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[問題求助] 誰能為我解答,感激不盡

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1#
發表於 2012-3-8 21:10:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
我在跑DRC時出現的問題,這是什麼意思呢? 5 \% F! d! a9 ?- h
1 R; M1 i( m" U% o
N-well pickup OD to PMOS space <=20um
5 O& n, s( p6 @8 v! z- z* p$ U6 b6 {4 B' N" S4 f. T

9 W9 [* P: u' I: ]& {煩請為我解答感謝
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4#
 樓主| 發表於 2012-3-12 11:49:03 | 只看該作者
感謝各樓上兩位大大的解釋,真的很感謝^^
3#
發表於 2012-3-9 09:48:05 | 只看該作者
同樓上大大所說,這意思是指N-well 的substrate contact到PMOS OD中
/ i- T3 y4 S+ x" V2 s5 y1 A的部分區域距離大過於20um。
. H: }0 l" h, k' N$ V0 X/ [' j
4 p; @+ n  I1 F0 H通常會發生在mos圍上pick-ring時過大,導致mos離picj-up太遠' N  D2 \# ~8 ]
或者,mos本身w過大(大多超過36um以上),mos中心點位. r) q7 B) k$ y% r( q) M
置離pick-up太遠,超過20um也會有同樣的狀況。
2#
發表於 2012-3-8 23:11:25 | 只看該作者
意思是pmos的衬底接触与pmos的间距大于20u,带来的影响是会有latch up
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