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1.你的BJT請都採用同一種面積大小的BJT,如PNP5,或者PNP10,請不要在Bandgap電路中採用不同面積的BJT,這個樣子特性會不朝同一方向' _3 r( |3 A/ t# T
2.Q0和Q10有其倍率關係,若照你提供的電路來看,Q0是Q10的N倍關係,通常是取8,這個關係是因為Layout的緣故# N2 ^2 n8 q3 s( ]$ v" {
3.在作模擬時,建議把電阻model也帶入作模擬,這個樣子會比較準/ C$ Q8 u1 p% a5 i$ v
4.在看Bandgap模擬的結果時,會比較建議在單一工作電壓下,掃溫度,然後觀察溫度變化和Vbg的電壓變化,目前你所提供的圖是電壓變化,會比較失去Bandgap電路要的特性,建議你該附一張橫軸是溫度,縱軸是Vbg的圖,這個樣子會比較容易看出你模擬出來的結果是否符合Bandgap電路特性" i) E% N: V8 U, J/ i2 \) V
5.你的size建議不要用minimum size,這個樣子在不同corner和溫度變化時很容易跑掉
- k0 {: C( O- {# {6.你的start-up電路會有起不來的可能,建議修改(你目前的問題應該不是start-up所引起的),另外,在觀看Start-up特性是以Power ramp的形式,然後觀察你電路中net109和net104的電壓變化& _/ V( [- ^$ \+ Q) |( b9 K
7.建議你可參考Razavi所著的"Design of Analog CMOS Integrated Circuits"一書中第11章,裡面有詳加描述Bandgap電路的特性 |
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