱保護。" u* G! s% I1 X! {6 d) ^* m- b
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LT4275具備工業和汽車等級版本,可分別支援-40°C至85°C以及-40°C至125°C的操作接面溫度範圍,該元件採用小型、符合RoHS標準的10接腳MSOP或 3mm x 3mm DFN封裝。以千顆量購計之單價為1.45美元起。LT4275提供對於凌力爾特現有PD產品的升級路徑,包括了LTC4265 PoE+ PD 控制器及對於任何凌力爾特最新PSE控制器的無縫連接,包括單埠LTC4274、4埠LTC4266以及12埠LTC4270/71晶片組。如需更多資訊,請參閱www.linear.com/LTPoE++
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' ]: ~3 u, L- h* \  S4 VLT4275特性摘要7 q+ r/ M4 ]+ R0 M% Z' ]
•        IEEE 802.3af/at 以及 LTPoE++受電裝置 (PD)控制器
# U) o# Y) x( K3 b( A•        LTPoE++ 支援達90W的功率位準6 k) H! L4 z4 G5 c5 Y
•        LT4275A 支援以下所有標準:  r! b( S; b; d5 `# P- R7 Z
o        LTPoE++ 38.7W, 52.7W, 70W & 90W
* `# w. s1 T- \4 J0 S7 f) go        符合IEEE 802.3at (25.5W)規範
) [  a& @1 m0 {$ v, ao        符合IEEE 802.3af (13W)規範 " X% B8 p# }3 b5 k" w

1 ~8 X0 b. H/ F$ q: m, H•        LT4275B 符合 IEEE 802.3at/af 規範
! g6 N1 y% b7 i•        LT4275C 符合 IEEE 802.3af 規範6 ^$ u# ^) y. ]8 v/ K3 l
•        100V 絕對最大輸入電壓% n( J+ i  i5 A1 H, |. G) ^
•        內建署名電阻. a- D* F) y4 @# L7 p; C8 x) e* E& A
•        外部Hot Swap™ N通道MOSFET以達到最低功耗和最高系統效率2 W! w' ^. l( J- {- m  Y3 F& S
•        可設定輔助功率支援至9V5 q6 S0 ?2 y; n# h: H
•        採用10接腳 MSOP 以及 3mm x 3mm DFN 封裝
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