|
TE電路保護部產品經理Nicole Palma表示:“在與設計工程師一起工作時,我們發現IEC的ESD保護標準沒有真正解決可能導致產品故障的CBE所引起的問題。有鑑於此,我們強化了現有的小型低電容SESD器件產品線,提供20kV及更高的浪湧保護能力。這種更強大的保護能力可以協助製造商提升產品的可靠性,並將返修(field return)的次數減到最少,這正是在競爭激烈的電腦、行動、消費和汽車市場設計時的關鍵性考量因素。” ( N/ R! F, D; y4 d, K$ g- E
* B+ f4 I9 b! g) q( g9 I$ a" l% q
此新一代的SESD產品同時具有單向和雙向配置,以及1、2和4通道的版本,採用微小型0201和0402尺寸及標準直通(flow-through)封裝。除了提供20kV接觸放電性能,這些器件的浪湧保護能力(4通道陣列為2.2A,1和2通道器件為2.5A)將有助於提供更穩健的性能。
' t& T+ A* b( A- ^( U1 S
8 @9 z! U$ X: h. Q% [1 X& aSESD器件的典型輸入電容在高頻譜下為0.15pF (雙向)和0.30pF (單向),將有助於滿足HDMI、eSATA和其它高速信號的要求。其低鉗位電壓 (<15V) 則有助於達到快速啟動時間和將能量泄放 (energy let-through)降到最小。此外,SESD器件所具有的極低洩漏電流(50nA),則可在必須節省能源的應用中用來降低功耗。
- ~4 W# W: K% W. V8 O( J( f( r: [% A; f8 n- z, r" I
型號:7 n, ]. d/ N( d. b9 R V% w' p" G) j) \
單通道:
" S* f9 [9 ?# ?% x$ Q1 y0 ? U1 P• SESD0201X1UN-0030-088 – 單向; 0201尺寸;0.30pF (典型) 輸入Cp;8.8V (典型) VBR* M7 p% z+ Y) c, a" Z0 }
• SESD0201X1BN-0015-096 – 雙向; 0201尺寸;0.15pF (典型) 輸入Cp, 9.6V (典型) VBR
7 y. F* g, _/ c- }" m, Y; L, E9 o& t• SESD0402X1UN-0030-088 – 單向; 0402尺寸;0.30pF (典型) 輸入Cp, 8.8V (典型) VBR
0 x/ r4 w, J- n/ w$ B• SESD0402X1BN-0015-096 –雙向; 0402尺寸;0.15pF (典型) 輸入Cp, 9.6V (典型) VBR5 c9 Z0 E3 {7 q# _
6 F7 _! b" p# X- y多通道:/ k7 {8 P/ t& Z
• SESD0402Q2UG-0030-088 – 單向; 0402尺寸;0.30pF (典型) 輸入Cp, 8.8V (典型) VBR+ T& U4 O G% ~/ d
• SESD1004Q4UG-0030-088 – 單向; 1004尺寸;0.30pF (典型) 輸入Cp, 8.8V (典型) VBR9 Y/ V. o* R' X/ y/ j7 B
* g; n7 g5 a' U( N# N
價格:按要求提供
, r f- C8 T5 h, l B' o7 S2 ~供貨:樣品供應中
( v9 ~2 Z% U, @, A$ D0 I1 X+ x付運:交貨期為12周 |
|